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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
型号:
RN1104ACT(TPL3)
仓库库存编号:
RN1104ACT(TPL3)CT-ND
别名:RN1104ACT(TPL3)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
型号:
RN1105ACT(TPL3)
仓库库存编号:
RN1105ACT(TPL3)CT-ND
别名:RN1105ACT(TPL3)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
型号:
RN1106ACT(TPL3)
仓库库存编号:
RN1106ACT(TPL3)CT-ND
别名:RN1106ACT(TPL3)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
型号:
RN1108ACT(TPL3)
仓库库存编号:
RN1108ACT(TPL3)CT-ND
别名:RN1108ACT(TPL3)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
型号:
RN2104ACT(TPL3)
仓库库存编号:
RN2104ACT(TPL3)CT-ND
别名:RN2104ACT(TPL3)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
型号:
RN2108ACT(TPL3)
仓库库存编号:
RN2108ACT(TPL3)CT-ND
别名:RN2108ACT(TPL3)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
型号:
RN2107ACT(TPL3)
仓库库存编号:
RN2107ACT(TPL3)CT-ND
别名:RN2107ACT(TPL3)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SM6
型号:
RN1606(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN1606(TE85LF)CT-ND
别名:RN1606(TE85LF)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV
型号:
RN2706JE(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN2706JE(TE85LF)CT-ND
别名:RN2706JE(TE85LF)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.2W SMINI
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount S-Mini
型号:
RN1406S,LF(D
仓库库存编号:
RN1406SLF(D-ND
别名:RN1406SLF(D
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 50V 500NA VESM
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VESM
型号:
RN2104MFV,L3F
仓库库存编号:
RN2104MFVL3F-ND
别名:RN2104MFVL3F
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
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NXP USA Inc.
TRANS NPN 160V 0.3A TO-92
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 160V 300mA 300MHz 630mW Through Hole TO-92-3
型号:
2N5551,116
仓库库存编号:
2N5551,116-ND
别名:2N5551 T/R
2N5551 T/R-ND
933215530116
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
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NXP USA Inc.
TRANS NPN 160V 0.3A TO-92
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 160V 300mA 300MHz 630mW Through Hole TO-92-3
型号:
2N5551,412
仓库库存编号:
2N5551,412-ND
别名:2N5551P
2N5551P-ND
933215530412
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
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