品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 85V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 100A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 85V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP054NE8NGHKSA2
仓库库存编号:
IPP054NE8NGHKSA2-ND
别名:IPP054NE8N G
IPP054NE8N G-ND
IPP054NE8NGX
IPP054NE8NGXK
SP000096462
SP000680804
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 85V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 100A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 85V 100A(Tc) 214W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP06CNE8N G
仓库库存编号:
IPP06CNE8N G-ND
别名:IPP06CNE8NGX
IPP06CNE8NGXK
SP000096464
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 85V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 95A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 85V 95A(Tc) 167W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP08CNE8N G
仓库库存编号:
IPP08CNE8N G-ND
别名:IPP08CNE8NGX
IPP08CNE8NGXK
SP000096466
SP000680846
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 85V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 67A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 85V 67A(Tc) 125W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP12CNE8N G
仓库库存编号:
IPP12CNE8N G-ND
别名:IPP12CNE8NGX
IPP12CNE8NGXK
SP000096467
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 85V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 53A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 85V 53A(Tc) 100W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP16CNE8N G
仓库库存编号:
IPP16CNE8N G-ND
别名:IPP16CNE8NGX
IPP16CNE8NGXK
SP000096470
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 85V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 35A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 85V 35A(Tc) 71W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP26CNE8N G
仓库库存编号:
IPP26CNE8N G-ND
别名:IPP26CNE8NGX
IPP26CNE8NGXK
SP000096472
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 85V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 95A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 85V 95A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB08CNE8N G
仓库库存编号:
IPB08CNE8N G-ND
别名:SP000096449
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 85V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 67A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 85V 67A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB12CNE8N G
仓库库存编号:
IPB12CNE8N G-ND
别名:SP000096451
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 85V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 35A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 85V 35A(Tc) 71W(Tc) PG-TO-263
型号:
IPB26CNE8N G
仓库库存编号:
IPB26CNE8N G-ND
别名:SP000292948
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 85V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 85V 67A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD12CNE8N G
仓库库存编号:
IPD12CNE8N G-ND
别名:SP000096477
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 85V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 53A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 85V 53A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD16CNE8N G
仓库库存编号:
IPD16CNE8N G-ND
别名:SP000096455
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 85V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 35A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 85V 35A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD25CNE8N G
仓库库存编号:
IPD25CNE8N G-ND
别名:SP000096457
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 85V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 95A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 85V 95A(Tc) 167W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI08CNE8N G
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IPI08CNE8N G-ND
别名:SP000208927
SP000680708
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 85V,
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MOSFET N-CH 85V 67A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 85V 67A(Tc) 125W(Tc) PG-TO262-3
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IPI12CNE8N G
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