规格：电压 - 电源 1.283 V ~ 1.45 V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 96FBGA
详细描述：SDRAM - DDR3L 存储器 IC 1Gb （64M x 16） 并联 20ns 96-FBGA（8x14）
型号：
MT41K64M16TW-107:J TR
仓库库存编号：
MT41K64M16TW-107:J TR-ND
规格：电压 - 电源 1.283 V ~ 1.45 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78FBGA
详细描述：SDRAM - DDR3L 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 20ns 78-FBGA（8x10.5）
型号：
MT41K128M8DA-107:J TR
仓库库存编号：
MT41K128M8DA-107:J TR-ND
规格：电压 - 电源 1.283 V ~ 1.45 V,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 2GBIT 667MHZ 78BGA
详细描述：SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 20ns 78-TWBGA（8x10.5）
型号：
IS43TR82560BL-15HBL-TR
仓库库存编号：
IS43TR82560BL-15HBL-TR-ND
规格：电压 - 电源 1.283 V ~ 1.45 V,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 2GBIT 800MHZ 96BGA
详细描述：SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb （128M x 16） 并联 20ns 96-TWBGA（9x13）
型号：
IS43TR16128BL-125KBL-TR
仓库库存编号：
IS43TR16128BL-125KBL-TR-ND
规格：电压 - 电源 1.283 V ~ 1.45 V,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 2GBIT 667MHZ 96BGA
详细描述：SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb （128M x 16） 并联 20ns 96-TWBGA（9x13）
型号：
IS43TR16128BL-15HBL-TR
仓库库存编号：
IS43TR16128BL-15HBL-TR-ND
规格：电压 - 电源 1.283 V ~ 1.45 V,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 2GBIT 800MHZ 78BGA
详细描述：SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 20ns 78-WBGA（10.5x8）
型号：
W632GU8KB12I TR
仓库库存编号：
W632GU8KB12I TR-ND
规格：电压 - 电源 1.283 V ~ 1.45 V,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 2GBIT 667MHZ 78BGA
详细描述：SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 20ns 78-WBGA（10.5x8）
型号：
W632GU8KB15I TR
仓库库存编号：
W632GU8KB15I TR-ND
规格：电压 - 电源 1.283 V ~ 1.45 V,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 2GBIT 800MHZ 96BGA
详细描述：SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb （128M x 16） 并联 20ns 96-WBGA（9x13）
型号：
W632GU6KB12I TR
仓库库存编号：
W632GU6KB12I TR-ND
规格：电压 - 电源 1.283 V ~ 1.45 V,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 2GBIT 667MHZ 96BGA
详细描述：SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb （128M x 16） 并联 20ns 96-WBGA（9x13）
型号：
W632GU6KB15I TR
仓库库存编号：
W632GU6KB15I TR-ND
规格：电压 - 电源 1.283 V ~ 1.45 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78FBGA
详细描述：SDRAM - DDR3 存储器 IC 1Gb （256M x 4） 并联 20ns 78-FBGA（8x10.5）
型号：
MT41K256M4DA-107:J TR
仓库库存编号：
MT41K256M4DA-107:J TR-ND
规格：电压 - 电源 1.283 V ~ 1.45 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78FBGA
详细描述：SDRAM - DDR3L 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 20ns 78-FBGA（8x10.5）
型号：
MT41K128M8DA-107 IT:J TR
仓库库存编号：
MT41K128M8DA-107 IT:J TR-ND
规格：电压 - 电源 1.283 V ~ 1.45 V,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 96FBGA
详细描述：SDRAM - DDR3L 存储器 IC 1Gb （64M x 16） 并联 20ns 96-FBGA（8x14）
型号：
MT41K64M16TW-107 IT:J TR
仓库库存编号：
MT41K64M16TW-107 IT:J TR-ND
规格：电压 - 电源 1.283 V ~ 1.45 V,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 2GBIT 667MHZ 78BGA
详细描述：SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 20ns 78-TWBGA（8x10.5）
型号：
IS43TR82560BL-15HBL
仓库库存编号：
IS43TR82560BL-15HBL-ND
规格：电压 - 电源 1.283 V ~ 1.45 V,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78FBGA
详细描述：SDRAM - DDR3 存储器 IC 1Gb （256M x 4） 并联 20ns 78-FBGA（8x10.5）
型号：
MT41K256M4DA-107:J
仓库库存编号：
MT41K256M4DA-107:J-ND
规格：电压 - 电源 1.283 V ~ 1.45 V,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78FBGA
详细描述：SDRAM - DDR3L 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 20ns 78-FBGA（8x10.5）
型号：
MT41K128M8DA-107 IT:J
仓库库存编号：
MT41K128M8DA-107 IT:J-ND
规格：电压 - 电源 1.283 V ~ 1.45 V,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 96FBGA
详细描述：SDRAM - DDR3L 存储器 IC 1Gb （64M x 16） 并联 20ns 96-FBGA（8x14）
型号：
MT41K64M16TW-107 IT:J
仓库库存编号：
MT41K64M16TW-107 IT:J-ND
规格：电压 - 电源 1.283 V ~ 1.45 V,
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Alliance Memory, Inc.
IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA
详细描述：SDRAM - DDR3L 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 20ns 78-FBGA（8x10.5）
型号：
AS4C128M8D3L-12BIN
仓库库存编号：
1450-1092-ND
别名：1450-1092
规格：电压 - 电源 1.283 V ~ 1.45 V,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 800MHZ 78FBGA
详细描述：SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 13.75ns 78-FBGA（8x10.5）
型号：
MT41K256M8DA-125:K TR
仓库库存编号：
MT41K256M8DA-125:K TR-ND
规格：电压 - 电源 1.283 V ~ 1.45 V,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 933MHZ 96FBGA
详细描述：SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb （128M x 16） 并联 20ns 96-FBGA（8x14）
型号：
MT41K128M16JT-107:K TR
仓库库存编号：
MT41K128M16JT-107:K TR-ND
规格：电压 - 电源 1.283 V ~ 1.45 V,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 800MHZ 96FBGA
详细描述：SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb （128M x 16） 并联 13.75ns 96-FBGA（8x14）
型号：
MT41K128M16JT-125:K TR
仓库库存编号：
MT41K128M16JT-125:K TR-ND
规格：电压 - 电源 1.283 V ~ 1.45 V,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 933MHZ 78FBGA
详细描述：SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 20ns 78-FBGA（8x10.5）
型号：
MT41K256M8DA-107:K TR
仓库库存编号：
MT41K256M8DA-107:K TR-ND
规格：电压 - 电源 1.283 V ~ 1.45 V,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 800MHZ 78FBGA
详细描述：SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb （512M x 4） 并联 13.75ns 78-FBGA（8x10.5）
型号：
MT41K512M4DA-125:K TR
仓库库存编号：
MT41K512M4DA-125:K TR-ND
规格：电压 - 电源 1.283 V ~ 1.45 V,
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Micron Technology Inc.
IC DDR3 SDRAM 1GBIT 96FBGA
详细描述：SDRAM - DDR3L 存储器 IC 1Gb （64M x 16） 并联 20ns 96-FBGA（8x14）
型号：
MT41K64M16TW-107 XIT:J TR
仓库库存编号：
MT41K64M16TW-107 XIT:J TR-ND
规格：电压 - 电源 1.283 V ~ 1.45 V,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 933MHZ 96FBGA
详细描述：SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb （128M x 16） 并联 20ns 96-FBGA（8x14）
型号：
MT41K128M16JT-107:K
仓库库存编号：
MT41K128M16JT-107:K-ND
规格：电压 - 电源 1.283 V ~ 1.45 V,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 800MHZ 96FBGA
详细描述：SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb （128M x 16） 并联 13.75ns 96-FBGA（8x14）
型号：
MT41K128M16JT-125:K
仓库库存编号：
MT41K128M16JT-125:K-ND
规格：电压 - 电源 1.283 V ~ 1.45 V,
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