规格:电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 1200V,
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE RECTIFIER 1200V 8A DPAK
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1200V 8A TO-252,(D-Pak)
型号:
VS-8EWS12SPBF
仓库库存编号:
VS-8EWS12SPBF-ND
别名:VS8EWS12SPBF
规格:电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 1200V,
无铅
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Powerex Inc.
DIODE MODULE 1.2KV 100A
详细描述:Diode Array 2 Independent Silicon Carbide Schottky 1200V 100A (DC) Chassis Mount Module
型号:
QRD1210004
仓库库存编号:
QRD1210004-ND
规格:电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 1200V,
无铅
搜索
Powerex Inc.
DIODE MODULE 1.2KV 100A
详细描述:Diode Array 2 Independent Silicon Carbide Schottky 1200V 100A (DC) Chassis Mount Module
型号:
QRD1210005
仓库库存编号:
QRD1210005-ND
规格:电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 1200V,
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
DIODE SCHOTT 1.2KV 60A TO247-2
详细描述:碳化硅肖特基 通孔 二极管 1200V 60A(DC) TO-247-2
型号:
GDP60P120B
仓库库存编号:
1560-1000-5-ND
别名:1560-1000
1560-1000-5
1560-1000-ND
规格:电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 1200V,
无铅
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Global Power Technologies Group
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 8A TO220-2
详细描述:碳化硅肖特基 通孔 二极管 1200V 8A TO-220-2
型号:
GDP08S120A
仓库库存编号:
1560-1016-5-ND
别名:1560-1016-5
规格:电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 1200V,
无铅
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Global Power Technologies Group
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 15A TO220-2
详细描述:碳化硅肖特基 通孔 二极管 1200V 15A(DC) TO-220-2
型号:
GDP15S120A
仓库库存编号:
1560-1019-5-ND
别名:1560-1019-5
规格:电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 1200V,
无铅
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Global Power Technologies Group
DIODE SCHOTTKY 1200V 15A TO247-2
详细描述:碳化硅肖特基 通孔 二极管 1200V 15A(DC) TO-247-2
型号:
GDP15S120B
仓库库存编号:
1560-1020-5-ND
别名:1560-1020-5
规格:电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 1200V,
无铅
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Global Power Technologies Group
DIODE SCHOTTKY 1200V 15A TO247-3
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Anode Silicon Carbide Schottky 1200V 15A (DC) Through Hole TO-247-3
型号:
GDP30D120B
仓库库存编号:
1560-1023-5-ND
别名:1560-1023-5
规格:电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 1200V,
无铅
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Global Power Technologies Group
DIODE SCHOTTKY 1200V 81A TO247-2
详细描述:碳化硅肖特基 通孔 二极管 1200V 81A TO-247-2
型号:
GDP30P120B
仓库库存编号:
1560-1024-5-ND
别名:1560-1024-5
规格:电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 1200V,
无铅
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Global Power Technologies Group
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 30A TO247-2
详细描述:碳化硅肖特基 通孔 二极管 1200V 30A(DC) TO-247-2
型号:
GDP30S120B
仓库库存编号:
1560-1025-5-ND
别名:1560-1025-5
规格:电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 1200V,
无铅
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Global Power Technologies Group
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247-2
详细描述:碳化硅肖特基 通孔 二极管 1200V 50A(DC) TO-247-2
型号:
GDP50P120B
仓库库存编号:
1560-1028-5-ND
别名:1560-1028-5
规格:电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 1200V,
无铅
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Global Power Technologies Group
DIODE SCHOTTKY 1200V 30A TO247-3
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Anode Silicon Carbide Schottky 1200V 30A Through Hole TO-247-3
型号:
GDP60D120B
仓库库存编号:
1560-1029-5-ND
别名:1560-1029-5
规格:电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 1200V,
无铅
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Global Power Technologies Group
DIODE SCHOTTKY 1200V 30A TO247-3
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Anode Silicon Carbide Schottky 1200V 30A Through Hole TO-247-3
型号:
GDP60Y120B
仓库库存编号:
1560-1030-5-ND
别名:1560-1030-5
规格:电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 1200V,
无铅
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Global Power Technologies Group
DIODE SCHOTT 1.2KV 60A TO247-2
详细描述:碳化硅肖特基 通孔 二极管 1200V 60A(DC) TO-247-2
型号:
GDP60Z120E
仓库库存编号:
1560-1031-5-ND
别名:1560-1031-5
规格:电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 1200V,
无铅
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Powerex Inc.
DIODE GEN PURP 1.2KV 140A
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 1200V 140A (DC) Chassis Mount Module
型号:
QRC1220R30
仓库库存编号:
QRC1220R30-ND
别名:Q10612894
规格:电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 1200V,
无铅
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Powerex Inc.
DIODE GEN PURP 1.2KV 140A
详细描述:Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 1200V 140A (DC) Chassis Mount Module
型号:
QRD1220R30
仓库库存编号:
QRD1220R30-ND
规格:电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 1200V,
无铅
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Powerex Inc.
DIODE GEN PURP 1.2KV 140A
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 1200V 140A (DC) Chassis Mount Module
型号:
QRF1220R30
仓库库存编号:
QRF1220R30-ND
规格:电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 1200V,
无铅
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Powerex Inc.
DIODE GEN PURP 1.2KV 210A
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 1200V 210A (DC) Chassis Mount Module
型号:
QRC1230R30
仓库库存编号:
QRC1230R30-ND
规格:电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 1200V,
无铅
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Powerex Inc.
DIODE GEN PURP 1.2KV 210A
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 1200V 210A (DC) Chassis Mount Module
型号:
QRF1230R30
仓库库存编号:
QRF1230R30-ND
规格:电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 1200V,
无铅
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Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 1.2KV 500MA SMAE
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1200V 500mA DO-214AC(SMAE)
型号:
RM1200E-TP
仓库库存编号:
RM1200E-TP-ND
规格:电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 1200V,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 600MA WAFER
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1200V 600mA(DC) 带箔切割晶片
型号:
SIDC01D120H6
仓库库存编号:
SIDC01D120H6-ND
别名:SP000013831
规格:电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 1200V,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 2A WAFER
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1200V 2A(DC) 带箔切割晶片
型号:
SIDC03D120F6
仓库库存编号:
SIDC03D120F6-ND
别名:SP000013476
规格:电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 1200V,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 3A WAFER
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1200V 3A(DC) 带箔切割晶片
型号:
SIDC03D120H6
仓库库存编号:
SIDC03D120H6-ND
别名:SP000013218
规格:电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 1200V,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 5A WAFER
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1200V 5A(DC) 带箔切割晶片
型号:
SIDC06D120E6
仓库库存编号:
SIDC06D120E6-ND
别名:SP000011938
规格:电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 1200V,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 5A WAFER
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1200V 5A(DC) 带箔切割晶片
型号:
SIDC06D120F6
仓库库存编号:
SIDC06D120F6-ND
别名:SP000014015
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