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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  IGBT 1200V 22A 89W EMIPAK-2B
  详细描述：IGBT Module Trench 1200V 22A 89W Chassis Mount EMIPAK-2B
  
  型号：VS-ETL015Y120H
  仓库库存编号：VS-ETL015Y120HGI-ND
  别名：VS-ETL015Y120H-ND
  VS-ETL015Y120HGI
  VSETL015Y120H
  
  规格：电流 - 集电极截止（最大值） 75μA,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT23
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 125V 800mA 100MHz 330mW Surface Mount SOT-23-3
  
  型号：BCX41QTA
  仓库库存编号：BCX41QTA-ND
  
  规格：电流 - 集电极截止（最大值） 75μA,
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• IXYS
  IGBT 160A 600V SOT-227B
  详细描述：IGBT Module PT Single 600V 160A 360W Chassis Mount SOT-227B
  
  型号：IXGN72N60A3
  仓库库存编号：IXGN72N60A3-ND
  
  规格：电流 - 集电极截止（最大值） 75μA,
• 无铅
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  IGBT 1200V 105A LS CHOP SOT-227
  详细描述：IGBT Module NPT Single 1200V 134A 463W Chassis Mount SOT-227
  
  型号：VS-GT105LA120UX
  仓库库存编号：VS-GT105LA120UX-ND
  
  规格：电流 - 集电极截止（最大值） 75μA,
• 无铅
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  IGBT 1200V 105A HS CHOP SOT-227
  详细描述：IGBT Module Trench Single 1200V 134A 463W Chassis Mount SOT-227
  
  型号：VS-GT105NA120UX
  仓库库存编号：VS-GT105NA120UX-ND
  
  规格：电流 - 集电极截止（最大值） 75μA,
• 无铅
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• Bourns Inc.
  TRANS NPN 60V 6A
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 6A 2W Through Hole TO-220
  
  型号：TIP41A-S
  仓库库存编号：TIP41A-S-ND
  
  规格：电流 - 集电极截止（最大值） 75μA,
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