规格：反向恢复时间（trr） 200ns,
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE RECT 200V 10A D2PAK
详细描述：标准 表面贴装 二极管 10A D2PAK
型号：
VS-10ETF02STRLPBF
仓库库存编号：
VS-10ETF02STRLPBF-ND
别名：VS10ETF02STRLPBF
规格：反向恢复时间（trr） 200ns,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE FAST RECOVERY 8A DPAK
详细描述：标准 表面贴装 二极管 8A D-PAK（TO-252AA）
型号：
VS-8EWF02STRL-M3
仓库库存编号：
VS-8EWF02STRL-M3-ND
别名：VS8EWF02STRLM3
规格：反向恢复时间（trr） 200ns,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE FAST RECOVERY 8A DPAK
详细描述：标准 表面贴装 二极管 8A D-PAK（TO-252AA）
型号：
VS-8EWF04STRR-M3
仓库库存编号：
VS-8EWF04STRR-M3-ND
别名：VS8EWF04STRRM3
规格：反向恢复时间（trr） 200ns,
无铅
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IXYS
DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC
详细描述：标准 通孔 二极管 10A TO-220AC
型号：
DHG10I1200PA
仓库库存编号：
DHG10I1200PA-ND
规格：反向恢复时间（trr） 200ns,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE RECT 600V 10A D2PAK
详细描述：标准 表面贴装 二极管 10A TO-263AB（D2PAK）
型号：
VS-10ETF06STRLPBF
仓库库存编号：
VS-10ETF06STRLPBF-ND
别名：VS10ETF06STRLPBF
规格：反向恢复时间（trr） 200ns,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE RECT 600V 10A D2PAK
详细描述：标准 表面贴装 二极管 10A TO-263AB（D2PAK）
型号：
VS-10ETF06STRRPBF
仓库库存编号：
VS-10ETF06STRRPBF-ND
别名：VS10ETF06STRRPBF
规格：反向恢复时间（trr） 200ns,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 10A TO220AC
详细描述：标准 通孔 二极管 10A TO-220AC
型号：
VS-10ETF02-M3
仓库库存编号：
VS-10ETF02-M3-ND
别名：VS10ETF02M3
规格：反向恢复时间（trr） 200ns,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE RECT 600V 10A TO-220
详细描述：标准 通孔 二极管 10A TO-220AC
型号：
VS-10ETF06-M3
仓库库存编号：
VS-10ETF06-M3-ND
别名：VS10ETF06M3
规格：反向恢复时间（trr） 200ns,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE RECT 200V 10A D2PAK
详细描述：标准 表面贴装 二极管 10A D2PAK
型号：
VS-10ETF02STRRPBF
仓库库存编号：
VS-10ETF02STRRPBF-ND
别名：VS10ETF02STRRPBF
规格：反向恢复时间（trr） 200ns,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE RECT 400V 10A D2PAK
详细描述：标准 表面贴装 二极管 10A TO-263AB（D2PAK）
型号：
VS-10ETF04STRLPBF
仓库库存编号：
VS-10ETF04STRLPBF-ND
别名：VS10ETF04STRLPBF
规格：反向恢复时间（trr） 200ns,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE RECT 400V 10A D2PAK
详细描述：标准 表面贴装 二极管 10A TO-263AB（D2PAK）
型号：
VS-10ETF04STRRPBF
仓库库存编号：
VS-10ETF04STRRPBF-ND
别名：VS10ETF04STRRPBF
规格：反向恢复时间（trr） 200ns,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE RECT 200V 10A TO-220FP
详细描述：标准 通孔 二极管 10A TO-220FP
型号：
VS-10ETF02FP-M3
仓库库存编号：
VS-10ETF02FP-M3-ND
别名：VS10ETF02FPM3
规格：反向恢复时间（trr） 200ns,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE RECT 600V 10A TO-220FP
详细描述：标准 通孔 二极管 10A TO-220FP
型号：
VS-10ETF06FP-M3
仓库库存编号：
VS-10ETF06FP-M3-ND
别名：VS10ETF06FPM3
规格：反向恢复时间（trr） 200ns,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE RECT 400V 10A TO-220FP
详细描述：标准 通孔 二极管 10A TO-220FP
型号：
VS-10ETF04FP-M3
仓库库存编号：
VS-10ETF04FP-M3-ND
别名：VS10ETF04FPM3
规格：反向恢复时间（trr） 200ns,
无铅
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IXYS
DIODE ARRAY GP 1200V 10A TO220AB
详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 10A Through Hole TO-220-3
型号：
DHG20C1200PB
仓库库存编号：
DHG20C1200PB-ND
规格：反向恢复时间（trr） 200ns,
无铅
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Global Power Technologies Group
IGBT 1200V 80A 480W TO3PN
详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-3PN
型号：
GPA040A120MN-FD
仓库库存编号：
1560-1224-5-ND
别名：1560-1224-1
1560-1224-1-ND
规格：反向恢复时间（trr） 200ns,
无铅
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Semtech Corporation
DIODE GEN PURP 12KV 3MA AXIAL
详细描述：标准 二极管 3mA
型号：
PF140
仓库库存编号：
PF140-ND
规格：反向恢复时间（trr） 200ns,
无铅
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IXYS
DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO247
详细描述：标准 通孔 二极管 20A TO-247（HA）
型号：
DHG20I1200HA
仓库库存编号：
DHG20I1200HA-ND
规格：反向恢复时间（trr） 200ns,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 12A DO203AA
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 12A DO-203AA
型号：
VS-12FL10S02
仓库库存编号：
12FL10S02-ND
别名：*12FL10S02
12FL10S02
VS-12FL10S02-ND
VS12FL10S02
VS12FL10S02-ND
规格：反向恢复时间（trr） 200ns,
无铅
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Semtech Corporation
DIODE GEN PURP 16KV 3MA AXIAL
详细描述：标准 二极管 3mA
型号：
PF170
仓库库存编号：
PF170S-ND
别名：PF170S
规格：反向恢复时间（trr） 200ns,
无铅
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IXYS
DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247
详细描述：标准 通孔 二极管 30A TO-247（HA）
型号：
DHG30I1200HA
仓库库存编号：
DHG30I1200HA-ND
规格：反向恢复时间（trr） 200ns,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 16A DO203AA
详细描述：标准型， 反极性 底座，接线柱安装 二极管 16A DO-203AA
型号：
VS-16FLR20S02
仓库库存编号：
VS-16FLR20S02-ND
别名：*16FLR20S02
16FLR20S02
16FLR20S02-ND
规格：反向恢复时间（trr） 200ns,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4
详细描述：标准型， 反极性 底座，接线柱安装 二极管 12A DO-4
型号：
FR12DR02
仓库库存编号：
FR12DR02GN-ND
别名：FR12DR02GN
规格：反向恢复时间（trr） 200ns,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4
详细描述：标准型， 反极性 底座，接线柱安装 二极管 12A DO-4
型号：
1N3891R
仓库库存编号：
1N3891RGN-ND
别名：1N3891RGN
规格：反向恢复时间（trr） 200ns,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP 100V 12A DO4
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 12A DO-4
型号：
1N3890
仓库库存编号：
1N3890GN-ND
别名：1N3890GN
规格：反向恢复时间（trr） 200ns,
无铅
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