规格:电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 1100V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 1.1KV 1A A-MELF
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1A A-MELF
型号:
1N6625US
仓库库存编号:
1N6625US-ND
规格:电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 1100V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL
详细描述:标准 通孔 二极管 1A A,轴向
型号:
1N6625E3
仓库库存编号:
1N6625E3-ND
规格:电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 1100V,
无铅
搜索
Bourns Inc.
DIODE GEN PURP 1.1KV 1A DO214AC
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1A DO-214AC(SMA)
型号:
CD214A-R11100
仓库库存编号:
CD214A-R11100-ND
规格:电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 1100V,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.1KV 1A DO204AL
详细描述:标准 通孔 二极管 1A DO-204AL(DO-41)
型号:
GP10N-E3/54
仓库库存编号:
GP10N-E3/54-ND
规格:电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 1100V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL
详细描述:标准 通孔 二极管 1100V 1A
型号:
1N6625
仓库库存编号:
1N6625-ND
规格:电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 1100V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1100V 1A D-5A
型号:
JAN1N6625US
仓库库存编号:
1086-19977-ND
别名:1086-19977
1086-19977-MIL
规格:电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 1100V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A A-MELF
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1100V 1.4A A-MELF
型号:
1N6631US
仓库库存编号:
1N6631US-ND
规格:电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 1100V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1100V 1.4A D-5B
型号:
JAN1N6631US
仓库库存编号:
1086-20001-ND
别名:1086-20001
1086-20001-MIL
规格:电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 1100V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL
详细描述:标准 通孔 二极管 1100V 1A
型号:
JANTX1N6625
仓库库存编号:
1086-2655-ND
别名:1086-2655
1086-2655-MIL
规格:电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 1100V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1100V 1.4A D-5B
型号:
JANTX1N6631US
仓库库存编号:
1086-20002-ND
别名:1086-20002
1086-20002-MIL
规格:电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 1100V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1100V 1.4A D-5B
型号:
JANTXV1N6631US
仓库库存编号:
1086-20003-ND
别名:1086-20003
1086-20003-MIL
规格:电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 1100V,
含铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.1KV 1A DO204AL
详细描述:标准 通孔 二极管 1100V 1A DO-204AL(DO-41)
型号:
GP10NHE3/54
仓库库存编号:
GP10NHE3/54-ND
规格:电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 1100V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A AXIAL
详细描述:标准 通孔 二极管 1100V 1.4A
型号:
JAN1N6631
仓库库存编号:
1086-2308-ND
别名:1086-2308
1086-2308-MIL
规格:电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 1100V,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1100V 1A D-5A
型号:
JANTX1N6625US
仓库库存编号:
1086-2656-ND
别名:1086-2656
1086-2656-MIL
规格:电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 1100V,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A
详细描述:标准 通孔 二极管 1100V 1A A-PAK
型号:
JANTXV1N6625
仓库库存编号:
1086-3029-ND
别名:1086-3029
1086-3029-MIL
规格:电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 1100V,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1100V 1A D-5A
型号:
JANTXV1N6625US
仓库库存编号:
1086-3030-ND
别名:1086-3030
1086-3030-MIL
规格:电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 1100V,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A AXIAL
详细描述:标准 通孔 二极管 1100V 1.4A
型号:
1N6631
仓库库存编号:
1N6631-ND
规格:电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 1100V,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B
详细描述:标准 通孔 二极管 1100V 1.4A E-PAK
型号:
JANTXV1N6631
仓库库存编号:
1086-19998-ND
别名:1086-19998
1086-19998-MIL
规格:电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 1100V,
含铅
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