规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 288MBIT 400MHZ 144UBGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 288Mb (8M x 36) 并联 400MHz 20ns 144-μBGA(18.5x11)
型号:
MT49H8M36FM-25:B TR
仓库库存编号:
MT49H8M36FM-25:B TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 288MBIT 300MHZ 144UBGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 288Mb (8M x 36) 并联 300MHz 20ns 144-μBGA(18.5x11)
型号:
MT49H8M36FM-33:B TR
仓库库存编号:
MT49H8M36FM-33:B TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 288MBIT 400MHZ 144FBGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 288Mb (16M x 18) 并联 400MHz 20ns 144-FBGA(18.5x11)
型号:
MT49H16M18SJ-25:B TR
仓库库存编号:
MT49H16M18SJ-25:B TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 288MBIT 400MHZ 144FBGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 288Mb (8M x 36) 并联 400MHz 20ns 144-FBGA(18.5x11)
型号:
MT49H8M36SJ-25:B TR
仓库库存编号:
MT49H8M36SJ-25:B TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 288MBIT 400MHZ 144FBGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 288Mb (32M x 9) 并联 400MHz 20ns 144-FBGA(18.5x11)
型号:
MT49H32M9SJ-25:B TR
仓库库存编号:
MT49H32M9SJ-25:B TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 288MBIT 400MHZ 144FBGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 288Mb (8M x 36) 并联 400MHz 20ns 144-FBGA(18.5x11)
型号:
MT49H8M36SJ-25:B
仓库库存编号:
MT49H8M36SJ-25:B-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 288MBIT 400MHZ 144FBGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 288Mb (32M x 9) 并联 400MHz 20ns 144-FBGA(18.5x11)
型号:
MT49H32M9SJ-25:B
仓库库存编号:
MT49H32M9SJ-25:B-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 2GBIT 333MHZ 84BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb (128M x 16) 并联 333MHz 450ps 84-LFBGA(10.5x13.5)
型号:
IS46DR16128A-3DBLA2-TR
仓库库存编号:
IS46DR16128A-3DBLA2-TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 84FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb (128M x 16) 并联 400MHz 400ps 84-FBGA(9x12.5)
型号:
MT47H128M16RT-25E AAT:C
仓库库存编号:
MT47H128M16RT-25E AAT:C-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 84FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb (128M x 16) 并联 400MHz 400ps 84-FBGA(9x12.5)
型号:
MT47H128M16RT-25E AAT:C TR
仓库库存编号:
MT47H128M16RT-25E AAT:C TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 18MBIT 250MHZ 165FBGA
详细描述:SRAM - 同步,QDR II 存储器 IC 18Mb (1M x 18) 并联 250MHz 165-FBGA(13x15)
型号:
CY7C1312KV18-250BZCT
仓库库存编号:
CY7C1312KV18-250BZCT-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
含铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 18MBIT 250MHZ 165FBGA
详细描述:SRAM - 同步,DDR II 存储器 IC 18Mb (512K x 36) 并联 250MHz 165-FBGA(13x15)
型号:
CY7C1320KV18-250BZCT
仓库库存编号:
CY7C1320KV18-250BZCT-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
含铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 18MBIT 250MHZ 165FBGA
详细描述:SRAM - 同步,QDR II 存储器 IC 18Mb (1M x 18) 并联 250MHz 165-FBGA(13x15)
型号:
CY7C1312KV18-250BZXCT
仓库库存编号:
CY7C1312KV18-250BZXCT-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 128KBIT 55NS 81CABGA
详细描述:SRAM - 双端口,异步 存储器 IC 128Kb (8K x 16) 并联 55ns 81-CABGA(5x5)
型号:
70P254L55BYGI
仓库库存编号:
70P254L55BYGI-ND
别名:IDT70P254L55BYGI
IDT70P254L55BYGI-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 64KBIT 65NS 100FBGA
详细描述:SRAM - 双端口,异步 存储器 IC 64Kb (4K x 16) 并联 65ns 100-CABGA(6x6)
型号:
70P249L65BYGI
仓库库存编号:
70P249L65BYGI-ND
别名:IDT70P249L65BYGI
IDT70P249L65BYGI-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 128GBIT 153VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 128Gb (16G x 8) MMC
型号:
MTFC16GAKAECN-5M AIT
仓库库存编号:
MTFC16GAKAECN-5M AIT-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 288MBIT 144FBGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 288Mb (8M x 36) 并联 144-FBGA(18.5x11)
型号:
MT49H8M36SJ-TI:B
仓库库存编号:
MT49H8M36SJ-TI:B-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 288MBIT 144FBGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 288Mb (8M x 36) 并联 144-FBGA(18.5x11)
型号:
MT49H8M36SJ-TI:B TR
仓库库存编号:
MT49H8M36SJ-TI:B TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 63FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb (256M x 8) 并联 400MHz 400ps 63-FBGA(8x10)
型号:
MT47H256M8THN-25E:M TR
仓库库存编号:
MT47H256M8THN-25E:M TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 2GBIT 333MHZ 84BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb (128M x 16) 并联 333MHz 450ps 84-LFBGA(10.5x13.5)
型号:
IS46DR16128A-3DBLA2
仓库库存编号:
IS46DR16128A-3DBLA2-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 63FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb (256M x 8) 并联 400MHz 400ps 63-FBGA(8x10)
型号:
MT47H256M8THN-25E:M
仓库库存编号:
MT47H256M8THN-25E:M-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 18MBIT 250MHZ 165FBGA
详细描述:SRAM - 同步,QDR II 存储器 IC 18Mb (512K x 36) 并联 250MHz 165-FBGA(13x15)
型号:
CY7C1315KV18-250BZCT
仓库库存编号:
CY7C1315KV18-250BZCT-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
含铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 18MBIT 300MHZ 165FBGA
详细描述:SRAM - 同步,QDR II 存储器 IC 18Mb (2M x 9) 并联 300MHz 165-FBGA(13x15)
型号:
CY7C1911KV18-300BZCT
仓库库存编号:
CY7C1911KV18-300BZCT-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 18MBIT 300MHZ 165FBGA
详细描述:SRAM - 同步,QDR II 存储器 IC 18Mb (1M x 18) 并联 300MHz 165-FBGA(13x15)
型号:
CY7C1312KV18-300BZXCT
仓库库存编号:
CY7C1312KV18-300BZXCT-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 128KBIT 65NS 100FBGA
详细描述:SRAM - 双端口,异步 存储器 IC 128Kb (8K x 16) 并联 65ns 100-CABGA(6x6)
型号:
70P255L65BYGI8
仓库库存编号:
70P255L65BYGI8-ND
别名:IDT70P255L65BYGI8
IDT70P255L65BYGI8-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
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