规格:漏源电压(Vdss) 500V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 11A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 48W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF11N50CF
仓库库存编号:
FQPF11N50CF-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 16A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 38.5W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF16N50
仓库库存编号:
FDPF16N50-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Tc) 45W(Tc) TO-220AB
型号:
STP8NM50N
仓库库存编号:
497-10965-5-ND
别名:497-10965-5
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 800MA D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800mA(Tc) 60W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA08N50D2
仓库库存编号:
IXTA08N50D2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 18.5A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 18.5A(Tc) 127W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW50R190CE
仓库库存编号:
IPW50R190CE-ND
别名:IPW50R190CEFKSA1
SP000850798
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V TO220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK12A50E,S4X
仓库库存编号:
TK12A50ES4X-ND
别名:TK12A50E,S4X(S
TK12A50E,S5X
TK12A50E,S5X(M
TK12A50ES4X
TK12A50ES4X(S
TK12A50ES4X(S-ND
TK12A50ES5X
TK12A50ES5X-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 4.6A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI840GPBF
仓库库存编号:
IRFI840GPBF-ND
别名:*IRFI840GPBF
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 1.6A(Tc) 100W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP1R6N50D2
仓库库存编号:
IXTP1R6N50D2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8.8A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 8.8A(Tc) 150W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP440PBF
仓库库存编号:
IRFP440PBF-ND
别名:*IRFP440PBF
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 19A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 19A(Tc) 239W(Tc) TO-3PN
型号:
FDA18N50
仓库库存编号:
FDA18N50-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 18A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 223W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP18N50C-E3
仓库库存编号:
SIHP18N50C-E3-ND
别名:SIHP18N50CE3
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 3A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP3N50D2
仓库库存编号:
IXTP3N50D2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 12.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 12.5A(Tc) 170W(Tc) TO-220AB
型号:
FQP13N50
仓库库存编号:
FQP13N50-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 22A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 350W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ22N50P
仓库库存编号:
IXTQ22N50P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 24A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 480W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ460P2
仓库库存编号:
IXTQ460P2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 22A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 350W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH22N50P
仓库库存编号:
IXFH22N50P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 26A(Tc) 400W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ26N50P
仓库库存编号:
IXTQ26N50P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 26A(Tc) 500W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH26N50P3
仓库库存编号:
IXFH26N50P3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 460W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH30N50P
仓库库存编号:
IXFH30N50P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 6A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH6N50D2
仓库库存编号:
IXTH6N50D2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 42A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 42A(Tc) 830W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH42N50P2
仓库库存编号:
IXFH42N50P2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 15A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP15N50L2
仓库库存编号:
IXTP15N50L2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 36A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) 540W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ36N50P
仓库库存编号:
IXTQ36N50P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 36A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) 540W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH36N50P
仓库库存编号:
IXFH36N50P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 42A TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Tc) 830W(Tc) TO-268
型号:
IXFT42N50P2
仓库库存编号:
IXFT42N50P2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
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