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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号:
BCR 189F E6327
仓库库存编号:
BCR 189F E6327-ND
别名:BCR189FE6327XT
SP000014448
规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号:
BCR 189L3 E6327
仓库库存编号:
BCR 189L3 E6327-ND
别名:BCR189L3E6327XT
SP000014874
规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA,
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号:
BCR 189T E6327
仓库库存编号:
BCR 189T E6327-ND
别名:BCR189TE6327XT
SP000014818
规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号:
BCR 191F E6327
仓库库存编号:
BCR 191F E6327-ND
别名:BCR191FE6327XT
SP000014065
规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号:
BCR 191L3 E6327
仓库库存编号:
BCR 191L3 E6327-ND
别名:BCR191L3E6327XT
SP000014875
规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号:
BCR 191T E6327
仓库库存编号:
BCR 191T E6327-ND
别名:BCR191TE6327XT
SP000014789
规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号:
BCR191WE6327HTSA1
仓库库存编号:
BCR191WE6327HTSA1TR-ND
别名:BCR 191W E6327
BCR 191W E6327-ND
BCR191WE6327
SP000012275
规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号:
BCR 192 B6327
仓库库存编号:
BCR 192 B6327-ND
别名:BCR192B6327XT
SP000056349
规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA,
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号:
BCR 192F E6327
仓库库存编号:
BCR 192F E6327-ND
别名:BCR192FE6327XT
SP000014066
规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA,
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号:
BCR 192L3 E6327
仓库库存编号:
BCR 192L3 E6327-ND
别名:BCR192L3E6327XT
SP000014876
规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA,
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号:
BCR 192T E6327
仓库库存编号:
BCR 192T E6327-ND
别名:BCR192TE6327XT
SP000012808
规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号:
BCR192WE6327HTSA1
仓库库存编号:
BCR192WE6327HTSA1TR-ND
别名:BCR 192W E6327
BCR 192W E6327-ND
BCR192WE6327
BCR192WE6327XT
SP000010816
规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA,
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 70mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号:
BCR 196F E6327
仓库库存编号:
BCR 196F E6327-ND
别名:BCR196FE6327XT
SP000014449
规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA,
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 70mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号:
BCR 196L3 E6327
仓库库存编号:
BCR 196L3 E6327-ND
别名:BCR196L3E6327XT
SP000014877
规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA,
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 70mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号:
BCR 196T E6327
仓库库存编号:
BCR 196T E6327-ND
别名:BCR196TE6327XT
SP000014765
规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA,
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 70mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号:
BCR196WE6327HTSA1
仓库库存编号:
BCR196WE6327HTSA1TR-ND
别名:BCR 196W E6327
BCR 196W E6327-ND
BCR196WE6327
BCR196WE6327XT
SP000018040
规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA,
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 190MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号:
BCR198B6327HTLA1
仓库库存编号:
BCR198B6327HTLA1TR-ND
别名:BCR 198 B6327
BCR 198 B6327-ND
BCR198B6327HTSA1
BCR198B6327XT
SP000056350
规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 190MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号:
BCR 198F E6327
仓库库存编号:
BCR 198F E6327-ND
别名:BCR198FE6327XT
SP000013055
规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 70mA 190MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号:
BCR 198L3 E6327
仓库库存编号:
BCR 198L3 E6327-ND
别名:BCR198L3E6327XT
SP000014878
规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 190MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号:
BCR198SE6327BTSA1
仓库库存编号:
BCR198SE6327BTSA1TR-ND
别名:BCR 198S E6327
BCR 198S E6327-ND
BCR198SE6327XT
SP000010822
规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 70mA 190MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号:
BCR 198T E6327
仓库库存编号:
BCR 198T E6327-ND
别名:BCR198TE6327XT
SP000013045
规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 190MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号:
BCR198WE6327BTSA1
仓库库存编号:
BCR198WE6327BTSA1TR-ND
别名:BCR 198W E6327
BCR 198W E6327-ND
BCR198WE6327
BCR198WE6327XT
SP000010824
规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 70mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号:
BCR 199F E6327
仓库库存编号:
BCR 199F E6327-ND
别名:BCR199FE6327XT
SP000014879
规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 70mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号:
BCR 199L3 E6327
仓库库存编号:
BCR 199L3 E6327-ND
别名:BCR199L3E6327T
SP000014880
规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA,
含铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 70mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号:
BCR 199T E6327
仓库库存编号:
BCR 199T E6327-ND
别名:BCR199TE6327XT
SP000014816
规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA,
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