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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 6A D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：VS-6EWL06FNTR-M3
  仓库库存编号：VS-6EWL06FNTR-M3CT-ND
  别名：VS-6EWL06FNTR-M3CT
  
  规格：反向恢复时间（trr） 154ns,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 6A D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：VS-6EWL06FN-M3
  仓库库存编号：VS-6EWL06FN-M3GI-ND
  别名：VS-6EWL06FN-M3GI
  
  规格：反向恢复时间（trr） 154ns,
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• ON Semiconductor
  IGBT 25A 1200V TO-247
  详细描述：IGBT Trench 1200V 50A 385W Through Hole TO-247-3
  
  型号：NGTB25N120SWG
  仓库库存编号：NGTB25N120SWGOS-ND
  别名：NGTB25N120SWGOS
  
  规格：反向恢复时间（trr） 154ns,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  IGBT 1200V 25A TO247-3
  详细描述：IGBT Field Stop Through Hole TO-247-3
  
  型号：NGTB25N120FL2WG
  仓库库存编号：NGTB25N120FL2WG-ND
  
  规格：反向恢复时间（trr） 154ns,
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• Infineon Technologies
  DIODE GEN PURP 1.2KV 10A DIE
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 1200V 10A 模具
  
  型号：IRD3CH9DB6
  仓库库存编号：IRD3CH9DB6-ND
  别名：SP001544374
  
  规格：反向恢复时间（trr） 154ns,
• 无铅
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