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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Sanken
DIODE GEN PURP 400V 5A TO220-3
详细描述:标准 通孔 二极管 400V 5A TO-220-3
型号:
FMG-14R
仓库库存编号:
FMG-14R-ND
别名:FMG-14R DK
规格:反向恢复时间(trr) 100ns,
无铅
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Sanken
DIODE GEN PURP 400V 5A TO220-3
详细描述:标准 通孔 二极管 400V 5A TO-220-3
型号:
FMG-14S
仓库库存编号:
FMG-14S-ND
别名:FMG-14S DK
规格:反向恢复时间(trr) 100ns,
无铅
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STMicroelectronics
DIODE GEN PURP 400V 30A TO220AC
详细描述:标准 通孔 二极管 30A TO-220AC
型号:
STTH30R04DY
仓库库存编号:
497-14183-5-ND
别名:497-14183-5
规格:反向恢复时间(trr) 100ns,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 25A 27.2W TO220FL
详细描述:IGBT Trench Through Hole TO-220FL
型号:
RJH60D2DPP-M0#T2
仓库库存编号:
RJH60D2DPP-M0#T2-ND
规格:反向恢复时间(trr) 100ns,
无铅
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Sanken
DIODE ARRAY GP 600V 15A TO3PF
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 15A Through Hole TO-3P-3 Full Pack
型号:
FMN-4306S
仓库库存编号:
FMN-4306S-ND
别名:FMN-4306S DK
规格:反向恢复时间(trr) 100ns,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GP 600V 150A POWERTAB
详细描述:标准 通孔 二极管 150A PowerTab?
型号:
VS-EBU15006-F4
仓库库存编号:
VS-EBU15006-F4-ND
规格:反向恢复时间(trr) 100ns,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 90A 300W TO3P
详细描述:IGBT Trench Through Hole TO-3P
型号:
RJH60D7DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJH60D7DPK-00#T0-ND
规格:反向恢复时间(trr) 100ns,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 60A 150W ISOPLUS247
详细描述:IGBT PT Through Hole ISOPLUS247?
型号:
IXGR48N60B3D1
仓库库存编号:
IXGR48N60B3D1-ND
规格:反向恢复时间(trr) 100ns,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 300W TO247
详细描述:IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH48N60B3D1
仓库库存编号:
IXGH48N60B3D1-ND
规格:反向恢复时间(trr) 100ns,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 90A 300W TO-3P
详细描述:IGBT Trench Through Hole TO-3P
型号:
RJH60D7ADPK-00#T0
仓库库存编号:
RJH60D7ADPK-00#T0-ND
别名:RJH60D7ADPK00T0
规格:反向恢复时间(trr) 100ns,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GP 600V 150A POWERTAB
详细描述:标准 通孔 二极管 150A PowerTab?
型号:
VS-EBU15006HF4
仓库库存编号:
VS-EBU15006HF4-ND
别名:VSEBU15006HF4
规格:反向恢复时间(trr) 100ns,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 300W TO268
详细描述:IGBT PT Surface Mount TO-268
型号:
IXGT30N120B3D1
仓库库存编号:
IXGT30N120B3D1-ND
规格:反向恢复时间(trr) 100ns,
无铅
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IXYS
IGBT 900V 90A 500W TO247
详细描述:IGBT Through Hole TO-247 (IXYH)
型号:
IXYH40N90C3D1
仓库库存编号:
IXYH40N90C3D1-ND
别名:Q7763666
规格:反向恢复时间(trr) 100ns,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 330W TO247
详细描述:IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH56N60B3D1
仓库库存编号:
IXGH56N60B3D1-ND
规格:反向恢复时间(trr) 100ns,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 75A 380W TO247
详细描述:IGBT PT 1200V 75A 380W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH40N120C3D1
仓库库存编号:
IXGH40N120C3D1-ND
规格:反向恢复时间(trr) 100ns,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 75A 380W TO247
详细描述:IGBT PT 1200V 75A 380W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH40N120B2D1
仓库库存编号:
IXGH40N120B2D1-ND
别名:Q3206197
规格:反向恢复时间(trr) 100ns,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 75A 380W TO268
详细描述:IGBT PT 1200V 75A 380W Surface Mount TO-268
型号:
IXGT40N120B2D1
仓库库存编号:
IXGT40N120B2D1-ND
规格:反向恢复时间(trr) 100ns,
无铅
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STMicroelectronics
DIODE MODULE 1KV 30A ISOTOP
详细描述:Diode Array 2 Independent Standard 1000V 30A Chassis Mount ISOTOP
型号:
STTH6110TV1
仓库库存编号:
STTH6110TV1-ND
规格:反向恢复时间(trr) 100ns,
无铅
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STMicroelectronics
DIODE MODULE 400V 100A ISOTOP
详细描述:Diode Array 2 Independent Standard 400V 100A Chassis Mount ISOTOP
型号:
STTH200R04TV1
仓库库存编号:
497-12803-5-ND
别名:497-12803-5
STTH200R04TV1-ND
规格:反向恢复时间(trr) 100ns,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE MODULE 50V 300A 3TOWER
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 50V 300A (DC) Chassis Mount Three Tower
型号:
MURT30005
仓库库存编号:
MURT30005GN-ND
别名:MURT30005GN
规格:反向恢复时间(trr) 100ns,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE MODULE 50V 300A 3TOWER
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 50V 300A (DC) Chassis Mount Three Tower
型号:
MURT30005R
仓库库存编号:
MURT30005RGN-ND
别名:MURT30005RGN
规格:反向恢复时间(trr) 100ns,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE MODULE 100V 300A 3TOWER
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 100V 300A (DC) Chassis Mount Three Tower
型号:
MURT30010
仓库库存编号:
MURT30010GN-ND
别名:MURT30010GN
规格:反向恢复时间(trr) 100ns,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE MODULE 100V 300A 3TOWER
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 100V 300A (DC) Chassis Mount Three Tower
型号:
MURT30010R
仓库库存编号:
MURT30010RGN-ND
别名:MURT30010RGN
规格:反向恢复时间(trr) 100ns,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE MODULE 200V 300A 3TOWER
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 200V 300A (DC) Chassis Mount Three Tower
型号:
MURT30020
仓库库存编号:
MURT30020GN-ND
别名:MURT30020GN
规格:反向恢复时间(trr) 100ns,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE MODULE 200V 300A 3TOWER
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 200V 300A (DC) Chassis Mount Three Tower
型号:
MURT30020R
仓库库存编号:
MURT30020RGN-ND
别名:MURT30020RGN
规格:反向恢复时间(trr) 100ns,
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