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Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR22PNE6327BTSA1
仓库库存编号：
BCR22PNE6327BTSA1TR-ND
别名：BCR 22PN E6327
BCR 22PN E6327-ND
BCR22PNE6327XT
SP000010826
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR22PNE6433HTMA1
仓库库存编号：
BCR22PNE6433HTMA1TR-ND
别名：BCR 22PN E6433
BCR 22PN E6433-ND
BCR22PNE6433XT
SP000010827
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR35PNE6327BTSA1
仓库库存编号：
BCR35PNE6327BTSA1TR-ND
别名：BCR 35PN E6327
BCR 35PN E6327-ND
BCR35PNE6327XT
SP000010831
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR35PNE6433HTMA1
仓库库存编号：
BCR35PNE6433HTMA1TR-ND
别名：BCR 35PN E6433
BCR 35PN E6433-ND
BCR35PNE6433XT
SP000010832
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 70mA, 100mA 100MHz, 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR48PNE6327BTSA1
仓库库存编号：
BCR48PNE6327BTSA1TR-ND
别名：BCR 48PN E6327
BCR 48PN E6327-ND
BCR48PNE6327XT
SP000010836
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 70mA, 100mA 100MHz, 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR48PNE6433BTMA1
仓库库存编号：
BCR48PNE6433BTMA1TR-ND
别名：BCR 48PN E6433
BCR 48PN E6433-ND
BCR48PNE6433XT
SP000010837
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR08PNE6327BTSA1
仓库库存编号：
BCR08PNE6327BTSA1CT-ND
别名：BCR08PNE6327
BCR08PNE6327INCT
BCR08PNE6327INCT-ND
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SC74
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SC74-6
型号：
BCR183UE6327HTSA1
仓库库存编号：
BCR183UE6327HTSA1-ND
别名：BCR 183U E6327
BCR 183U E6327-ND
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR108SH6433XTMA1
仓库库存编号：
BCR108SH6433XTMA1TR-ND
别名：BCR 108S H6433
BCR 108S H6433-ND
SP000750778
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
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Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR 116S E6727
仓库库存编号：
BCR 116S E6727-ND
别名：SP000679396
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
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Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR 116S H6727
仓库库存编号：
BCR 116S H6727-ND
别名：SP000752048
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
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Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR 141S E6727
仓库库存编号：
BCR 141S E6727-ND
别名：SP000679398
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
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Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR 141S H6727
仓库库存编号：
BCR 141S H6727-ND
别名：SP000756254
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
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Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 100MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR 148S H6827
仓库库存编号：
BCR 148S H6827-ND
别名：SP000756266
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 100MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR 148W H6433
仓库库存编号：
BCR 148W H6433-ND
别名：SP000756242
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
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Infineon Technologies
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR183SH6433XTMA1
仓库库存编号：
BCR183SH6433XTMA1-ND
别名：BCR 183S H6433
BCR 183S H6433-ND
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
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TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 190MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR198SH6827XTSA1
仓库库存编号：
BCR198SH6827XTSA1-ND
别名：BCR 198S H6827
BCR 198S H6827-ND
SP000757908
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR 22PN H6727
仓库库存编号：
BCR 22PN H6727-ND
别名：SP000766122
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 70mA, 100mA 100MHz, 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR 48PN H6727
仓库库存编号：
BCR 48PN H6727-ND
别名：SP000784046
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN SOT23
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 100mA 150MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR116E6393HTSA1
仓库库存编号：
BCR116E6393HTSA1-ND
别名：SP000010750
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN SOT23
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 130MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR133E6393HTSA1
仓库库存编号：
BCR133E6393HTSA1-ND
别名：SP000010758
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP SOT23
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR135E6359HTMA1
仓库库存编号：
BCR135E6359HTMA1-ND
别名：SP000010766
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP SOT23
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 100MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR148E6393HTSA1
仓库库存编号：
BCR148E6393HTSA1-ND
别名：SP000010779
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP SOT23
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR183E6359HTMA1
仓库库存编号：
BCR183E6359HTMA1-ND
别名：SP000010801
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
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TRANS PREBIAS PNP SOT23
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR192E6785HTSA1
仓库库存编号：
BCR192E6785HTSA1-ND
别名：SP000010815
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
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