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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN 285V 1.5A PW MOLD2
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN Through Hole PW-MOLD2
型号:
TTC008(Q)
仓库库存编号:
TTC008(Q)-ND
别名:TTC008Q
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 1mA,5V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TRANS NPN 30V 0.1A
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 100mA 300mW Through Hole TO-18 (TO-206AA)
型号:
2N2432
仓库库存编号:
1086-20730-ND
别名:1086-20730
1086-20730-MIL
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 1mA,5V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TRANS NPN 45V 0.1A TO-18
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 45V 100mA 300mW Through Hole TO-18 (TO-206AA)
型号:
JANTXV2N2432A
仓库库存编号:
1086-15600-ND
别名:1086-15600-MIL
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 1mA,5V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TRANS NPN 30V 0.1A
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 100mA 360mW Through Hole TO-18 (TO-206AA)
型号:
JAN2N2432
仓库库存编号:
1086-16081-ND
别名:1086-16081
1086-16081-MIL
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 1mA,5V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TRANS NPN 30V 0.1A
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 100mA 300mW Through Hole TO-18 (TO-206AA)
型号:
JANTX2N2432
仓库库存编号:
1086-16082-ND
别名:1086-16082
1086-16082-MIL
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 1mA,5V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TRANS NPN 45V 0.1A
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 45V 100mA 360mW Through Hole TO-18 (TO-206AA)
型号:
JAN2N2432A
仓库库存编号:
1086-16083-ND
别名:1086-16083
1086-16083-MIL
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 1mA,5V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TRANS NPN 45V 0.1A
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 45V 100mA 300mW Through Hole TO-18 (TO-206AA)
型号:
JANTX2N2432A
仓库库存编号:
1086-16084-ND
别名:1086-16084
1086-16084-MIL
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 1mA,5V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TRANS NPN 30V 0.1A
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 100mA 300mW Through Hole TO-18 (TO-206AA)
型号:
2N2432A
仓库库存编号:
1086-20731-ND
别名:1086-20731
1086-20731-MIL
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 1mA,5V,
含铅
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