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• Infineon Technologies
  DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 50A（DC） PG-TO263-3
  
  型号：IDB30E120ATMA1
  仓库库存编号：IDB30E120ATMA1CT-ND
  别名：IDB30E120ATMA1CT
  
  规格：电流 - 平均整流（Io） 50A（DC）,
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• Infineon Technologies
  DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO220-2
  详细描述：标准 通孔 二极管 50A（DC） PG-TO220-2
  
  型号：IDP30E120XKSA1
  仓库库存编号：IDP30E120XKSA1-ND
  别名：IDP30E120
  IDP30E120-ND
  SP000683030
  
  规格：电流 - 平均整流（Io） 50A（DC）,
• 无铅
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• Global Power Technologies Group
  DIODE SCHOTTKY 600V 50A TO247-2
  详细描述：碳化硅肖特基 通孔 二极管 50A（DC） TO-247-2
  
  型号：GP2D050A060B
  仓库库存编号：1560-1002-5-ND
  别名：1560-1002
  1560-1002-ND
  
  规格：电流 - 平均整流（Io） 50A（DC）,
• 无铅
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• Global Power Technologies Group
  DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247-2
  详细描述：碳化硅肖特基 通孔 二极管 50A（DC） TO-247-2
  
  型号：GP2D050A120B
  仓库库存编号：1560-1003-5-ND
  别名：1560-1003
  1560-1003-ND
  
  规格：电流 - 平均整流（Io） 50A（DC）,
• 无铅
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• Global Power Technologies Group
  SIC SCHOTTKY RECTIFIER
  详细描述：碳化硅肖特基 通孔 二极管 1200V 50A（DC） TO-220-2
  
  型号：GP2D015A120A
  仓库库存编号：GP2D015A120A-ND
  
  规格：电流 - 平均整流（Io） 50A（DC）,
• 无铅
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• Global Power Technologies Group
  DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247-2
  详细描述：碳化硅肖特基 通孔 二极管 1200V 50A（DC） TO-247-2
  
  型号：GDP50P120B
  仓库库存编号：1560-1028-5-ND
  别名：1560-1028-5
  
  规格：电流 - 平均整流（Io） 50A（DC）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  DIODE GEN PURP 600V 50A WAFER
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 50A（DC） 带箔切割晶片
  
  型号：SIDC14D60C6
  仓库库存编号：SIDC14D60C6-ND
  别名：SP000015066
  
  规格：电流 - 平均整流（Io） 50A（DC）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  DIODE GEN PURP 600V 50A WAFER
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 50A（DC） 带箔切割晶片
  
  型号：SIDC14D60C6Y
  仓库库存编号：SIDC14D60C6Y-ND
  别名：SP000095897
  
  规格：电流 - 平均整流（Io） 50A（DC）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  DIODE GEN PURP 600V 50A WAFER
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 50A（DC） 带箔切割晶片
  
  型号：SIDC23D60E6
  仓库库存编号：SIDC23D60E6-ND
  别名：SP000011944
  
  规格：电流 - 平均整流（Io） 50A（DC）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  DIODE GEN PURP 600V 50A WAFER
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 50A（DC） 带箔切割晶片
  
  型号：SIDC23D60E6Y
  仓库库存编号：SIDC23D60E6Y-ND
  别名：SP000011945
  
  规格：电流 - 平均整流（Io） 50A（DC）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 1200V 50A（DC） 带箔切割晶片
  
  型号：SIDC30D120H6
  仓库库存编号：SIDC30D120H6-ND
  别名：SP000013211
  
  规格：电流 - 平均整流（Io） 50A（DC）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  DIODE GEN PURP 1.7KV 50A WAFER
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 1700V 50A（DC） 带箔切割晶片
  
  型号：SIDC32D170H
  仓库库存编号：SIDC32D170H-ND
  别名：SP000013977
  
  规格：电流 - 平均整流（Io） 50A（DC）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 1200V 50A（DC） 带箔切割晶片
  
  型号：SIDC42D120E6
  仓库库存编号：SIDC42D120E6-ND
  别名：SP000011948
  
  规格：电流 - 平均整流（Io） 50A（DC）,
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• Infineon Technologies
  DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 1200V 50A（DC） 带箔切割晶片
  
  型号：SIDC42D120F6
  仓库库存编号：SIDC42D120F6-ND
  别名：SP000014012
  
  规格：电流 - 平均整流（Io） 50A（DC）,
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• Infineon Technologies
  DIODE GEN PURP 1.7KV 50A WAFER
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 1700V 50A（DC） 带箔切割晶片
  
  型号：SIDC42D170E6
  仓库库存编号：SIDC42D170E6-ND
  别名：SP000013058
  
  规格：电流 - 平均整流（Io） 50A（DC）,
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