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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
IGBT 600V 67A 246W TO247
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 67A 246W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IKW40N60DTPXKSA1
仓库库存编号:
IKW40N60DTPXKSA1-ND
别名:SP001379680
规格:反向恢复时间(trr) 87ns,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 80A POWERTAB
详细描述:标准 通孔 二极管 80A PowerTab?
型号:
VS-80EBU04HF4
仓库库存编号:
VS-80EBU04HF4-ND
别名:VS80EBU04HF4
规格:反向恢复时间(trr) 87ns,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO252
详细描述:标准 表面贴装 二极管 600V 29.2A(DC) PG-TO252-3
型号:
IDD15E60BUMA2
仓库库存编号:
IDD15E60BUMA2TR-ND
别名:IDD15E60
IDD15E60-ND
SP000077587
规格:反向恢复时间(trr) 87ns,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 29.2A D2PAK
详细描述:标准 表面贴装 二极管 600V 29.2A(DC) PG-TO263-3
型号:
IDB15E60ATMA1
仓库库存编号:
IDB15E60ATMA1-ND
别名:SP000014044
规格:反向恢复时间(trr) 87ns,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO220
详细描述:标准 通孔 二极管 600V 29.2A(DC) PG-TO220-2
型号:
IDP15E60XKSA1
仓库库存编号:
IDP15E60XKSA1-ND
别名:IDP15E60
IDP15E60-ND
SP000683024
规格:反向恢复时间(trr) 87ns,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263
详细描述:标准 表面贴装 二极管 600V 29.2A(DC) PG-TO263-3
型号:
IDB15E60
仓库库存编号:
IDB15E60-ND
别名:SP000278565
规格:反向恢复时间(trr) 87ns,
无铅
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