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• NXP USA Inc.
  TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：PDTD123TS,126
  仓库库存编号：PDTD123TS,126-ND
  别名：934059726126
  PDTD123TS AMO
  PDTD123TS AMO-ND
  
  规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 2.5mA，50mA,
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• NXP USA Inc.
  TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：PDTD123YS,126
  仓库库存编号：PDTD123YS,126-ND
  别名：934059147126
  PDTD123YS AMO
  PDTD123YS AMO-ND
  
  规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 2.5mA，50mA,
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• NXP USA Inc.
  TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
  
  型号：PDTD113EK,115
  仓库库存编号：PDTD113EK,115-ND
  别名：934058965115
  PDTD113EK T/R
  PDTD113EK T/R-ND
  
  规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 2.5mA，50mA,
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• NXP USA Inc.
  TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
  
  型号：PDTD113ZK,115
  仓库库存编号：PDTD113ZK,115-ND
  别名：934058969115
  PDTD113ZK T/R
  PDTD113ZK T/R-ND
  
  规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 2.5mA，50mA,
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• NXP USA Inc.
  TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
  
  型号：PDTD123EK,115
  仓库库存编号：PDTD123EK,115-ND
  别名：934058967115
  PDTD123EK T/R
  PDTD123EK T/R-ND
  
  规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 2.5mA，50mA,
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• NXP USA Inc.
  TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
  
  型号：PDTD123YK,115
  仓库库存编号：PDTD123YK,115-ND
  别名：934058972115
  PDTD123YK T/R
  PDTD123YK T/R-ND
  
  规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 2.5mA，50mA,
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• Infineon Technologies
  TRANS PREBIAS NPN 300MW SOT23-3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 100MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3
  
  型号：BCR 503 B6327
  仓库库存编号：BCR 503 B6327-ND
  别名：BCR503B6327XT
  SP000056345
  
  规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 2.5mA，50mA,
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• Infineon Technologies
  TRANS PREBIAS NPN 300MW SOT23-3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 100MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3
  
  型号：BCR 512 B6327
  仓库库存编号：BCR 512 B6327-ND
  别名：BCR512B6327XT
  SP000056341
  
  规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 2.5mA，50mA,
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• Infineon Technologies
  TRANS PREBIAS NPN 300MW SOT23-3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 100MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3
  
  型号：BCR 519 E6327
  仓库库存编号：BCR 519 E6327-ND
  别名：BCR519E6327XT
  SP000015052
  
  规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 2.5mA，50mA,
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• Infineon Technologies
  TRANS PREBIAS PNP 300MW SOT23-3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 150MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3
  
  型号：BCR 569 E6327
  仓库库存编号：BCR 569 E6327-ND
  别名：BCR569E6327XT
  SP000015053
  
  规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 2.5mA，50mA,
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• NXP USA Inc.
  TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
  
  型号：PDTB113EK,115
  仓库库存编号：PDTB113EK,115-ND
  别名：934058968115
  PDTB113EK T/R
  PDTB113EK T/R-ND
  
  规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 2.5mA，50mA,
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• NXP USA Inc.
  TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
  
  型号：PDTB113ZK,115
  仓库库存编号：PDTB113ZK,115-ND
  别名：934058971115
  PDTB113ZK T/R
  PDTB113ZK T/R-ND
  
  规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 2.5mA，50mA,
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• NXP USA Inc.
  TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
  
  型号：PDTB123EK,115
  仓库库存编号：PDTB123EK,115-ND
  别名：934058966115
  PDTB123EK T/R
  PDTB123EK T/R-ND
  
  规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 2.5mA，50mA,
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• NXP USA Inc.
  TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
  
  型号：PDTB123YK,115
  仓库库存编号：PDTB123YK,115-ND
  别名：934058973115
  PDTB123YK T/R
  PDTB123YK T/R-ND
  
  规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 2.5mA，50mA,
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  TRANS PREBIAS PNP SOT23
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 100MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3
  
  型号：BCR503E6393HTSA1
  仓库库存编号：BCR503E6393HTSA1-ND
  别名：SP000010840
  
  规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 2.5mA，50mA,
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• Infineon Technologies
  TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT23
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 100MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3
  
  型号：BCR505E6778HTSA1
  仓库库存编号：BCR505E6778HTSA1-ND
  别名：SP000455114
  
  规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 2.5mA，50mA,
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