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• Nexperia USA Inc.
  TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount TO-236AB (SOT23)
  
  型号：PDTA113ET,215
  仓库库存编号：PDTA113ET,215-ND
  别名：934058259215
  PDTA113ET T/R
  PDTA113ET T/R-ND
  
  规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 150mV @ 1.5mA，30mA,
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• Nexperia USA Inc.
  TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount SOT-323-3
  
  型号：PDTA113EU,115
  仓库库存编号：PDTA113EU,115-ND
  别名：934058794115
  PDTA113EU T/R
  PDTA113EU T/R-ND
  
  规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 150mV @ 1.5mA，30mA,
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• Nexperia USA Inc.
  TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount DFN1006-3
  
  型号：PDTA113EM,315
  仓库库存编号：PDTA113EM,315-ND
  别名：934058825315
  PDTA113EM T/R
  PDTA113EM T/R-ND
  
  规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 150mV @ 1.5mA，30mA,
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• Nexperia USA Inc.
  TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 180MHz 250mW Surface Mount 3-DFN1006B (0.6x1)
  
  型号：PDTA113EMB,315
  仓库库存编号：PDTA113EMB,315-ND
  别名：934065918315
  
  规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 150mV @ 1.5mA，30mA,
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• NXP USA Inc.
  TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-75
  
  型号：PDTA113EE,115
  仓库库存编号：PDTA113EE,115-ND
  别名：934058804115
  PDTA113EE T/R
  PDTA113EE T/R-ND
  
  规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 150mV @ 1.5mA，30mA,
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• NXP USA Inc.
  TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
  
  型号：PDTA113EK,115
  仓库库存编号：PDTA113EK,115-ND
  别名：934058836115
  PDTA113EK T/R
  PDTA113EK T/R-ND
  
  规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 150mV @ 1.5mA，30mA,
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• NXP USA Inc.
  TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：PDTA113ES,126
  仓库库存编号：PDTA113ES,126-ND
  别名：934058783126
  PDTA113ES AMO
  PDTA113ES AMO-ND
  
  规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 150mV @ 1.5mA，30mA,
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