规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 533MHZ 60FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb (128M x 8) 并联 533MHz 350ps 60-FBGA(8x10)
型号:
MT47H128M8SH-187E:M
仓库库存编号:
MT47H128M8SH-187E:M-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 533MHZ 84FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb (32M x 16) 并联 533MHz 350ps 84-FBGA(8x12.5)
型号:
MT47H32M16NF-187E:H
仓库库存编号:
MT47H32M16NF-187E:H-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 256MBIT 400MHZ 84BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 400MHz 400ns 84-TWBGA(8x12.5)
型号:
IS43DR16160A-25EBL
仓库库存编号:
IS43DR16160A-25EBL-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 256MBIT 400MHZ 84BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 400MHz 400ns 84-TWBGA(8x12.5)
型号:
IS43DR16160A-25EBLI
仓库库存编号:
IS43DR16160A-25EBLI-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 256MBIT 400MHZ 84BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 400MHz 400ns 84-TWBGA(8x12.5)
型号:
IS43DR16160A-25EBLI-TR
仓库库存编号:
IS43DR16160A-25EBLI-TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 256MBIT 400MHZ 84BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 400MHz 400ns 84-TWBGA(8x12.5)
型号:
IS43DR16160A-25EBL-TR
仓库库存编号:
IS43DR16160A-25EBL-TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 256MBIT 267MHZ 84BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 266MHz 500ps 84-TWBGA(8x12.5)
型号:
IS43DR16160A-37CBLI-TR
仓库库存编号:
IS43DR16160A-37CBLI-TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 256MBIT 267MHZ 84BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 266MHz 500ps 84-TWBGA(8x12.5)
型号:
IS43DR16160A-37CBL-TR
仓库库存编号:
IS43DR16160A-37CBL-TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 256MBIT 333MHZ 84BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 333MHz 450ps 84-TWBGA(8x12.5)
型号:
IS43DR16160A-3DBI
仓库库存编号:
IS43DR16160A-3DBI-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
含铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 256MBIT 333MHZ 84BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 333MHz 450ps 84-TWBGA(8x12.5)
型号:
IS43DR16160A-3DBI-TR
仓库库存编号:
IS43DR16160A-3DBI-TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
含铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 256MBIT 333MHZ 84BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 333MHz 450ps 84-TWBGA(8x12.5)
型号:
IS43DR16160A-3DBL
仓库库存编号:
IS43DR16160A-3DBL-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 256MBIT 333MHZ 84BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 333MHz 450ps 84-TWBGA(8x12.5)
型号:
IS43DR16160A-3DBLI
仓库库存编号:
IS43DR16160A-3DBLI-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 256MBIT 333MHZ 84BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 333MHz 450ps 84-TWBGA(8x12.5)
型号:
IS43DR16160A-3DBLI-TR
仓库库存编号:
IS43DR16160A-3DBLI-TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 256MBIT 333MHZ 84BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 333MHz 450ps 84-TWBGA(8x12.5)
型号:
IS43DR16160A-3DBL-TR
仓库库存编号:
IS43DR16160A-3DBL-TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 84BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 200MHz 600ps 84-TWBGA(8x12.5)
型号:
IS43DR16160A-5BBLI
仓库库存编号:
IS43DR16160A-5BBLI-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 84BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 200MHz 600ps 84-TWBGA(8x12.5)
型号:
IS43DR16160A-5BBLI-TR
仓库库存编号:
IS43DR16160A-5BBLI-TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 512MBIT 333MHZ 60BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb (64M x 8) 并联 333MHz 450ps 60-TWBGA(10.5x8)
型号:
IS43DR86400C-3DBI
仓库库存编号:
IS43DR86400C-3DBI-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
含铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 512MBIT 333MHZ 60BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb (64M x 8) 并联 333MHz 450ps 60-TWBGA(10.5x8)
型号:
IS43DR86400C-3DBI-TR
仓库库存编号:
IS43DR86400C-3DBI-TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
含铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 1GBIT 400MHZ 84BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb (64M x 16) 并联 400MHz 400ps 84-TWBGA(8x12.5)
型号:
IS46DR16640B-25EBLA1
仓库库存编号:
IS46DR16640B-25EBLA1-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 1GBIT 400MHZ 84BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb (64M x 16) 并联 400MHz 400ps 84-TWBGA(8x12.5)
型号:
IS46DR16640B-25EBLA1-TR
仓库库存编号:
IS46DR16640B-25EBLA1-TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 288MBIT 400MHZ 144BGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 288Mb (16M x 18) 并联 400MHz 20ns 144-FCBGA(11x18.5)
型号:
IS49NLC18160-25B
仓库库存编号:
IS49NLC18160-25B-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
含铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 288MBIT 400MHZ 144BGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 288Mb (16M x 18) 并联 400MHz 20ns 144-FCBGA(11x18.5)
型号:
IS49NLC18160-25BI
仓库库存编号:
IS49NLC18160-25BI-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
含铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 288MBIT 400MHZ 144BGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 288Mb (16M x 18) 并联 400MHz 20ns 144-FCBGA(11x18.5)
型号:
IS49NLC18160-25BL
仓库库存编号:
IS49NLC18160-25BL-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 288MBIT 400MHZ 144BGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 288Mb (16M x 18) 并联 400MHz 20ns 144-FCBGA(11x18.5)
型号:
IS49NLC18160-25BLI
仓库库存编号:
IS49NLC18160-25BLI-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 288MBIT 300MHZ 144BGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 288Mb (16M x 18) 并联 300MHz 20ns 144-FCBGA(11x18.5)
型号:
IS49NLC18160-33B
仓库库存编号:
IS49NLC18160-33B-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
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