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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN1910FE,LF(CT
仓库库存编号:
RN1910FELF(CTCT-ND
别名:RN1910FELF(CTCT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 120 @ 1mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.2W SMINI
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount S-Mini
型号:
RN1413(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN1413(TE85LF)CT-ND
别名:RN1413(TE85LF)CT
RN1413TE85FCT
RN1413TE85FCT-ND
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 120 @ 1mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN4990FE,LF(CB
仓库库存编号:
RN4990FELF(CBCT-ND
别名:RN4990FE(T5LFT)CT
RN4990FE(T5LFT)CT-ND
RN4990FELF(CBCT
RN4990FELF(CTCT
RN4990FELF(CTCT-ND
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 120 @ 1mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount SSM
型号:
RN2112,LF(CB
仓库库存编号:
RN2112LF(CBCT-ND
别名:RN2112(T5LFT)CT
RN2112(T5LFT)CT-ND
RN2112LF(CBCT
RN2112LF(CTCT
RN2112LF(CTCT-ND
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 120 @ 1mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号:
RN4910,LF
仓库库存编号:
RN4910LFCT-ND
别名:RN4910LF(CTCT
RN4910LF(CTCT-ND
RN4910LFCT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 120 @ 1mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN1911FETE85LF
仓库库存编号:
RN1911FETE85LFCT-ND
别名:RN1911FETE85LFCT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 120 @ 1mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号:
RN2911,LF
仓库库存编号:
RN2911LFCT-ND
别名:RN2911LF(CTCT
RN2911LF(CTCT-ND
RN2911LFCT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 120 @ 1mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMV
型号:
RN1510(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN1510(TE85LF)CT-ND
别名:RN1510(TE85LF)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 120 @ 1mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
型号:
RN1971TE85LF
仓库库存编号:
RN1971TE85LFCT-ND
别名:RN1971TE85LFCT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 120 @ 1mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM
型号:
RN1111,LF(CT
仓库库存编号:
RN1111LF(CTCT-ND
别名:RN1111(TE85LF)CT
RN1111(TE85LF)CT-ND
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 120 @ 1mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount SSM
型号:
RN2111,LF(CB
仓库库存编号:
RN2111LF(CBCT-ND
别名:RN2111(T5LFT)CT
RN2111(T5LFT)CT-ND
RN2111LF(CBCT
RN2111LF(CTCT
RN2111LF(CTCT-ND
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 120 @ 1mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount SSM
型号:
RN2110,LF(CB
仓库库存编号:
RN2110LF(CBCT-ND
别名:RN2110(T5LFT)CT
RN2110(T5LFT)CT-ND
RN2110,LF(CBCT
RN2110LF(CBCT
RN2110LF(CTCT
RN2110LF(CTCT-ND
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 120 @ 1mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN2910FE,LF(CB
仓库库存编号:
RN2910FELF(CBCT-ND
别名:RN2910FE(T5LFT)CT
RN2910FE(T5LFT)CT-ND
RN2910FELF(CBCT
RN2910FELF(CTCT
RN2910FELF(CTCT-ND
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 120 @ 1mA,5V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount USM
型号:
RN1312(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN1312(TE85LF)CT-ND
别名:RN1312(TE85LF)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 120 @ 1mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount USM
型号:
RN2312(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN2312(TE85LF)CT-ND
别名:RN2312(TE85LF)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 120 @ 1mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount USM
型号:
RN2313(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN2313(TE85LF)CT-ND
别名:RN2313(TE85LF)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 120 @ 1mA,5V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount USM
型号:
RN1313(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN1313(TE85LF)CT-ND
别名:RN1313(TE85LF)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 120 @ 1mA,5V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 0.2W SMINI
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount S-Mini
型号:
RN2413TE85LF
仓库库存编号:
RN2413TE85LFCT-ND
别名:RN2413TE85LFCT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 120 @ 1mA,5V,
无铅
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TRANS PREBIAS PNP 0.2W SMINI
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount S-Mini
型号:
RN2412TE85LF
仓库库存编号:
RN2412TE85LFCT-ND
别名:RN2412TE85LFCT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 120 @ 1mA,5V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount USM
型号:
RN2310,LF
仓库库存编号:
RN2310LFCT-ND
别名:RN2310LFCT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 120 @ 1mA,5V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM
型号:
RN1113(T5L,F,T)
仓库库存编号:
RN1113(T5LFT)CT-ND
别名:RN1113(T5LFT)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 120 @ 1mA,5V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
型号:
RN2110ACT(TPL3)
仓库库存编号:
RN2110ACT(TPL3)CT-ND
别名:RN2110ACT(TPL3)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 120 @ 1mA,5V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
型号:
RN2111ACT(TPL3)
仓库库存编号:
RN2111ACT(TPL3)CT-ND
别名:RN2111ACT(TPL3)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 120 @ 1mA,5V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
型号:
RN2112ACT(TPL3)
仓库库存编号:
RN2112ACT(TPL3)CT-ND
别名:RN2112ACT(TPL3)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 120 @ 1mA,5V,
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TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
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RN2113ACT(TPL3)
仓库库存编号:
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别名:RN2113ACT(TPL3)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 120 @ 1mA,5V,
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