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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
IGBT 600V 31A 100W TO220AB
详细描述:IGBT 600V 31A 100W Through Hole TO-220AB
型号:
IRG4BC30FD1PBF
仓库库存编号:
IRG4BC30FD1PBF-ND
别名:*IRG4BC30FD1PBF
SP001545790
规格:反向恢复时间(trr) 46ns,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 650V 50A CO-PACK TO-247-4
详细描述:IGBT Trench 650V 85A 273W Through Hole PG-TO247-4
型号:
IKZ50N65NH5XKSA1
仓库库存编号:
IKZ50N65NH5XKSA1-ND
别名:IKZ50N65NH5
SP001160042
规格:反向恢复时间(trr) 46ns,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE ARRAY GP 400V 15A TO247AC
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 15A Through Hole TO-247-3
型号:
VS-30CPU04-N3
仓库库存编号:
VS-30CPU04-N3GI-ND
别名:VS-30CPU04-N3GI
规格:反向恢复时间(trr) 46ns,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE UF 400V 15A TO247AC
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 15A Through Hole TO-247-3
型号:
VS-30CPU04HN3
仓库库存编号:
VS-30CPU04HN3-ND
规格:反向恢复时间(trr) 46ns,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 45A 167W TO263AB
详细描述:IGBT 600V 45A 167W Surface Mount TO-263AB
型号:
FGB30N6S2D
仓库库存编号:
FGB30N6S2D-ND
别名:FGB30N6S2D_NL
FGB30N6S2D_NL-ND
规格:反向恢复时间(trr) 46ns,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 45A 167W TO247
详细描述:IGBT 600V 45A 167W Through Hole TO-247
型号:
FGH30N6S2D
仓库库存编号:
FGH30N6S2D-ND
别名:FGH30N6S2D_NL
FGH30N6S2D_NL-ND
规格:反向恢复时间(trr) 46ns,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 45A 167W TO220AB
详细描述:IGBT 600V 45A 167W Through Hole TO-220AB
型号:
FGP30N6S2D
仓库库存编号:
FGP30N6S2D-ND
别名:FGP30N6S2D_NL
FGP30N6S2D_NL-ND
规格:反向恢复时间(trr) 46ns,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 45A 167W TO263AB
详细描述:IGBT 600V 45A 167W Surface Mount TO-263AB
型号:
FGB30N6S2DT
仓库库存编号:
FGB30N6S2DT-ND
别名:FGB30N6S2DT_NL
FGB30N6S2DT_NL-ND
规格:反向恢复时间(trr) 46ns,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 31A 100W TO220AB
详细描述:IGBT 600V 31A 100W Through Hole TO-220AB
型号:
IRG4BC30FD1
仓库库存编号:
IRG4BC30FD1-ND
别名:*IRG4BC30FD1
规格:反向恢复时间(trr) 46ns,
含铅
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