规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 63 @ 150mA,2V,
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NXP USA Inc.
TRANS NPN 45V 1A TO-92
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 45V 1A 180MHz 830mW Through Hole TO-92-3
型号:
BC635,112
仓库库存编号:
BC635,112-ND
别名:933221920112
BC635P
BC635P-ND
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 63 @ 150mA,2V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PNP 60V 1A TO-92
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 1A 100MHz 830mW Through Hole TO-92-3
型号:
BC638,112
仓库库存编号:
BC638,112-ND
别名:933221960112
BC638P
BC638P-ND
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 63 @ 150mA,2V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS NPN 80V 1A TO-92
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 180MHz 830mW Through Hole TO-92-3
型号:
BC639,112
仓库库存编号:
BC639,112-ND
别名:933221940112
BC639P
BC639P-ND
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 63 @ 150mA,2V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PNP 80V 1A TO-92
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 1A 145MHz 830mW Through Hole TO-92-3
型号:
BC640,112
仓库库存编号:
BC640,112-ND
别名:933221970112
BC640P
BC640P-ND
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 63 @ 150mA,2V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PNP 80V 1A SOT-223
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 1A 125MHz 2W Surface Mount PG-SOT223-4
型号:
BCP5310E6327HTSA1
仓库库存编号:
BCP5310E6327HTSA1TR-ND
别名:BCP 53-10 E6327
BCP 53-10 E6327-ND
BCP5310E6327BTSA1
BCP5310E6327XT
SP000010697
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 63 @ 150mA,2V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN 80V 1A SOT-223
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 100MHz 2W Surface Mount PG-SOT223-4
型号:
BCP5610E6327HTSA1
仓库库存编号:
BCP5610E6327HTSA1TR-ND
别名:BCP 56-10 E6327
BCP 56-10 E6327-ND
BCP5610E6327BTSA1
BCP5610E6327XT
SP000010712
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 63 @ 150mA,2V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN 80V 1A SOT-223
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 100MHz 2W Surface Mount PG-SOT223-4
型号:
BCP 56-10 E6433
仓库库存编号:
BCP 56-10 E6433-ND
别名:BCP5610E6433XT
SP000010718
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 63 @ 150mA,2V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PNP 80V 1A SOT223
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 1A 125MHz 2W Surface Mount PG-SOT223-4
型号:
BCP5310H6327XTSA1
仓库库存编号:
BCP5310H6327XTSA1-ND
别名:BCP 53-10 H6327
BCP 53-10 H6327-ND
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 63 @ 150mA,2V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN 80V 1A SOT223
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 100MHz 2W Surface Mount PG-SOT223-4
型号:
BCP5610H6327XTSA1
仓库库存编号:
BCP5610H6327XTSA1-ND
别名:BCP 56-10 H6327
BCP 56-10 H6327-ND
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 63 @ 150mA,2V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN 80V 1A SOT223
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 100MHz 2W Surface Mount PG-SOT223-4
型号:
BCP 56-10 H6433
仓库库存编号:
BCP 56-10 H6433-ND
别名:SP000748368
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 63 @ 150mA,2V,
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