规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 40 @ 50mA,5V,
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 300MW SOT23-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 100MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号:
BCR503E6327HTSA1
仓库库存编号:
BCR503E6327HTSA1CT-ND
别名:BCR503E6327INCT
BCR503E6327INCT-ND
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 40 @ 50mA,5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount TO-236AB (SOT23)
型号:
PDTD123ET,215
仓库库存编号:
1727-5141-1-ND
别名:1727-5141-1
568-6440-1
568-6440-1-ND
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 40 @ 50mA,5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount TO-236AB (SOT23)
型号:
PDTB123ET,215
仓库库存编号:
1727-1702-1-ND
别名:1727-1702-1
568-11242-1
568-11242-1-ND
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 40 @ 50mA,5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount TO-236AB (SOT23)
型号:
PDTB123ET,215
仓库库存编号:
1727-1702-6-ND
别名:1727-1702-6
568-11242-6
568-11242-6-ND
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 40 @ 50mA,5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 3DFN
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 150MHz 325mW Surface Mount DFN1010D-3
型号:
PDTB123EQAZ
仓库库存编号:
PDTB123EQAZ-ND
别名:934069264147
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 40 @ 50mA,5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 3DFN
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 210MHz 325mW Surface Mount DFN1010D-3
型号:
PDTD123EQAZ
仓库库存编号:
PDTD123EQAZ-ND
别名:934069265147
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 40 @ 50mA,5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 0.425W
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 140MHz 300mW Surface Mount SOT-323-3
型号:
PDTB123EUF
仓库库存编号:
PDTB123EUF-ND
别名:934068335135
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 40 @ 50mA,5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 0.425W
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 225MHz 300mW Surface Mount SOT-323-3
型号:
PDTD123EUF
仓库库存编号:
PDTD123EUF-ND
别名:934068332135
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 40 @ 50mA,5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 0.425W
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 140MHz 300mW Surface Mount SOT-323-3
型号:
PDTB123EUX
仓库库存编号:
PDTB123EUX-ND
别名:934068335115
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 40 @ 50mA,5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 0.425W
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 225MHz 300mW Surface Mount SOT-323-3
型号:
PDTD123EUX
仓库库存编号:
PDTD123EUX-ND
别名:934068332115
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 40 @ 50mA,5V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 300MW SOT23-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 150MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号:
BCR553E6327HTSA1
仓库库存编号:
BCR553E6327HTSA1TR-ND
别名:BCR 553 E6327
BCR 553 E6327-ND
BCR553E6327XT
SP000010854
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 40 @ 50mA,5V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS NPN 10V 8GHZ SC73
详细描述:RF Transistor NPN 10V 100mA 8GHz 1W Surface Mount SOT-223
型号:
BFG198,115
仓库库存编号:
568-8478-1-ND
别名:568-8478-1
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 40 @ 50mA,5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
TRANS PNP 100V 0.2A TO-92
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 200mA 60MHz 625mW Through Hole TO-92-3
型号:
MPSL51
仓库库存编号:
MPSL51-ND
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 40 @ 50mA,5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
TRANS PNP 100V 0.2A TO-92
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 200mA 60MHz 625mW Through Hole TO-92-3
型号:
MPSL51_D26Z
仓库库存编号:
MPSL51_D26Z-ND
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 40 @ 50mA,5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
TRANS PNP 100V 0.2A TO-92
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 200mA 60MHz 625mW Through Hole TO-92-3
型号:
MPSL51_D27Z
仓库库存编号:
MPSL51_D27Z-ND
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 40 @ 50mA,5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
TRANS PNP 100V 0.2A TO-92
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 200mA 60MHz 625mW Through Hole TO-92-3
型号:
MPSL51_D75Z
仓库库存编号:
MPSL51_D75Z-ND
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 40 @ 50mA,5V,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS RF BIPO 1W 200MA TO39
详细描述:RF Transistor NPN 17V 200mA 3GHz 1W Through Hole TO-39
型号:
MRF586
仓库库存编号:
MRF586-ND
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 40 @ 50mA,5V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTB123ES,126
仓库库存编号:
PDTB123ES,126-ND
别名:934059142126
PDTB123ES AMO
PDTB123ES AMO-ND
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 40 @ 50mA,5V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTD123ES,126
仓库库存编号:
PDTD123ES,126-ND
别名:934059143126
PDTD123ES AMO
PDTD123ES AMO-ND
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 40 @ 50mA,5V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号:
PDTD123EK,115
仓库库存编号:
PDTD123EK,115-ND
别名:934058967115
PDTD123EK T/R
PDTD123EK T/R-ND
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 40 @ 50mA,5V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 300MW SOT23-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 100MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号:
BCR 503 B6327
仓库库存编号:
BCR 503 B6327-ND
别名:BCR503B6327XT
SP000056345
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 40 @ 50mA,5V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号:
PDTB123EK,115
仓库库存编号:
PDTB123EK,115-ND
别名:934058966115
PDTB123EK T/R
PDTB123EK T/R-ND
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 40 @ 50mA,5V,
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP SOT23
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 100MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号:
BCR503E6393HTSA1
仓库库存编号:
BCR503E6393HTSA1-ND
别名:SP000010840
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 40 @ 50mA,5V,
无铅
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