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Diodes Incorporated
TRANS PREBIAS PNP 200MW SC59-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SC-59-3
型号:
DDTA143ZKA-7-F
仓库库存编号:
DDTA143ZKA-7-F-ND
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS PREBIAS NPN 200MW SC59-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SC-59-3
型号:
DDTC123JKA-7-F
仓库库存编号:
DDTC123JKA-7-F-ND
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS PREBIAS NPN 200MW SC59-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SC-59-3
型号:
DDTC143ZKA-7-F
仓库库存编号:
DDTC143ZKA-7-F-ND
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 150V 50mA 200MHz 800mW Through Hole LSTM
型号:
2SC2705-O(TE6,F,M)
仓库库存编号:
2SC2705-O(TE6,F,M)-ND
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 150V 50mA 200MHz 800mW Through Hole LSTM
型号:
2SC2705-O(TPE6,F)
仓库库存编号:
2SC2705-O(TPE6,F)-ND
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SMT3
型号:
DTC143ZKAT246
仓库库存编号:
DTC143ZKAT246-ND
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
型号:
RN1106MFV(TL3,T)
仓库库存编号:
RN1106MFV(TL3T)CT-ND
别名:RN1106MFV(TL3T)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
型号:
RN1906(T5L,F,T)
仓库库存编号:
RN1906(T5LFT)CT-ND
别名:RN1906(T5LFT)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN1906FE(T5L,F,T)
仓库库存编号:
RN1906FE(T5LFT)CT-ND
别名:RN1906FE(T5LFT)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN1967FE(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN1967FE(TE85LF)CT-ND
别名:RN1967FE(TE85LF)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN1968FE(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN1968FE(TE85LF)CT-ND
别名:RN1968FE(TE85LF)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN2904FE(T5L,F,T)
仓库库存编号:
RN2904FE(T5LFT)CT-ND
别名:RN2904FE(T5LFT)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN2964FE(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN2964FE(TE85LF)CT-ND
别名:RN2964FE(TE85LF)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN2965FE(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN2965FE(TE85LF)CT-ND
别名:RN2965FE(TE85LF)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN2966FE(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN2966FE(TE85LF)CT-ND
别名:RN2966FE(TE85LF)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN2967FE(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN2967FE(TE85LF)CT-ND
别名:RN2967FE(TE85LF)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN2968FE(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN2968FE(TE85LF)CT-ND
别名:RN2968FE(TE85LF)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号:
RN2904(T5L,F,T)
仓库库存编号:
RN2904(T5LFT)CT-ND
别名:RN2904(T5LFT)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号:
RN2906(T5L,F,T)
仓库库存编号:
RN2906(T5LFT)CT-ND
别名:RN2906(T5LFT)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号:
RN2907(T5L,F,T)
仓库库存编号:
RN2907(T5LFT)CT-ND
别名:RN2907(T5LFT)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号:
RN2908(T5L,F,T)
仓库库存编号:
RN2908(T5LFT)CT-ND
别名:RN2908(T5LFT)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号:
RN4904(T5L,F,T)
仓库库存编号:
RN4904(T5LFT)CT-ND
别名:RN4904(T5LFT)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号:
RN4907(T5L,F,T)
仓库库存编号:
RN4907(T5LFT)CT-ND
别名:RN4907(T5LFT)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号:
RN4908(T5L,F,T)
仓库库存编号:
RN4908(T5LFT)CT-ND
别名:RN4908(T5LFT)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号:
RN49A1(T5L,F,T)
仓库库存编号:
RN49A1(T5LFT)CT-ND
别名:RN49A1(T5LFT)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
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