以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  DIODE, ZENER, 10V, 1300MW, 5%, D
  详细描述：Zener Diode 1.3W ±5% Through Hole DO-204AL (DO-41)
  
  型号：BZX85C10 R0G
  仓库库存编号：BZX85C10 R0G-ND
  
  规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 500nA @ 7.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  DIODE, ZENER, 10V, 1300MW, 5%, D
  详细描述：Zener Diode 1.3W ±5% Through Hole DO-204AL (DO-41)
  
  型号：BZX85C10 A0G
  仓库库存编号：BZX85C10 A0G-ND
  
  规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 500nA @ 7.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE ZENER 10V 1.3W DO41
  详细描述：Zener Diode 1.3W ±5% Through Hole DO-41
  
  型号：BZX85C10-TAP
  仓库库存编号：BZX85C10-TAP-ND
  
  规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 500nA @ 7.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE ZENER 11V 1.3W DO41
  详细描述：Zener Diode 1.3W ±5% Through Hole DO-41
  
  型号：BZX85C11-TAP
  仓库库存编号：BZX85C11-TAP-ND
  
  规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 500nA @ 7.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE ZENER 10V 1.3W DO41
  详细描述：Zener Diode 1.3W ±5% Through Hole DO-41
  
  型号：BZX85C10-TR
  仓库库存编号：BZX85C10-TR-ND
  
  规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 500nA @ 7.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE ZENER 11V 1.3W DO41
  详细描述：Zener Diode 1.3W ±5% Through Hole DO-41
  
  型号：BZX85C11-TR
  仓库库存编号：BZX85C11-TR-ND
  
  规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 500nA @ 7.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE ZENER 10V 1.3W DO41
  详细描述：Zener Diode 1.3W ±5% Through Hole DO-41
  
  型号：ZPY10-TAP
  仓库库存编号：ZPY10-TAP-ND
  别名：ZPY10TAP
  
  规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 500nA @ 7.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE ZENER 10V 1.3W DO41
  详细描述：Zener Diode 1.3W ±5% Through Hole DO-41
  
  型号：ZPY10-TR
  仓库库存编号：ZPY10-TR-ND
  别名：ZPY10TR
  
  规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 500nA @ 7.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE ZENER 10V 1.3W DO41
  详细描述：Zener Diode 1.3W ±2% Through Hole DO-41
  
  型号：BZX85B10-TAP
  仓库库存编号：BZX85B10-TAP-ND
  
  规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 500nA @ 7.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE ZENER 10V 1.3W DO41
  详细描述：Zener Diode 1.3W ±2% Through Hole DO-41
  
  型号：BZX85B10-TR
  仓库库存编号：BZX85B10-TR-ND
  
  规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 500nA @ 7.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE ZENER 10V 1W DO213AB
  详细描述：Zener Diode 1W ±5% Surface Mount DO-213AB
  
  型号：ZMY10-GS18
  仓库库存编号：ZMY10-GS18-ND
  别名：ZMY10GS18
  
  规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 500nA @ 7.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE ZENER 10V 1W DO213AB
  详细描述：Zener Diode 1W ±5% Surface Mount DO-213AB
  
  型号：ZMY10-GS08
  仓库库存编号：ZMY10-GS08-ND
  别名：ZMY10GS08
  
  规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 500nA @ 7.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  DIODE ZENER 8.2V 500MW DO213AB
  详细描述：Zener Diode 500mW ±5% Surface Mount DO-213AB
  
  型号：CDLL5528B
  仓库库存编号：CDLL5528B-ND
  别名：1086-1625
  1086-1625-MIL
  
  规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 500nA @ 7.5V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35
  详细描述：Zener Diode 500mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH)
  
  型号：JAN1N5528B-1
  仓库库存编号：1086-19087-ND
  别名：1086-19087
  1086-19087-MIL
  
  规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 500nA @ 7.5V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35
  详细描述：Zener Diode 8.2V 500mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH)
  
  型号：JANTX1N5528B-1
  仓库库存编号：1086-19088-ND
  别名：1086-19088
  1086-19088-MIL
  
  规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 500nA @ 7.5V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35
  详细描述：Zener Diode 8.2V 500mW ±2% Through Hole DO-35 (DO-204AH)
  
  型号：JAN1N5528C-1
  仓库库存编号：1086-19092-ND
  别名：1086-19092
  1086-19092-MIL
  
  规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 500nA @ 7.5V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  DIODE ZENER 8.2V 500MW DO213AA
  详细描述：Zener Diode 8.2V 500mW ±5% Surface Mount
  
  型号：JAN1N5528BUR-1
  仓库库存编号：1086-19090-ND
  别名：1086-19090
  1086-19090-MIL
  
  规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 500nA @ 7.5V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35
  详细描述：Zener Diode 8.2V 500mW ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH)
  
  型号：JAN1N5528D-1
  仓库库存编号：1086-19098-ND
  别名：1086-19098
  1086-19098-MIL
  
  规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 500nA @ 7.5V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35
  详细描述：Zener Diode 8.2V 500mW ±2% Through Hole DO-35 (DO-204AH)
  
  型号：JANTX1N5528C-1
  仓库库存编号：1086-19093-ND
  别名：1086-19093
  1086-19093-MIL
  
  规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 500nA @ 7.5V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35
  详细描述：Zener Diode 8.2V 500mW ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH)
  
  型号：JANTX1N5528D-1
  仓库库存编号：1086-19099-ND
  别名：1086-19099
  1086-19099-MIL
  
  规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 500nA @ 7.5V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35
  详细描述：Zener Diode 8.2V 500mW ±2% Through Hole DO-35 (DO-204AH)
  
  型号：JANTXV1N5528C-1
  仓库库存编号：1086-19094-ND
  别名：1086-19094
  1086-19094-MIL
  
  规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 500nA @ 7.5V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35
  详细描述：Zener Diode 8.2V 500mW ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH)
  
  型号：JANTXV1N5528D-1
  仓库库存编号：1086-19100-ND
  别名：1086-19100
  1086-19100-MIL
  
  规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 500nA @ 7.5V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  DIODE ZENER 8.2V 500MW DO213AA
  详细描述：Zener Diode 8.2V 500mW ±2% Surface Mount
  
  型号：JAN1N5528CUR-1
  仓库库存编号：1086-19095-ND
  别名：1086-19095
  1086-19095-MIL
  
  规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 500nA @ 7.5V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  DIODE ZENER 8.2V 500MW DO213AA
  详细描述：Zener Diode 8.2V 500mW ±1% Surface Mount
  
  型号：JAN1N5528DUR-1
  仓库库存编号：1086-19101-ND
  别名：1086-19101
  1086-19101-MIL
  
  规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 500nA @ 7.5V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  DIODE ZENER 8.2V 500MW DO213AA
  详细描述：Zener Diode 8.2V 500mW ±2% Surface Mount DO-213AA
  
  型号：JANTX1N5528CUR-1
  仓库库存编号：1086-19096-ND
  别名：1086-19096
  1086-19096-MIL
  
  规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 500nA @ 7.5V,
• 含铅
• 搜索