规格:漏源电压(Vdss) 500V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 20A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 380W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH20N50P3
仓库库存编号:
IXFH20N50P3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 390W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG32N50D-E3
仓库库存编号:
SIHG32N50D-E3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 3.1A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI830G
仓库库存编号:
IRFI830G-ND
别名:*IRFI830G
Q932707
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 16A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 250W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
SIHB16N50C-E3
仓库库存编号:
SIHB16N50C-E3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 16A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 38W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHF16N50C-E3
仓库库存编号:
SIHF16N50C-E3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 11A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 180W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP448PBF
仓库库存编号:
IRFP448PBF-ND
别名:*IRFP448PBF
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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IXYS
500V POLAR2 HIPERFETS
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 480W(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ24N50P2
仓库库存编号:
IXFQ24N50P2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
不适用
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 24A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 480W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH460P2
仓库库存编号:
IXTH460P2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 26A(Tc) 500W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP26N50P3
仓库库存编号:
IXFP26N50P3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 29A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 29A(Tc) 357W(Tc) TO-247
型号:
AOK29S50L
仓库库存编号:
785-1445-5-ND
别名:785-1445-5
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF840LC
仓库库存编号:
IRF840LC-ND
别名:*IRF840LC
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 22A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 350W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH22N50P
仓库库存编号:
IXTH22N50P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200mA(Tc) 1.1W(Ta),25W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP02N50D
仓库库存编号:
IXTP02N50D-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A TO-263AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 26A(Tc) 500W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA26N50P3
仓库库存编号:
IXFA26N50P3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N/P-CH 500V 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 500V Surface Mount 8-SOIC
型号:
TC1550TG-G
仓库库存编号:
TC1550TG-G-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 26A(Tc) 500W(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ26N50P3
仓库库存编号:
IXFQ26N50P3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 16A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 330W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH16N50P3
仓库库存编号:
IXFH16N50P3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 250mW(Tc) SUPER-247(TO-274AA)
型号:
SIHS20N50C-E3
仓库库存编号:
SIHS20N50C-E3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 460W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH30N50P
仓库库存编号:
IXTH30N50P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 25A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Ta) 150W(Ta) TO-3P
型号:
RJK5015DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJK5015DPK-00#T0-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 26A(Tc) 400W(Tc) TO-268
型号:
IXTT26N50P
仓库库存编号:
IXTT26N50P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 460W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ30N50P
仓库库存编号:
IXTQ30N50P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 42A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 42A(Tc) 830W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ470P2
仓库库存编号:
IXTQ470P2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 460W(Tc) TO-268
型号:
IXFT30N50P
仓库库存编号:
IXFT30N50P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 25A TO3PFM
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Ta) 60W(Tc) TO-3PFM
型号:
RJK5015DPM-00#T1
仓库库存编号:
RJK5015DPM-00#T1-ND
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