规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 1000 @ 350mA,2V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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STMicroelectronics
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Surface Mount 16-SO
型号:
E-ULQ2003D1
仓库库存编号:
497-4610-5-ND
别名:497-4610-5
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 1000 @ 350mA,2V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA 1.47W Through Hole 18-DIP
型号:
ULN2803APG,CN
仓库库存编号:
ULN2803APGCN-ND
别名:ULN2803APG
ULN2803APG(5,M)
ULN2803APG(CNHZN)
ULN2803APG(CNHZN)-ND
ULN2803APG(O,M)
ULN2803APG(O,N,HZA
ULN2803APG(O,N,HZN
ULN2803APG(OM)
ULN2803APG(OM)-ND
ULN2803APG(ONHZA
ULN2803APG(ONHZA-ND
ULN2803APG(ONHZN
ULN2803APG(ONHZN-ND
ULN2803APG-ND
ULN2803APGCN
ULN2803APGONHZN
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 1000 @ 350mA,2V,
无铅
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STMicroelectronics
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Surface Mount 16-SO
型号:
ULQ2001D1013TR
仓库库存编号:
497-4989-1-ND
别名:497-4989-1
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 1000 @ 350mA,2V,
无铅
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STMicroelectronics
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA 2.25W Through Hole 18-DIP
型号:
ULN2805A
仓库库存编号:
ULN2805A-ND
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 1000 @ 350mA,2V,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 16-CDIP
型号:
SG2003J
仓库库存编号:
SG2003J-ND
别名:1259-1080
1259-1080-MIL
1259-1080-ND
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 1000 @ 350mA,2V,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 16-CDIP
型号:
SG2003J-883B
仓库库存编号:
1259-1081-ND
别名:1259-1081
1259-1081-MIL
Q10386303
SG2003J883B
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 1000 @ 350mA,2V,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 16-CDIP
型号:
SG2003J-JAN
仓库库存编号:
1259-1082-ND
别名:1259-1082
1259-1082-MIL
M38510/14103BEA
Q9387418
SG2003JJAN
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 1000 @ 350mA,2V,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS 7NPN DARL 95V 0.5A 16DIP
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 95V 500mA Through Hole 16-CDIP
型号:
SG2023J-DESC
仓库库存编号:
1259-1083-ND
别名:1259-1083
1259-1083-MIL
5962-8987601EA
SG2023JDESC
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 1000 @ 350mA,2V,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 18-CDIP
型号:
SG2803J-883B
仓库库存编号:
1259-1084-ND
别名:1259-1084
1259-1084-MIL
Q10610783
Q10991540
SG2803J883B
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 1000 @ 350mA,2V,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 18-CDIP
型号:
SG2803J-DESC
仓库库存编号:
1259-1085-ND
别名:1259-1085
1259-1085-MIL
5962-8605801VA
Q10830625
SG2803JDESC
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 1000 @ 350mA,2V,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS 8NPN DARL 95V 0.5A 18DIP
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 95V 500mA Through Hole 18-CDIP
型号:
SG2823J
仓库库存编号:
SG2823J-ND
别名:1259-1086
1259-1086-MIL
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 1000 @ 350mA,2V,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS 8NPN DARL 95V 0.5A 18DIP
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 95V 500mA Through Hole 18-CDIP
型号:
SG2823J-883B
仓库库存编号:
1259-1087-ND
别名:1259-1087
1259-1087-MIL
SG2823J883B
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 1000 @ 350mA,2V,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS 8NPN DARL 95V 0.5A 18DIP
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 95V 500mA Through Hole 18-CDIP
型号:
SG2823J-DESC
仓库库存编号:
1259-1088-ND
别名:1259-1088
1259-1088-MIL
5962-8968501VA
SG2823JDESC
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 1000 @ 350mA,2V,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS 7NPN DARL 95V 0.5A 16JDIP
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 95V 500mA Through Hole 16-CDIP
型号:
SG2023J-883B
仓库库存编号:
1259-1109-ND
别名:1259-1109
1259-1109-MIL
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 1000 @ 350mA,2V,
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