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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号:
RN2967(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN2967(TE85LF)CT-ND
别名:RN2967(TE85LF)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3
型号:
DTA123JUAT106
仓库库存编号:
DTA123JUAT106CT-ND
别名:DTA123JUAT106CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SST3
型号:
DTC143ZCAT116
仓库库存编号:
DTC143ZCAT116CT-ND
别名:DTC143ZCAT116CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SST3
型号:
DTC123JCAT116
仓库库存编号:
DTC123JCAT116CT-ND
别名:DTC123JCAT116CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM
型号:
RN1108(T5L,F,T)
仓库库存编号:
RN1108(T5LFT)CT-ND
别名:RN1108(T5LFT)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount USM
型号:
RN2308(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN2308(TE85LF)CT-ND
别名:RN2308(TE85LF)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount USM
型号:
RN2307(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN2307(TE85LF)CT-ND
别名:RN2307(TE85LF)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount USM
型号:
RN2305(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN2305(TE85LF)CT-ND
别名:RN2305(TE85LF)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount SSM
型号:
RN2108(T5L,F,T)
仓库库存编号:
RN2108(T5LFT)CT-ND
别名:RN2108(T5LFT)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount SSM
型号:
RN2106(T5L,F,T)
仓库库存编号:
RN2106(T5LFT)CT-ND
别名:RN2106(T5LFT)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount SSM
型号:
RN2104(T5L,F,T)
仓库库存编号:
RN2104(T5LFT)CT-ND
别名:RN2104(T5LFT)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号:
RN4986(T5L,F,T)
仓库库存编号:
RN4986(T5LFT)CT-ND
别名:RN4986(T5LFT)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号:
RN2905T5LFT
仓库库存编号:
RN2905T5LFTCT-ND
别名:RN2905T5LFTCT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-523
型号:
DDTC143ZE-7
仓库库存编号:
DDTC143ZEDICT-ND
别名:DDTC143ZE7
DDTC143ZEDICT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
含铅
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Rohm Semiconductor
TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3
型号:
DTA143ZETL
仓库库存编号:
DTA143ZETLCT-ND
别名:DTA143ZETLCT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3
型号:
DTA123JETL
仓库库存编号:
DTA123JETLCT-ND
别名:DTA123JETLCT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363
型号:
DDC143ZU-7-F
仓库库存编号:
DDC143ZU-7-FDICT-ND
别名:DDC143ZU-7-FDICT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
型号:
RN1964TE85LF
仓库库存编号:
RN1964TE85LFCT-ND
别名:RN1964TE85LFCT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
型号:
RN1107ACT(TPL3)
仓库库存编号:
RN1107ACT(TPL3)CT-ND
别名:RN1107ACT(TPL3)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN2906FE(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN2906FE(TE85LF)CT-ND
别名:RN2906FE(TE85LF)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
型号:
RN1908(T5L,F,T)
仓库库存编号:
RN1908(T5LFT)CT-ND
别名:RN1908(T5LFT)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
型号:
RN1905(T5L,F,T)
仓库库存编号:
RN1905(T5LFT)CT-ND
别名:RN1905(T5LFT)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM
型号:
RN1104T5LFT
仓库库存编号:
RN1104T5LFTCT-ND
别名:RN1104T5LFTCT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SMV
型号:
RN2505TE85LF
仓库库存编号:
RN2505TE85LFCT-ND
别名:RN2505TE85LFCT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT5
型号:
FMG11AT148
仓库库存编号:
FMG11AT148CT-ND
别名:FMG11AT148CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
无铅
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