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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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ON Semiconductor
TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 350V 4A 90MHz 45W Surface Mount DPAK-3
型号:
NJD35N04T4G
仓库库存编号:
NJD35N04T4GOSCT-ND
别名:NJD35N04T4GOSCT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 2000 @ 2A,2V,
无铅
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STMicroelectronics
TRANS NPN DARL 350V 4A TO-220
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 350V 4A 100W Through Hole TO-220AB
型号:
2ST501T
仓库库存编号:
497-16232-5-ND
别名:2ST501T-ND
497-16232-5
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 2000 @ 2A,2V,
无铅
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Sanken
TRANS NPN DARL 250V 6A TO220F
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 250V 6A 20MHz 35W Through Hole TO-220F
型号:
2SD2017
仓库库存编号:
2SD2017-ND
别名:2SD2017 DK
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 2000 @ 2A,2V,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK-4
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 90MHz Surface Mount DPAK-3
型号:
NJVNJD35N04T4G
仓库库存编号:
NJVNJD35N04T4G-ND
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 2000 @ 2A,2V,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK-4
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 90MHz Surface Mount DPAK-3
型号:
NJVNJD35N04G
仓库库存编号:
NJVNJD35N04G-ND
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 2000 @ 2A,2V,
无铅
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Sanken
TRANS NPN DARL 120V 4A TO220F
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 40MHz Through Hole TO-220F
型号:
2SD2015
仓库库存编号:
2SD2015-ND
别名:2SD2015 DK
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 2000 @ 2A,2V,
无铅
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Sanken
TRANS 4NPN DARL 120V 4A 12SIP
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN Darlington (Quad) 120V 4A 5W Through Hole 12-SIP
型号:
SLA4031
仓库库存编号:
SLA4031-ND
别名:SLA4031 DK
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 2000 @ 2A,2V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PNP 3A 100V TO220-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 3A 2W Through Hole TO-220NIS
型号:
2SB1495,Q(J
仓库库存编号:
2SB1495Q(J-ND
别名:2SB1495Q(J
2SB1495QJ
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 2000 @ 2A,2V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PNP 3A 100V TO220-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 3A 2W Through Hole TO-220NIS
型号:
2SB1495,Q(M
仓库库存编号:
2SB1495Q(M-ND
别名:2SB1495Q(M
2SB1495QM
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 2000 @ 2A,2V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN 3A 100V TO220-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 2W Through Hole TO-220NIS
型号:
2SD2257(CANO,A,Q)
仓库库存编号:
2SD2257(CANOAQ)-ND
别名:2SD2257(CANOAQ)
2SD2257CANOAQ
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 2000 @ 2A,2V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN 3A 100V TO220-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 2W Through Hole TO-220NIS
型号:
2SD2257(CANO,Q,M)
仓库库存编号:
2SD2257(CANOQM)-ND
别名:2SD2257(CANOQM)
2SD2257CANOQM
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 2000 @ 2A,2V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN 3A 100V TO220-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 2W Through Hole TO-220NIS
型号:
2SD2257(Q,M)
仓库库存编号:
2SD2257(QM)-ND
别名:2SD2257(QM)
2SD2257QM
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 2000 @ 2A,2V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN 3A 100V TO220-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 2W Through Hole TO-220NIS
型号:
2SD2257,KEHINQ(J
仓库库存编号:
2SD2257KEHINQ(J-ND
别名:2SD2257KEHINQ(J
2SD2257KEHINQJ
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 2000 @ 2A,2V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN 3A 100V TO220-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 2W Through Hole TO-220NIS
型号:
2SD2257,NIKKIQ(J
仓库库存编号:
2SD2257NIKKIQ(J-ND
别名:2SD2257NIKKIQ(J
2SD2257NIKKIQJ
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN 3A 100V TO220-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 2W Through Hole TO-220NIS
型号:
2SD2257,Q(J
仓库库存编号:
2SD2257Q(J-ND
别名:2SD2257Q(J
2SD2257QJ
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 2000 @ 2A,2V,
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