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• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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• STMicroelectronics
  MOSFET POWER 42V 28A D2PAK
  
  型号：VNB28N04
  仓库库存编号：VNB28N04-ND
  
  规格：导通电阻（典型值） 35 毫欧（最大）,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET POWER 40V 12A IPAK
  
  型号：VND14NV04-1
  仓库库存编号：VND14NV04-1-ND
  
  规格：导通电阻（典型值） 35 毫欧（最大）,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET POWER 40V 12A DPAK
  
  型号：VND14NV0413TR
  仓库库存编号：VND14NV0413TR-ND
  
  规格：导通电阻（典型值） 35 毫欧（最大）,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET POWER 40V 12A TO-220-3
  
  型号：VNP14NV04
  仓库库存编号：VNP14NV04-ND
  
  规格：导通电阻（典型值） 35 毫欧（最大）,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET POWER 42V 28A ISOWATT220
  
  型号：VNP28N04FI
  仓库库存编号：VNP28N04FI-ND
  
  规格：导通电阻（典型值） 35 毫欧（最大）,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET POWER 42V 28A PWRSO10
  
  型号：VNV28N04
  仓库库存编号：VNV28N04-ND
  
  规格：导通电阻（典型值） 35 毫欧（最大）,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET OMNIFET 42V 28A D2PAK
  
  型号：VNB28N0413TR
  仓库库存编号：VNB28N0413TR-ND
  
  规格：导通电阻（典型值） 35 毫欧（最大）,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET OMNIFET 42V 28A D2PAK
  
  型号：VNB28N04-E
  仓库库存编号：VNB28N04-E-ND
  
  规格：导通电阻（典型值） 35 毫欧（最大）,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET OMNIFET 42V 28A D2PAK
  
  型号：VNB28N04TR-E
  仓库库存编号：VNB28N04TR-E-ND
  
  规格：导通电阻（典型值） 35 毫欧（最大）,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET OMNIFETII 40V 12A 8-SO
  
  型号：VNS14NV04-E
  仓库库存编号：VNS14NV04-E-ND
  
  规格：导通电阻（典型值） 35 毫欧（最大）,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 12A DPAK
  
  型号：VND14NV04
  仓库库存编号：497-10037-5-ND
  别名：497-10037-5
  
  规格：导通电阻（典型值） 35 毫欧（最大）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET POWER AUTOPROTECT 8-SOIC
  
  型号：VNS14NV0413TR
  仓库库存编号：497-11082-1-ND
  别名：497-11082-1
  
  规格：导通电阻（典型值） 35 毫欧（最大）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 12A 8SOIC
  
  型号：VNS14NV04TR-E
  仓库库存编号：497-11123-1-ND
  别名：497-11123-1
  
  规格：导通电阻（典型值） 35 毫欧（最大）,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  RELAY SSR 4-CH HI-SIDE 28-SOIC
  
  型号：VNQ600
  仓库库存编号：497-3314-5-ND
  别名：497-3314-5
  
  规格：导通电阻（典型值） 35 毫欧（最大）,
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• STMicroelectronics
  RELAY SSR 2CHAN HI SIDE 16SOIC
  
  型号：VND60013TR
  仓库库存编号：497-4498-1-ND
  别名：497-4498-1
  
  规格：导通电阻（典型值） 35 毫欧（最大）,
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• STMicroelectronics
  RELAY SSR 2CHAN HI SIDE 16SOIC
  
  型号：VND600TR-E
  仓库库存编号：497-5055-1-ND
  别名：497-5055-1
  VND600TRE
  
  规格：导通电阻（典型值） 35 毫欧（最大）,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  IC SSR HISIDE QUAD 28-SOIC
  
  型号：VNQ60013TR
  仓库库存编号：VNQ60013TR-ND
  
  规格：导通电阻（典型值） 35 毫欧（最大）,
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• STMicroelectronics
  IC SSR HISIDE QUAD 28-SOIC
  
  型号：VNQ600A
  仓库库存编号：VNQ600A-ND
  
  规格：导通电阻（典型值） 35 毫欧（最大）,
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• STMicroelectronics
  IC SSR HISIDE QUAD 28-SOIC
  
  型号：VNQ600A13TR
  仓库库存编号：VNQ600A13TR-ND
  
  规格：导通电阻（典型值） 35 毫欧（最大）,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  IC SSR HIGH SIDE 4CH 25A 28SOIC
  
  型号：VNQ600TR-E
  仓库库存编号：VNQ600TR-E-ND
  
  规格：导通电阻（典型值） 35 毫欧（最大）,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  IC SSR HIGH SIDE 4CH 25A 28SOIC
  
  型号：VNQ600-E
  仓库库存编号：VNQ600-E-ND
  
  规格：导通电阻（典型值） 35 毫欧（最大）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 42V POWERSO10
  
  型号：VNV28N04-E
  仓库库存编号：VNV28N04-E-ND
  
  规格：导通电阻（典型值） 35 毫欧（最大）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 42V POWERSO10
  
  型号：VNV28N04TR-E
  仓库库存编号：VNV28N04TR-E-ND
  
  规格：导通电阻（典型值） 35 毫欧（最大）,
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• NXP USA Inc.
  IC SWITCH QUAD HI SIDE 24-QFN
  
  型号：MC35XS3400CPNA
  仓库库存编号：MC35XS3400CPNA-ND
  
  规格：导通电阻（典型值） 35 毫欧（最大）,
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• NXP USA Inc.
  IC SWITCH QUAD HI SIDE 24-QFN
  
  型号：MC35XS3400CPNAR2
  仓库库存编号：MC35XS3400CPNAR2-ND
  
  规格：导通电阻（典型值） 35 毫欧（最大）,
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