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• Diodes Incorporated
  TRANS PREBIAS NPN 200MW SC59-3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SC-59-3
  
  型号：DDTC144EKA-7-F
  仓库库存编号：DDTC144EKA-7-F-ND
  
  规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
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• Diodes Incorporated
  TRANS PREBIAS NPN 200MW SC59-3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SC-59-3
  
  型号：DDTC144GKA-7-F
  仓库库存编号：DDTC144GKA-7-F-ND
  
  规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
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• Diodes Incorporated
  TRANS PREBIAS NPN 200MW SC59-3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SC-59-3
  
  型号：DDTC144VKA-7-F
  仓库库存编号：DDTC144VKA-7-F-ND
  
  规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
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• Diodes Incorporated
  TRANS PREBIAS NPN 200MW SC59-3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SC-59-3
  
  型号：DDTC144WKA-7-F
  仓库库存编号：DDTC144WKA-7-F-ND
  
  规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  TRANS PNP 30V 0.5A TO-92
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 30V 500mA 625mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：PN5138_D26Z
  仓库库存编号：PN5138_D26Z-ND
  
  规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  TRANS PNP 30V 0.5A TO-92
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 30V 500mA 625mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：PN5138_D75Z
  仓库库存编号：PN5138_D75Z-ND
  
  规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
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• Diodes Incorporated
  TRANS PREBIAS PNP 200MW SC59-3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SC-59-3
  
  型号：DDTA114EKA-7-F
  仓库库存编号：DDTA114EKA-7FDICT-ND
  别名：DDTA114EKA-7-FDICT
  DDTA114EKA-7-FDICT-ND
  DDTA114EKA-7FDICT
  
  规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
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• Diodes Incorporated
  TRANS PREBIAS NPN 200MW SC59-3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SC-59-3
  
  型号：DDTC114EKA-7-F
  仓库库存编号：DDTC114EKA-7FDICT-ND
  别名：DDTC114EKA-7-FDICT
  DDTC114EKA-7-FDICT-ND
  DDTC114EKA-7FDICT
  
  规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
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• Rohm Semiconductor
  TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VMN3
  
  型号：DTC114EBT2L
  仓库库存编号：DTC114EBT2L-ND
  
  规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
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• Rohm Semiconductor
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT5
  
  型号：FMG9AT248
  仓库库存编号：FMG9AT248-ND
  
  规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
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• Rohm Semiconductor
  TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W UMT6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V 100mA, 150mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
  
  型号：UMF24NTR
  仓库库存编号：UMF24NTR-ND
  
  规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
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• Infineon Technologies
  TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
  
  型号：BCR08PNB6327XT
  仓库库存编号：BCR08PNB6327XTTR-ND
  别名：BCR 08PN B6327
  BCR 08PN B6327-ND
  SP000010726
  
  规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
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• Infineon Technologies
  TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 170MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
  
  型号：BCR 108 B6327
  仓库库存编号：BCR 108 B6327-ND
  别名：BCR108B6327XT
  SP000056348
  
  规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
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• Infineon Technologies
  TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
  
  型号：BCR 108F E6327
  仓库库存编号：BCR 108F E6327-ND
  别名：BCR108FE6327XT
  SP000013046
  
  规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
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• Infineon Technologies
  TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
  
  型号：BCR 108L3 E6327
  仓库库存编号：BCR 108L3 E6327-ND
  别名：BCR108L3E6327XT
  SP000014758
  
  规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
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• Infineon Technologies
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
  
  型号：BCR108SE6327BTSA1
  仓库库存编号：BCR108SE6327BTSA1TR-ND
  别名：BCR 108S E6327
  BCR 108S E6327-ND
  BCR108SE6327XT
  SP000010743
  
  规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
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• Infineon Technologies
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
  
  型号：BCR108SE6433HTMA1
  仓库库存编号：BCR108SE6433HTMA1TR-ND
  别名：BCR 108S E6433
  BCR 108S E6433-ND
  BCR108SE6433XT
  SP000010740
  
  规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
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• Infineon Technologies
  TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
  
  型号：BCR 108T E6327
  仓库库存编号：BCR 108T E6327-ND
  别名：BCR108TE6327XT
  SP000012799
  
  规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
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• Infineon Technologies
  TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
  
  型号：BCR108WE6327BTSA1
  仓库库存编号：BCR108WE6327BTSA1TR-ND
  别名：BCR 108W E6327
  BCR 108W E6327-ND
  BCR108WE6327XT
  BCR169WE6327XT
  SP000010746
  
  规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
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• Infineon Technologies
  TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
  
  型号：BCR10PNB6327XT
  仓库库存编号：BCR10PNB6327XTTR-ND
  别名：BCR 10PN B6327
  BCR 10PN B6327-ND
  SP000010731
  
  规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
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• Infineon Technologies
  TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
  
  型号：BCR10PNE6327BTSA1
  仓库库存编号：BCR10PNE6327BTSA1TR-ND
  别名：BCR 10PN E6327
  BCR 10PN E6327-ND
  BCR10PNE6327XT
  SP000010732
  
  规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
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• Infineon Technologies
  TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 140MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
  
  型号：BCR 112F E6327
  仓库库存编号：BCR 112F E6327-ND
  别名：BCR112FE6327XT
  SP000014062
  
  规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
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  TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 140MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
  
  型号：BCR 112L3 E6327
  仓库库存编号：BCR 112L3 E6327-ND
  别名：BCR112L3E6327XT
  SP000014852
  
  规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
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  TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 140MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
  
  型号：BCR 112T E6327
  仓库库存编号：BCR 112T E6327-ND
  别名：BCR112TE6327XT
  SP000014126
  
  规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
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  TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 140MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
  
  型号：BCR112WE6327BTSA1
  仓库库存编号：BCR112WE6327BTSA1TR-ND
  别名：BCR 112W E6327
  BCR 112W E6327-ND
  BCR112WE6327
  BCR112WE6327XT
  SP000010748
  
  规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
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