规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 800V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Sanken
DIODE GEN PURP 800V 1.2A AXIAL
详细描述：标准 通孔 二极管 1.2A 轴向
型号：
SARS01W
仓库库存编号：
SARS01WCT-ND
别名：SARS01WCT
规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 800V,
不受无铅要求限制
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Sanken
DIODE GEN PURP 800V 1.2A AXIAL
详细描述：标准 通孔 二极管 1.2A 轴向
型号：
SARS01V1
仓库库存编号：
SARS01V1CT-ND
别名：SARS01V1CT
规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 800V,
不受无铅要求限制
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Sanken
DIODE GEN PURP 800V 500MA AXIAL
详细描述：标准 通孔 二极管 500mA 轴向
型号：
AB01BV1
仓库库存编号：
AB01BV1CT-ND
别名：AB01BV1CT
规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 800V,
无铅
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Sanken
DIODE GEN PURP 800V 1.2A AXIAL
详细描述：标准 通孔 二极管 1.2A
型号：
EM 2BV1
仓库库存编号：
EM 2BV1CT-ND
别名：EM 2BV1CT
规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 800V,
无铅
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Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 800V 4A DO201AD
详细描述：标准 通孔 二极管 4A DO-201AD
型号：
MUR480-TP
仓库库存编号：
MUR480-TPMSCT-ND
别名：MUR480-TPMSCT
规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 800V,
无铅
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Micro Commercial Co
DIODE BRIDGE 2A 800V KBPL
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 2A Through Hole KBPL
型号：
2KBP08-BP
仓库库存编号：
2KBP08-BPMS-ND
别名：2KBP08-BPMS
2KBP08BP
规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 800V,
无铅
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Micro Commercial Co
RECT BRIDGE 50A 800V WIRE LEADS
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 50A Through Hole MP-50WW
型号：
MP508W-BP
仓库库存编号：
MP508W-BPMS-ND
别名：MP508W-BPMS
MP508WBP
规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 800V,
无铅
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Central Semiconductor Corp
DIODE GEN PURP 800V 16A DPAK
详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 16A Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
型号：
CUDD16-08C TR13
仓库库存编号：
CUDD16-08C TR13CT-ND
别名：CUDD16-08C TR13CT
规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 800V,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GPP 1PH 4A 800V GBL
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 3A Through Hole GBL
型号：
GBL08-E3/45
仓库库存编号：
GBL08-E3/45GI-ND
别名：GBL08-E3/45-ND
GBL08E345
规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 800V,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
MOD BRIDGE 1PH 8A D-72
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 8A Through Hole D-72
型号：
VS-KBPC808PBF
仓库库存编号：
VS-KBPC808PBFGI-ND
别名：VS-KBPC808PBF-ND
VS-KBPC808PBFGI
规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 800V,
无铅
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Diodes Incorporated
RECT BRIDGE GPP 800V 25A GBJ
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 25A Through Hole GBJ
型号：
GBJ2508-F
仓库库存编号：
GBJ2508-F-ND
别名：GBJ2508F
规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 800V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
BRIDGE RECT 800V 20A TS-6P
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 20A Through Hole TS-6P
型号：
DFB2080
仓库库存编号：
DFB2080-ND
规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 800V,
无铅
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Comchip Technology
RECT BRIDGE GPP 800V 35A GBPCW
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 35A Through Hole GBPC-W
型号：
GBPC3508W-G
仓库库存编号：
641-1385-ND
别名：641-1385
GBPC3508WG
规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 800V,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 800V 35A D-34A
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 35A QC Terminal D-34
型号：
VS-36MB80A
仓库库存编号：
36MB80A-ND
别名：*36MB80A
36MB80A
VS-36MB80A-ND
VS36MB80A
VS36MB80A-ND
规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 800V,
无铅
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Comchip Technology
RECT BRIDGE GPP 800V 50A SCVB
详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 800V 50A QC Terminal SCVB
型号：
SC50VB80-G
仓库库存编号：
641-1392-ND
别名：641-1392
SC50VB80G
规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 800V,
无铅
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Comchip Technology
RECTIFIER BRIDGE 4A 800V KBL
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 4A Through Hole KBL
型号：
KBL408-G
仓库库存编号：
641-1684-ND
别名：641-1684
KBL408-G-ND
规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 800V,
无铅
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Central Semiconductor Corp
RECT BRIDGE 1A 800V 4SMDIP
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 1A Surface Mount 4-SMDIP
型号：
CBR1-D080S
仓库库存编号：
CBR1-D080S-5-ND
别名：CBR1-D080S-5
规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 800V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
BRIDGE RECT 800V 25A TS-6P
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 25A Through Hole TS-6P
型号：
DFB2580
仓库库存编号：
DFB2580-ND
规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 800V,
无铅
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Diodes Incorporated
RECT BRIDGE GPP 800V 15A GBJ
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 15A Through Hole GBJ
型号：
GBJ1508-F
仓库库存编号：
GBJ1508-FDI-ND
别名：GBJ1508-F-ND
GBJ1508-FDI
规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 800V,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
详细描述：标准 表面贴装 二极管 3A DO-214AB，（SMC）
型号：
S3K-E3/57T
仓库库存编号：
S3K-E3/57TGICT-ND
别名：S3K-E3/57TGICT
规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 800V,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 800V 5A DO214AB
详细描述：标准 表面贴装 二极管 5A DO-214AB，（SMC）
型号：
S5K-E3/57T
仓库库存编号：
S5K-E3/57TGICT-ND
别名：S5K-E3/57TGICT
规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 800V,
无铅
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Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 800V 6A R6
详细描述：标准 通孔 二极管 6A R-6
型号：
6A8-TP
仓库库存编号：
6A8-TPMSCT-ND
别名：6A8-TPMSCT
规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 800V,
无铅
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Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AA
详细描述：标准 表面贴装 二极管 3A DO-214AA（SMB）
型号：
S3KB-TP
仓库库存编号：
S3KB-TPMSCT-ND
别名：S3KB-TPMSCT
规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 800V,
无铅
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Sanken
DIODE GEN PURP 800V 1.2A AXIAL
详细描述：标准 通孔 二极管 1.2A 轴向
型号：
SARS01V0
仓库库存编号：
SARS01V0CT-ND
别名：SARS01V0CT
规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 800V,
不受无铅要求限制
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
详细描述：标准 表面贴装 二极管 3A DO-214AB，（SMC）
型号：
RS3K-E3/57T
仓库库存编号：
RS3K-E3/57TGICT-ND
别名：RS3K-E3/57TGICT
规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 800V,
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