规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 5mA，5V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(186)
分立半导体产品
(186)
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Rohm Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VMN3
型号：
DTC114EBT2L
仓库库存编号：
DTC114EBT2L-ND
规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 5mA，5V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT5
型号：
FMG9AT248
仓库库存编号：
FMG9AT248-ND
规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 5mA，5V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 180MHz 150mW Surface Mount SC-75
型号：
PDTA114EE,115
仓库库存编号：
568-11226-1-ND
别名：568-11226-1
规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 5mA，5V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 180MHz 150mW Surface Mount SC-75
型号：
PDTA114EE,115
仓库库存编号：
568-11226-6-ND
别名：568-11226-6
规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 5mA，5V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W UMT6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V 100mA, 150mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
型号：
UMF24NTR
仓库库存编号：
UMF24NTR-ND
规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 5mA，5V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTA114ES,126
仓库库存编号：
PDTA114ES,126-ND
别名：934047380126
PDTA114ES AMO
PDTA114ES AMO-ND
规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 5mA，5V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC114ES,126
仓库库存编号：
PDTC114ES,126-ND
别名：934047440126
PDTC114ES AMO
PDTC114ES AMO-ND
规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 5mA，5V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR10PNB6327XT
仓库库存编号：
BCR10PNB6327XTTR-ND
别名：BCR 10PN B6327
BCR 10PN B6327-ND
SP000010731
规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 5mA，5V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR10PNE6327BTSA1
仓库库存编号：
BCR10PNE6327BTSA1TR-ND
别名：BCR 10PN E6327
BCR 10PN E6327-ND
BCR10PNE6327XT
SP000010732
规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 5mA，5V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 160MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 114F E6327
仓库库存编号：
BCR 114F E6327-ND
别名：BCR114FE6327XT
SP000014848
规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 5mA，5V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 160MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 114L3 E6327
仓库库存编号：
BCR 114L3 E6327-ND
别名：BCR114L3E6327XT
SP000014851
规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 5mA，5V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 160MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号：
BCR 114T E6327
仓库库存编号：
BCR 114T E6327-ND
别名：BCR114TE6327XT
SP000014773
规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 5mA，5V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 130MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR 133 B6327
仓库库存编号：
BCR 133 B6327-ND
别名：BCR133B6327XT
SP000056346
规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 5mA，5V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 133F B6327
仓库库存编号：
BCR 133F B6327-ND
别名：BCR133FB6327XT
SP000014050
规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 5mA，5V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 133F E6327
仓库库存编号：
BCR 133F E6327-ND
别名：BCR133FE6327XT
SP000014049
规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 5mA，5V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 133L3 E6327
仓库库存编号：
BCR 133L3 E6327-ND
别名：BCR133L3E6327XT
SP000013564
规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 5mA，5V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR133SB6327XT
仓库库存编号：
BCR133SB6327XTTR-NDTR-ND
别名：BCR 133S B6327
BCR 133S B6327-ND
SP000056343
规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 5mA，5V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR133SE6327BTSA1
仓库库存编号：
BCR133SE6327BTSA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 133S E6327
BCR 133S E6327-ND
BCR133SE6327XT
SP000010761
规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 5mA，5V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR133SE6433BTMA1
仓库库存编号：
BCR133SE6433BTMA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 133S E6433
BCR 133S E6433-ND
BCR133SE6433XT
SP000010763
规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 5mA，5V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号：
BCR 133T E6327
仓库库存编号：
BCR 133T E6327-ND
别名：BCR133TE6327XT
SP000012801
规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 5mA，5V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR133WE6327HTSA1
仓库库存编号：
BCR133WE6327HTSA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 133W E6327
BCR 133W E6327-ND
BCR133WE6327
BCR133WE6327XT
SP000010764
规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 5mA，5V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 160MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 164F E6327
仓库库存编号：
BCR 164F E6327-ND
别名：BCR164FE6327XT
SP000014864
规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 5mA，5V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 160MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 164L3 E6327
仓库库存编号：
BCR 164L3 E6327-ND
别名：BCR164L3E6327XT
SP000014869
规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 5mA，5V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 160MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号：
BCR 164T E6327
仓库库存编号：
BCR 164T E6327-ND
别名：BCR164TE6327XT
SP000014817
规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 5mA，5V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR 183 B6327
仓库库存编号：
BCR 183 B6327-ND
别名：BCR183B6327XT
SP000057461
规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 5mA，5V,
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
