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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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STMicroelectronics
DIODE GEN PURP 1.2KV 3A DPAK
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1200V 3A D-Pak
型号:
STTA312B
仓库库存编号:
STTA312B-ND
规格:反向恢复时间(trr) 115ns,
无铅
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STMicroelectronics
DIODE MODULE 1.2KV 45A ISOTOP
详细描述:Diode Array 2 Independent Standard 1200V 45A Chassis Mount ISOTOP
型号:
STTA9012TV1
仓库库存编号:
STTA9012TV1-ND
规格:反向恢复时间(trr) 115ns,
无铅
搜索
STMicroelectronics
DIODE MODULE 1.2KV 30A ISOTOP
详细描述:Diode Array 2 Independent Standard 1200V 30A Chassis Mount ISOTOP
型号:
STTH6112TV2
仓库库存编号:
497-8814-5-ND
别名:497-8814-5
STTH6112TV2-ND
规格:反向恢复时间(trr) 115ns,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 11.2A TO220
详细描述:标准 通孔 二极管 1200V 11.2A(DC) PG-TO220-2
型号:
IDP04E120
仓库库存编号:
IDP04E120-ND
别名:IDP04E120XKSA1
SP000683018
规格:反向恢复时间(trr) 115ns,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 16A 138W TO220-3
详细描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 16A 138W Through Hole PG-TO220-3
型号:
IHP10T120
仓库库存编号:
IHP10T120-ND
别名:SP000683048
规格:反向恢复时间(trr) 115ns,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 96A 330W TO247AD
详细描述:IGBT Trench 600V 96A 330W Through Hole TO-247AD
型号:
IRGP4063D-EPBF
仓库库存编号:
IRGP4063D-EPBF-ND
别名:SP001541796
规格:反向恢复时间(trr) 115ns,
无铅
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