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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 200V 500MW DO35
详细描述:Zener Diode 500mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH)
型号:
1N5281B
仓库库存编号:
1N5281BMS-ND
别名:1N5281BMS
规格:不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 100nA @ 152V,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 200V 500MW DO35
详细描述:Zener Diode 500mW ±5% Through Hole DO-35
型号:
1N5281BDO35TR
仓库库存编号:
1N5281BDO35TRCT-ND
别名:1N5281B(DO-35)MSCT
1N5281B(DO-35)MSCT-ND
1N5281BDO35MSCT
1N5281BDO35MSCT-ND
1N5281BDO35TRCT
1N5281BMSCT
1N5281BMSCT-ND
1N5281DO35MSCT
1N5281DO35MSCT-ND
规格:不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 100nA @ 152V,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 200V 500MW DO35
详细描述:Zener Diode 500mW ±5% Through Hole DO-35
型号:
1N6031B
仓库库存编号:
1N6031B-ND
规格:不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 100nA @ 152V,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 200V 500MW DO35
详细描述:Zener Diode 500mW ±2% Through Hole DO-35
型号:
1N6031C
仓库库存编号:
1N6031C-ND
规格:不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 100nA @ 152V,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 200V 500MW DO35
详细描述:Zener Diode 500mW ±1% Through Hole DO-35
型号:
1N6031D
仓库库存编号:
1N6031D-ND
规格:不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 100nA @ 152V,
含铅
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DIODE ZENER 200V 500MW DO35
详细描述:Zener Diode 200V 500mW ±5% Through Hole DO-35
型号:
1N5281B (DO-35)
仓库库存编号:
1N5281B (DO-35)-ND
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