规格：电压 - 电源 1.28 V ~ 1.42 V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(65)
集成电路（IC）
(65)
筛选品牌
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc (24)
Micron Technology Inc. (41)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 800MHZ 168FBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （16M x 36） 并联 800MHz 12ns 168-BGA
型号：
MT44K16M36RB-125:A
仓库库存编号：
557-1552-ND
别名：557-1552
MT44K16M36RB-125
MT44K16M36RB125A
规格：电压 - 电源 1.28 V ~ 1.42 V,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 800MHZ 168FBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （32M x 18） 并联 800MHz 12ns 168-BGA
型号：
MT44K32M18RB-125:A
仓库库存编号：
557-1547-ND
别名：557-1547
MT44K32M18RB-125
MT44K32M18RB125A
规格：电压 - 电源 1.28 V ~ 1.42 V,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 800MHZ 168FBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （16M x 36） 并联 800MHz 12ns 168-BGA
型号：
MT44K16M36RB-125:A TR
仓库库存编号：
MT44K16M36RB-125:A TR-ND
规格：电压 - 电源 1.28 V ~ 1.42 V,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 800MHZ 168FBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （32M x 18） 并联 800MHz 12ns 168-BGA
型号：
MT44K32M18RB-125:A TR
仓库库存编号：
MT44K32M18RB-125:A TR-ND
规格：电压 - 电源 1.28 V ~ 1.42 V,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 800MHZ 168FBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （16M x 36） 并联 800MHz 10ns 168-BGA
型号：
MT44K16M36RB-125E:A
仓库库存编号：
557-1551-ND
别名：557-1551
MT44K16M36RB-125E
MT44K16M36RB125EA
规格：电压 - 电源 1.28 V ~ 1.42 V,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 800MHZ 168FBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （32M x 18） 并联 800MHz 10ns 168-BGA
型号：
MT44K32M18RB-125E:A
仓库库存编号：
557-1550-ND
别名：557-1550
MT44K32M18RB-125E
MT44K32M18RB125EA
规格：电压 - 电源 1.28 V ~ 1.42 V,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 800MHZ 168FBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （16M x 36） 并联 800MHz 10ns 168-BGA
型号：
MT44K16M36RB-125E:A TR
仓库库存编号：
MT44K16M36RB-125E:A TR-ND
规格：电压 - 电源 1.28 V ~ 1.42 V,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 800MHZ 168FBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （32M x 18） 并联 800MHz 10ns 168-BGA
型号：
MT44K32M18RB-125E:A TR
仓库库存编号：
MT44K32M18RB-125E:A TR-ND
规格：电压 - 电源 1.28 V ~ 1.42 V,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 933MHZ 168FBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （32M x 18） 并联 933MHz 8ns 168-BGA
型号：
MT44K32M18RB-107E:B TR
仓库库存编号：
MT44K32M18RB-107E:B TR-ND
规格：电压 - 电源 1.28 V ~ 1.42 V,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 933MHZ 168FBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （16M x 36） 并联 933MHz 8ns 168-BGA
型号：
MT44K16M36RB-107E:A TR
仓库库存编号：
MT44K16M36RB-107E:A TR-ND
规格：电压 - 电源 1.28 V ~ 1.42 V,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 800MHZ 168FBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （16M x 36） 并联 800MHz 8ns 168-BGA
型号：
MT44K16M36RB-125F:A TR
仓库库存编号：
MT44K16M36RB-125F:A TR-ND
规格：电压 - 电源 1.28 V ~ 1.42 V,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 933MHZ 168FBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （32M x 18） 并联 933MHz 8ns 168-BGA
型号：
MT44K32M18RB-107E:A TR
仓库库存编号：
MT44K32M18RB-107E:A TR-ND
规格：电压 - 电源 1.28 V ~ 1.42 V,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 800MHZ 168FBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （32M x 18） 并联 800MHz 10ns 168-BGA
型号：
MT44K32M18RB-125E IT:A TR
仓库库存编号：
MT44K32M18RB-125E IT:A TR-ND
规格：电压 - 电源 1.28 V ~ 1.42 V,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 800MHZ 168FBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （32M x 18） 并联 800MHz 8ns 168-BGA
型号：
MT44K32M18RB-125F:A TR
仓库库存编号：
MT44K32M18RB-125F:A TR-ND
规格：电压 - 电源 1.28 V ~ 1.42 V,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 933MHZ 168FBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （16M x 36） 并联 933MHz 8ns 168-BGA
型号：
MT44K16M36RB-107E:A
仓库库存编号：
MT44K16M36RB-107E:A-ND
规格：电压 - 电源 1.28 V ~ 1.42 V,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 800MHZ 168FBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （16M x 36） 并联 800MHz 8ns 168-BGA
型号：
MT44K16M36RB-125F:A
仓库库存编号：
MT44K16M36RB-125F:A-ND
规格：电压 - 电源 1.28 V ~ 1.42 V,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 933MHZ 168FBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （32M x 18） 并联 933MHz 8ns 168-BGA
型号：
MT44K32M18RB-107E:A
仓库库存编号：
MT44K32M18RB-107E:A-ND
规格：电压 - 电源 1.28 V ~ 1.42 V,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 800MHZ 168FBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （32M x 18） 并联 800MHz 10ns 168-BGA
型号：
MT44K32M18RB-125E IT:A
仓库库存编号：
MT44K32M18RB-125E IT:A-ND
规格：电压 - 电源 1.28 V ~ 1.42 V,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 800MHZ 168FBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （32M x 18） 并联 800MHz 8ns 168-BGA
型号：
MT44K32M18RB-125F:A
仓库库存编号：
MT44K32M18RB-125F:A-ND
规格：电压 - 电源 1.28 V ~ 1.42 V,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 1.067GHZ FBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （32M x 18） 并联 1067MHz 8ns 168-BGA
型号：
MT44K32M18RB-093E:B TR
仓库库存编号：
MT44K32M18RB-093E:B TR-ND
规格：电压 - 电源 1.28 V ~ 1.42 V,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 1.067GHZ FBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （32M x 18） 并联 1067MHz 8ns 168-BGA
型号：
MT44K32M18RB-093E:A
仓库库存编号：
557-1548-ND
别名：557-1548
MT44K32M18RB-093E
MT44K32M18RB093EA
规格：电压 - 电源 1.28 V ~ 1.42 V,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 1.067GHZ FBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （16M x 36） 并联 1067MHz 8ns 168-BGA
型号：
MT44K16M36RB-093E:A TR
仓库库存编号：
MT44K16M36RB-093E:A TR-ND
规格：电压 - 电源 1.28 V ~ 1.42 V,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 1.067GHZ FBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （32M x 18） 并联 1067MHz 8ns 168-BGA
型号：
MT44K32M18RB-093E:A TR
仓库库存编号：
MT44K32M18RB-093E:A TR-ND
规格：电压 - 电源 1.28 V ~ 1.42 V,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 1.067GHZ FBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （16M x 36） 并联 1067MHz 8ns 168-BGA
型号：
MT44K16M36RB-093E:A
仓库库存编号：
MT44K16M36RB-093E:A-ND
规格：电压 - 电源 1.28 V ~ 1.42 V,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 1.067GHZ FBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （16M x 36） 并联 1067MHz 8ns 168-BGA
型号：
MT44K16M36RB-093E IT:A TR
仓库库存编号：
MT44K16M36RB-093E IT:A TR-ND
规格：电压 - 电源 1.28 V ~ 1.42 V,
无铅
搜索
1
2
3
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
