规格:不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 15μA @ 50V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(14)
分立半导体产品
(14)
筛选品牌
GeneSiC Semiconductor (10)
Microsemi Corporation (1)
Vishay Semiconductor Diodes Division (3)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP 200V 6A DO4
详细描述:标准 底座,接线柱安装 二极管 6A DO-4
型号:
1N3881
仓库库存编号:
1242-1070-ND
别名:1242-1070
规格:不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 15μA @ 50V,
无铅
搜索
GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP REV 50V 6A DO4
详细描述:标准型, 反极性 底座,接线柱安装 二极管 6A DO-4
型号:
1N3879R
仓库库存编号:
1242-1071-ND
别名:1242-1071
规格:不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 15μA @ 50V,
无铅
搜索
GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP 50V 6A DO4
详细描述:标准 底座,接线柱安装 二极管 6A DO-4
型号:
1N3879
仓库库存编号:
1242-1087-ND
别名:1242-1087
规格:不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 15μA @ 50V,
无铅
搜索
GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP REV 200V 6A DO4
详细描述:标准型, 反极性 底座,接线柱安装 二极管 6A DO-4
型号:
1N3881R
仓库库存编号:
1242-1086-ND
别名:1242-1086
规格:不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 15μA @ 50V,
无铅
搜索
GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP 400V 6A DO4
详细描述:标准 底座,接线柱安装 二极管 6A DO-4
型号:
1N3883
仓库库存编号:
1242-1002-ND
别名:1242-1002
规格:不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 15μA @ 50V,
无铅
搜索
GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP REV 400V 6A DO4
详细描述:标准型, 反极性 底座,接线柱安装 二极管 6A DO-4
型号:
1N3883R
仓库库存编号:
1242-1020-ND
别名:1242-1020
规格:不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 15μA @ 50V,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE ARRAY GP 50V 30A TO3P
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 30A Through Hole TO-3P-3, SC-65-3
型号:
UG30APT-E3/45
仓库库存编号:
UG30APT-E3/45-ND
规格:不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 15μA @ 50V,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 6A DO203AA
详细描述:标准 底座,接线柱安装 二极管 6A DO-203AA
型号:
VS-1N3879R
仓库库存编号:
VS-1N3879R-ND
别名:*1N3879R
1N3879R
1N3879R-ND
规格:不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 15μA @ 50V,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 6A DO203AA
详细描述:标准 底座,接线柱安装 二极管 6A DO-203AA
型号:
VS-1N3879
仓库库存编号:
VS-1N3879-ND
别名:*1N3879
1N3879
1N3879-ND
规格:不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 15μA @ 50V,
无铅
搜索
GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP 100V 6A DO4
详细描述:标准 底座,接线柱安装 二极管 6A DO-4
型号:
1N3880
仓库库存编号:
1N3880GN-ND
别名:1N3880GN
规格:不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 15μA @ 50V,
无铅
搜索
GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP REV 100V 6A DO4
详细描述:标准型, 反极性 底座,接线柱安装 二极管 6A DO-4
型号:
1N3880R
仓库库存编号:
1N3880RGN-ND
别名:1N3880RGN
规格:不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 15μA @ 50V,
无铅
搜索
GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP 300V 6A DO4
详细描述:标准 底座,接线柱安装 二极管 6A DO-4
型号:
1N3882
仓库库存编号:
1N3882GN-ND
别名:1N3882GN
规格:不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 15μA @ 50V,
无铅
搜索
GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP REV 300V 6A DO4
详细描述:标准型, 反极性 底座,接线柱安装 二极管 6A DO-4
型号:
1N3882R
仓库库存编号:
1N3882RGN-ND
别名:1N3882RGN
规格:不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 15μA @ 50V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 50V 50A DO203AB
详细描述:标准 接线柱安装 二极管 50V 50A DO-203AB(DO-5)
型号:
JAN1N3909R
仓库库存编号:
1086-15708-ND
别名:1086-15708
1086-15708-MIL
规格:不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 15μA @ 50V,
含铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号