以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  IGBT 600V 114A 658W MTP
  详细描述：IGBT Module Half Bridge 600V 114A 658W Chassis Mount MTP
  
  型号：VS-50MT060WHTAPBF
  仓库库存编号：VS-50MT060WHTAPBF-ND
  别名：VS50MT060WHTAPBF
  
  规格：电流 - 集电极截止（最大值） 400μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Central Semiconductor Corp
  THROUGH-HOLE TRANSISTOR BIPOLAR
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 3MHz Through Hole TO-220-3
  
  型号：TIP42
  仓库库存编号：TIP42CS-ND
  别名：TIP42CS
  
  规格：电流 - 集电极截止（最大值） 400μA,
• 搜索

• 
  
• Central Semiconductor Corp
  THROUGH-HOLE TRANSISTOR BIPOLAR
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 3MHz Through Hole TO-220-3
  
  型号：TIP42A
  仓库库存编号：TIP42ACS-ND
  别名：TIP42ACS
  
  规格：电流 - 集电极截止（最大值） 400μA,
• 搜索

• 
  
• Central Semiconductor Corp
  THROUGH-HOLE TRANSISTOR BIPOLAR
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 3MHz Through Hole TO-220-3
  
  型号：TIP42B
  仓库库存编号：TIP42BCS-ND
  别名：TIP42BCS
  
  规格：电流 - 集电极截止（最大值） 400μA,
• 搜索

• 
  
• Central Semiconductor Corp
  THROUGH-HOLE TRANSISTOR BIPOLAR
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 3MHz Through Hole TO-220-3
  
  型号：TIP42C
  仓库库存编号：TIP42CCS-ND
  别名：TIP42CCS
  
  规格：电流 - 集电极截止（最大值） 400μA,
• 搜索

• 
  
• Central Semiconductor Corp
  THROUGH-HOLE TRANSISTOR BIPOLAR
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 3MHz Through Hole TO-220-3
  
  型号：TIP42C SL
  仓库库存编号：TIP42C SL-ND
  
  规格：电流 - 集电极截止（最大值） 400μA,
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E1
  详细描述：IGBT Module Trench Three Phase Inverter 1200V 43A 160W Chassis Mount E1
  
  型号：MWI45-12T6K
  仓库库存编号：MWI45-12T6K-ND
  
  规格：电流 - 集电极截止（最大值） 400μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MODULE IGBT CBI E3
  详细描述：IGBT Module Trench Three Phase Inverter with Brake 1700V 74A 290W Chassis Mount E3
  
  型号：MUBW50-17T8
  仓库库存编号：MUBW50-17T8-ND
  
  规格：电流 - 集电极截止（最大值） 400μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  TRANS NPN 15V 0.2A TO-92
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 15V 200mA 350mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：2N5769
  仓库库存编号：2N5769-ND
  
  规格：电流 - 集电极截止（最大值） 400μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  IGBT WARP 600V 114A MTP
  详细描述：IGBT Module PT Half Bridge 600V 114A 658W Chassis Mount 12-MTP
  
  型号：50MT060WH
  仓库库存编号：50MT060WH-ND
  别名：*50MT060WH
  VS-50MT060WH
  VS-50MT060WH-ND
  VS50MT060WH
  VS50MT060WH-ND
  
  规格：电流 - 集电极截止（最大值） 400μA,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  TRANS NPN DARL 700V ISOWATT218
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 700V 8A 52W Through Hole ISOWATT-218
  
  型号：BU808DFI
  仓库库存编号：BU808DFI-ND
  
  规格：电流 - 集电极截止（最大值） 400μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 72A 379W SOT227
  详细描述：IGBT Module NPT Single 1200V 72A 379W Chassis Mount ISOTOP?
  
  型号：APT50GT120JRDQ2
  仓库库存编号：APT50GT120JRDQ2-ND
  
  规格：电流 - 集电极截止（最大值） 400μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT PHASE NPT3 ISOPLUS I4-PAC-5
  详细描述：IGBT Array NPT Half Bridge 1200V 50A 200W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FII50-12E
  仓库库存编号：FII50-12E-ND
  
  规格：电流 - 集电极截止（最大值） 400μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MODULE IGBT CBI E2
  详细描述：IGBT Module NPT Three Phase Inverter with Brake 1200V 52A 225W Chassis Mount E2
  
  型号：MUBW35-12E7
  仓库库存编号：MUBW35-12E7-ND
  
  规格：电流 - 集电极截止（最大值） 400μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E2
  详细描述：IGBT Module NPT Three Phase Inverter 1200V 52A 225W Chassis Mount E2
  
  型号：MWI25-12E7
  仓库库存编号：MWI25-12E7-ND
  
  规格：电流 - 集电极截止（最大值） 400μA,
• 无铅
• 搜索