规格：工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 1KV 300A DO205
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 300A DO-205AB，DO-9
型号：
JAN1N3174
仓库库存编号：
1086-15197-ND
别名：1086-15197-MIL
规格：工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 200V 300A DO205AB
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 300A DO-205AB，DO-9
型号：
JANTX1N3164
仓库库存编号：
1086-15297-ND
别名：1086-15297-MIL
规格：工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
含铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 12A DO-203AA
型号：
VS-1N1202RA
仓库库存编号：
VS-1N1202RAGI-ND
别名：*1N1202RA
1N1202RA
1N1202RA-ND
VS-1N1202RA-ND
VS-1N1202RAGI
规格：工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 200V 1A D5A
详细描述：标准 表面贴装 二极管 1A D-5A
型号：
JAN1N5614US
仓库库存编号：
1086-2102-ND
别名：1086-2102
1086-2102-MIL
规格：工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
DIODE FAST REC 200V 1A D-5A
详细描述：标准 表面贴装 二极管 1A D-5A
型号：
JAN1N5615US
仓库库存编号：
1086-15221-ND
别名：1086-15221-MIL
规格：工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
详细描述：标准 通孔 二极管 1A
型号：
JANTXV1N5618
仓库库存编号：
1086-2829-ND
别名：1086-2829
1086-2829-MIL
规格：工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
含铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 12A DO-203AA
型号：
VS-1N1202A
仓库库存编号：
VS-1N1202A-ND
别名：*1N1202A
1N1202A
1N1202A-ND
规格：工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, SWITCHING & ARRAY, 0.2A,
详细描述：标准 表面贴装 二极管 200mA 迷你型 MELF
型号：
BAV101 L0G
仓库库存编号：
BAV101 L0G-ND
规格：工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, SWITCHING & ARRAY, 0.2A,
详细描述：标准 表面贴装 二极管 200mA 迷你型 MELF
型号：
BAV103 L0G
仓库库存编号：
BAV103 L0G-ND
规格：工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, SWITCHING & ARRAY, 0.2A,
详细描述：标准 表面贴装 二极管 200mA 迷你型 MELF
型号：
BAV101 L1G
仓库库存编号：
BAV101 L1G-ND
规格：工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, SWITCHING & ARRAY, 0.2A,
详细描述：标准 表面贴装 二极管 200mA 迷你型 MELF
型号：
BAV103 L1G
仓库库存编号：
BAV103 L1G-ND
规格：工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
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Central Semiconductor Corp
DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35
详细描述：标准 通孔 二极管 150mA DO-35
型号：
1N4454 BK
仓库库存编号：
1N4454 BK-ND
规格：工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
搜索
Central Semiconductor Corp
DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
详细描述：标准 通孔 二极管 200mA DO-35
型号：
CDH333 BK
仓库库存编号：
CDH333 BK-ND
规格：工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
搜索
Central Semiconductor Corp
DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
详细描述：标准 通孔 二极管 200mA DO-35
型号：
CDH333 TR
仓库库存编号：
CDH333 TR-ND
规格：工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
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Diodes Incorporated
DIODE ARRAY SBR 150V 10A ITO220
详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Super Barrier 10A Through Hole TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
型号：
SBR20M150CTFP
仓库库存编号：
SBR20M150CTFPDI-ND
别名：SBR20M150CTFP-ND
SBR20M150CTFPDI
规格：工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4
详细描述：标准型， 反极性 底座，接线柱安装 二极管 12A DO-4
型号：
1N1200AR
仓库库存编号：
1242-1011-ND
别名：1242-1011
规格：工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4
详细描述：标准型， 反极性 底座，接线柱安装 二极管 12A DO-4
型号：
1N1204AR
仓库库存编号：
1242-1064-ND
别名：1242-1064
规格：工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 12A DO-203AA
型号：
VS-1N1204RA
仓库库存编号：
1N1204RA-ND
别名：*1N1204RA
1N1204RA
VS-1N1204RA-ND
VS1N1204RA
VS1N1204RA-ND
规格：工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP 50V 12A DO4
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 12A DO-4
型号：
1N1199A
仓库库存编号：
1242-1029-ND
别名：1242-1029
规格：工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP REV 50V 12A DO4
详细描述：标准型， 反极性 底座，接线柱安装 二极管 12A DO-4
型号：
1N1199AR
仓库库存编号：
1242-1028-ND
别名：1242-1028
规格：工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 12A DO203AA
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 12A DO-203AA
型号：
VS-1N1203RA
仓库库存编号：
VS-1N1203RA-ND
别名：*1N1203RA
1N1203RA
1N1203RA-ND
规格：工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
搜索
GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP 400V 12A DO4
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 12A DO-4
型号：
1N1204A
仓库库存编号：
1242-1026-ND
别名：1242-1026
规格：工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 12A DO203AA
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 12A DO-203AA
型号：
VS-1N1199RA
仓库库存编号：
1N1199RA-ND
别名：*1N1199RA
1N1199RA
VS-1N1199RA-ND
VS1N1199RA
VS1N1199RA-ND
规格：工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 12A DO203AA
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 12A DO-203AA
型号：
VS-1N1201RA
仓库库存编号：
VS-1N1201RA-ND
别名：*1N1201RA
1N1201RA
1N1201RA-ND
规格：工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 500V 12A DO203AA
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 12A DO-203AA
型号：
VS-1N1205A
仓库库存编号：
VS-1N1205A-ND
别名：*1N1205A
1N1205A
1N1205A-ND
规格：工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
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