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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS NPN 800MA 120V TO226-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
  
  型号：2SC2235-Y,T6KEHF(M
  仓库库存编号：2SC2235-YT6KEHF(M-ND
  别名：2SC2235-YT6KEHF(M
  2SC2235YT6KEHFM
  
  规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 120V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS NPN 800MA 120V TO226-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
  
  型号：2SC2235-Y,T6USNF(M
  仓库库存编号：2SC2235-YT6USNF(M-ND
  别名：2SC2235-YT6USNF(M
  2SC2235YT6USNFM
  
  规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 120V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS NPN 800MA 120V TO226-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
  
  型号：2SC2235-Y,USNHF(M
  仓库库存编号：2SC2235-YUSNHF(M-ND
  别名：2SC2235-YUSNHF(M
  2SC2235YUSNHFM
  
  规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 120V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS NPN 800MA 120V SC71
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 120V 800mA 120MHz 1W Through Hole MSTM
  
  型号：2SC3665-Y(T2NSW,FM
  仓库库存编号：2SC3665-Y(T2NSWFM-ND
  别名：2SC3665-Y(T2NSWFM
  2SC3665YT2NSWFM
  
  规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 120V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS NPN 800MA 120V SC71
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 120V 800mA 120MHz 1W Through Hole MSTM
  
  型号：2SC3665-Y,T2F(J
  仓库库存编号：2SC3665-YT2F(J-ND
  别名：2SC3665-YT2F(J
  2SC3665YT2FJ
  
  规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 120V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS NPN 800MA 120V SC71
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 120V 800mA 120MHz 1W Through Hole MSTM
  
  型号：2SC3665-Y,T2NSF(J
  仓库库存编号：2SC3665-YT2NSF(J-ND
  别名：2SC3665-YT2NSF(J
  2SC3665YT2NSFJ
  
  规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 120V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS NPN 800MA 120V SC71
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 120V 800mA 120MHz 1W Through Hole MSTM
  
  型号：2SC3665-Y,T2YNSF(J
  仓库库存编号：2SC3665-YT2YNSF(J-ND
  别名：2SC3665-YT2YNSF(J
  2SC3665YT2YNSFJ
  
  规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 120V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS NPN 2A 120V TO226-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 120V 2A 900mW Through Hole TO-92MOD
  
  型号：2SD2206A(T6SEP,F,M
  仓库库存编号：2SD2206A(T6SEPFM-ND
  别名：2SD2206A(T6SEPFM
  2SD2206AT6SEPFM
  
  规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 120V,
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