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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 600V 100A TO247
详细描述:标准 通孔 二极管 600V 100A TO-247
型号:
APT100DL60BG
仓库库存编号:
APT100DL60BG-ND
规格:不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1.6V @ 100A,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 100A TO218
详细描述:标准 通孔 二极管 600V 100A TO-218
型号:
RURU10060
仓库库存编号:
RURU10060-ND
规格:不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1.6V @ 100A,
含铅
搜索
STMicroelectronics
DIODE MODULE 400V 100A ISOTOP
详细描述:Diode Array 2 Independent Standard 400V 100A Chassis Mount ISOTOP
型号:
BYT200PIV-400
仓库库存编号:
BYT200PIV-400-ND
规格:不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1.6V @ 100A,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE BRIDGE 1600V 30A M1
详细描述:Bridge Rectifier Three Phase 1600V 30A QC Terminal MSD
型号:
MSD30-16
仓库库存编号:
MSD30-16-ND
别名:MSD30-16MP
MSD30-16MP-ND
规格:不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1.6V @ 100A,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE BRIDGE 3PH 800V 30A SM1
详细描述:Bridge Rectifier Three Phase 800V 30A QC Terminal MSD
型号:
MSD30-08
仓库库存编号:
MSD30-08-ND
别名:MSD3008
规格:不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1.6V @ 100A,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE BRIDGE 3PH 1200V 30A SM1
详细描述:Bridge Rectifier Three Phase 1200V 30A QC Terminal MSD
型号:
MSD30-12
仓库库存编号:
MSD30-12-ND
别名:MSD3012
规格:不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1.6V @ 100A,
无铅
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Microsemi Corporation
MOD BRIDGE 3PH 1800V 30A M1
详细描述:Bridge Rectifier Three Phase 1800V 30A Chassis Mount
型号:
MSD30-18
仓库库存编号:
MSD30-18-ND
规格:不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1.6V @ 100A,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1200V 100A(DC) 带箔切割晶片
型号:
SIDC53D120H6
仓库库存编号:
SIDC53D120H6-ND
别名:SP000013219
规格:不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1.6V @ 100A,
含铅
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