规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN 2A 60V TO226-3
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 2A 100MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
型号：
2SD2695,T6F(J
仓库库存编号：
2SD2695T6F(J-ND
别名：2SD2695T6F(J
2SD2695T6FJ
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN 2A 60V TO226-3
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 2A 100MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
型号：
2SD2695,T6F(M
仓库库存编号：
2SD2695T6F(M-ND
别名：2SD2695T6F(M
2SD2695T6FM
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS PNP 60V 1A TO205AD
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 1A 1W Through Hole TO-205AD
型号：
2N4235
仓库库存编号：
2N4235-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V,
含铅
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NXP USA Inc.
TRANS NPN 60V 0.75A SC59
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 750mA 220MHz 425mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号：
PBSS4160K,115
仓库库存编号：
PBSS4160K,115-ND
别名：934058116115
PBSS4160K T/R
PBSS4160K T/R-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PNP 60V 0.7A SC59
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 700mA 185MHz 425mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号：
PBSS5160K,115
仓库库存编号：
PBSS5160K,115-ND
别名：934058122115
PBSS5160K T/R
PBSS5160K T/R-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PNP 60V 1A TO-92
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 1A 100MHz 830mW Through Hole TO-92-3
型号：
BC638,126
仓库库存编号：
BC638,126-ND
别名：933221960126
BC638 AMO
BC638 AMO-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PNP 60V 1A TO-92
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 1A 100MHz 830mW Through Hole TO-92-3
型号：
BC638,116
仓库库存编号：
BC638,116-ND
别名：933221960116
BC638 T/R
BC638 T/R-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PNP 60V 1A TO-92
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 1A 100MHz 830mW Through Hole TO-92-3
型号：
BC638,112
仓库库存编号：
BC638,112-ND
别名：933221960112
BC638P
BC638P-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN DARL 60V 0.5A SOT-223
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60V 500mA 200MHz 1.5W Surface Mount PG-SOT223-4
型号：
BCP49E6327HTSA1
仓库库存编号：
BCP49E6327HTSA1TR-ND
别名：BCP 49 E6327
BCP 49 E6327-ND
BCP49E6327BTSA1
BCP49E6327XT
SP000010685
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PNP 60V 1A SOT-223
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 1A 125MHz 2W Surface Mount PG-SOT223-4
型号：
BCP5216E6327HTSA1
仓库库存编号：
BCP5216E6327HTSA1TR-ND
别名：BCP 52-16 E6327
BCP 52-16 E6327-ND
BCP5216E6327BTSA1
BCP5216E6327XT
SP000010696
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN 60V 1A SOT-223
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 1A 100MHz 2W Surface Mount PG-SOT223-4
型号：
BCP55E6327HTSA1
仓库库存编号：
BCP55E6327HTSA1TR-ND
别名：BCP 55 E6327
BCP 55 E6327-ND
BCP55E6327BTSA1
BCP55E6327XT
SP000010713
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PNP 60V 1A SOT-89
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 1A 125MHz 2W Surface Mount PG-SOT89
型号：
BCX52E6327HTSA1
仓库库存编号：
BCX52E6327HTSA1TR-ND
别名：BCX 52 E6327
BCX 52 E6327-ND
BCX52E6327BTSA1
BCX52E6327XT
SP000014828
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN 60V 1A SOT-89
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 1A 100MHz 2W Surface Mount PG-SOT89
型号：
BCX55E6327HTSA1
仓库库存编号：
BCX55E6327HTSA1TR-ND
别名：BCX 55 E6327
BCX 55 E6327-ND
BCX55E6327BTSA1
BCX55E6327XT
SP000010916
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PNP DARL 60V 1A SOT-223
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60V 1A 200MHz 1.5W Surface Mount PG-SOT223-4
型号：
BSP61E6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP61E6327HTSA1TR-ND
别名：BSP 61 E6327
BSP 61 E6327-ND
BSP61E6327BTSA1
BSP61E6327XT
SP000011132
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN 60V 3A SOT-223
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 3A 100MHz 5W Surface Mount PG-SOT223-4
型号：
BDP949E6327HTSA1
仓库库存编号：
BDP949E6327HTSA1CT-ND
别名：BDP949E6327INCT
BDP949E6327INCT-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN DARL 60V 0.5A SOT223
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60V 500mA 200MHz 1.5W Surface Mount PG-SOT223-4
型号：
BCP49H6327XTSA1
仓库库存编号：
BCP49H6327XTSA1-ND
别名：BCP 49 H6327
BCP 49 H6327-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN DARL 60V 0.5A SOT223
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60V 500mA 200MHz 1.5W Surface Mount PG-SOT223-4
型号：
BCP49H6359XTMA1
仓库库存编号：
BCP49H6359XTMA1TR-ND
别名：BCP 49 H6359
BCP 49 H6359-ND
SP000748082
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS NPN DARL 60V 0.5A SOT223
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60V 500mA 200MHz 1.5W Surface Mount PG-SOT223-4
型号：
BCP49H6419XTMA1
仓库库存编号：
BCP49H6419XTMA1TR-ND
别名：BCP 49 H6419
BCP 49 H6419-ND
SP000748086
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS PNP 60V 1A SOT223
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 1A 125MHz 2W Surface Mount PG-SOT223-4
型号：
BCP5216H6327XTSA1
仓库库存编号：
BCP5216H6327XTSA1-ND
别名：BCP 52-16 H6327
BCP 52-16 H6327-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS NPN 60V 1A SOT223
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 1A 100MHz 2W Surface Mount PG-SOT223-4
型号：
BCP55H6327XTSA1
仓库库存编号：
BCP55H6327XTSA1-ND
别名：BCP 55 H6327
BCP 55 H6327-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS NPN 60V 1A SOT223
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 1A 100MHz 2W Surface Mount PG-SOT223-4
型号：
BCP5516H6327XTSA1
仓库库存编号：
BCP5516H6327XTSA1-ND
别名：BCP 55-16 H6327
BCP 55-16 H6327-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN 60V 3A SOT223
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 3A 100MHz 5W Surface Mount PG-SOT223-4
型号：
BDP949H6327XTSA1
仓库库存编号：
BDP949H6327XTSA1-ND
别名：BDP 949 H6327
BDP 949 H6327-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PNP 60V 3A SOT223
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 3A 100MHz 5W Surface Mount PG-SOT223-4
型号：
BDP950H6327XTSA1
仓库库存编号：
BDP950H6327XTSA1-ND
别名：BDP 950 H6327
BDP 950 H6327-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS NPN DARL 60V 1A SOT223
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60V 1A 200MHz 1.5W Surface Mount PG-SOT223-4
型号：
BSP51H6327XTSA1
仓库库存编号：
BSP51H6327XTSA1-ND
别名：BSP 51 H6327
BSP 51 H6327-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS PNP DARL 60V 1A SOT223
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60V 1A 200MHz 1.5W Surface Mount PG-SOT223-4
型号：
BSP61H6327XTSA1
仓库库存编号：
BSP61H6327XTSA1-ND
别名：BSP 61 H6327
BSP 61 H6327-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V,
无铅
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