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• STMicroelectronics
  TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 20A 115W Through Hole TO-247
  
  型号：STGW10M65DF2
  仓库库存编号：497-16969-ND
  别名：497-16969
  
  规格：反向恢复时间（trr） 96ns,
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• ON Semiconductor
  650V/60A IGBT FSII
  详细描述：IGBT Field Stop 650V 100A 595W Through Hole TO-247-3
  
  型号：NGTB60N65FL2WG
  仓库库存编号：NGTB60N65FL2WGOS-ND
  别名：NGTB60N65FL2WGOS
  
  规格：反向恢复时间（trr） 96ns,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  IGBT 650V 10A TO-220AB
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 20A 115W Through Hole TO-220
  
  型号：STGP10M65DF2
  仓库库存编号：497-15840-5-ND
  别名：497-15840-5
  
  规格：反向恢复时间（trr） 96ns,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  IGBT 650V 10A D2PAK
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 20A 115W Surface Mount D2PAK
  
  型号：STGB10M65DF2
  仓库库存编号：497-15844-1-ND
  别名：497-15844-1
  
  规格：反向恢复时间（trr） 96ns,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  IGBT TRENCH 650V 20A TO220FP
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 20A 30W Through Hole TO-220FP
  
  型号：STGF10M65DF2
  仓库库存编号：STGF10M65DF2-ND
  
  规格：反向恢复时间（trr） 96ns,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  DIODE GEN PURP 1.2KV 5A DIE
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 1200V 5A 模具
  
  型号：IRD3CH5DB6
  仓库库存编号：IRD3CH5DB6-ND
  别名：SP001538760
  
  规格：反向恢复时间（trr） 96ns,
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