规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Winbond Electronics
IC SDRAM 1GBIT 200MHZ 90TFBGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 1Gb (32M x 32) 并联 5ns 90-VFBGA(8x13)
型号:
W94AD2KBJX5E TR
仓库库存编号:
W94AD2KBJX5E TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 1GBIT 200MHZ 60TFBGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 1Gb (64M x 16) 并联 5ns 60-VFBGA(8x9)
型号:
W94AD6KBHX5I TR
仓库库存编号:
W94AD6KBHX5I TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Winbond Electronics
IC PSRAM 64MBIT 133MHZ 54VFBGA
详细描述:PSRAM(伪 SRAM) 存储器 IC 64Mb (4M x 16) 并联 70ns 54-VFBGA(6x8)
型号:
W966D6HBGX7I
仓库库存编号:
W966D6HBGX7I-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 64MBIT 166MHZ 90BGA
详细描述:SDRAM - 移动 存储器 IC 64Mb (2M x 32) 并联 5.5ns 90-TFBGA(8x13)
型号:
IS42VM32200M-6BLI-TR
仓库库存编号:
IS42VM32200M-6BLI-TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 1GBIT 200MHZ 90TFBGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 1Gb (32M x 32) 并联 5ns 90-VFBGA(8x13)
型号:
W94AD2KBJX5I TR
仓库库存编号:
W94AD2KBJX5I TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 64MBIT 166MHZ 60BGA
详细描述:SDRAM - 移动 DDR 存储器 IC 64Mb (4M x 16) 并联 5.5ns 60-TFBGA(8x10)
型号:
IS43LR16400C-6BLI
仓库库存编号:
IS43LR16400C-6BLI-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 64MBIT 166MHZ 90BGA
详细描述:SDRAM - 移动 DDR 存储器 IC 64Mb (2M x 32) 并联 5.5ns 90-TFBGA(8x13)
型号:
IS43LR32200C-6BLI-TR
仓库库存编号:
IS43LR32200C-6BLI-TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC FLASH 64MBIT 108MHZ 44VTBGA
详细描述:FLASH - NOR 存储器 IC 64Mb (4M x 16) 并联 80ns 44-VTBGA(7.5x5)
型号:
S29VS064RABBHW010
仓库库存编号:
S29VS064RABBHW010-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 64MBIT 133MHZ 90BGA
详细描述:SDRAM - 移动 存储器 IC 64Mb (2M x 32) 并联 6ns 90-TFBGA(8x13)
型号:
IS42VM32200M-75BLI
仓库库存编号:
IS42VM32200M-75BLI-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC PSRAM 32MBIT 70NS 48BGA
详细描述:PSRAM(伪 SRAM) 存储器 IC 32Mb (2M x 16) 并联 70ns 48-TFBGA(6x8)
型号:
IS66WVE2M16EALL-70BLI-TR
仓库库存编号:
IS66WVE2M16EALL-70BLI-TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
FLASH MEMORY NAND
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 2Gb (256M x 8) 并联 45ns 48-TSOP I
型号:
S34MS02G200TFI003
仓库库存编号:
S34MS02G200TFI003-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC FLASH 64MBIT 108MHZ 84FBGA
详细描述:FLASH - NOR 存储器 IC 64Mb (4M x 16) 并联 80ns 84-FBGA(11.6x8)
型号:
S29WS064RABBHW000
仓库库存编号:
S29WS064RABBHW000-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC PSRAM 64MBIT 70NS 48BGA
详细描述:PSRAM(伪 SRAM) 存储器 IC 64Mb (4M x 16) 并联 70ns 48-TFBGA(6x8)
型号:
IS66WVE4M16ALL-70BLI-TR
仓库库存编号:
IS66WVE4M16ALL-70BLI-TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC PSRAM 64MBIT 55NS 48BGA
详细描述:PSRAM(伪 SRAM) 存储器 IC 64Mb (4M x 16) 并联 70ns 48-TFBGA(6x8)
型号:
IS66WVE4M16ECLL-70BLI-TR
仓库库存编号:
IS66WVE4M16ECLL-70BLI-TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 90BGA
详细描述:SDRAM - 移动 DDR 存储器 IC 512Mb (16M x 32) 并联 5ns 90-FBGA(8x13)
型号:
AS4C16M32MD1-5BINTR
仓库库存编号:
AS4C16M32MD1-5BINTR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 64MBIT 166MHZ 90BGA
详细描述:SDRAM - 移动 存储器 IC 64Mb (2M x 32) 并联 5.5ns 90-TFBGA(8x13)
型号:
IS42VM32200M-6BLI
仓库库存编号:
IS42VM32200M-6BLI-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA
详细描述:EEPROM - NAND 存储器 IC 4Gb (512M x 8) 并联 25ns 67-VFBGA(6.5x8)
型号:
TC58NYG2S0HBAI6
仓库库存编号:
TC58NYG2S0HBAI6-ND
别名:TC58NYG2S0HBAI6JDH
TC58NYG2S0HBAI6YCL
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 1GBIT 200MHZ 60VFBGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 1Gb (64M x 16) 并联 5ns 60-VFBGA(8x9)
型号:
W94AD6KBHX5E
仓库库存编号:
W94AD6KBHX5E-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 2GBIT 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 2Gb (256M x 8) 并联 63-VFBGA
型号:
MT29F2G08ABBEAH4-IT:E
仓库库存编号:
MT29F2G08ABBEAH4-IT:E-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 2GBIT 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 2Gb (128M x 16) 并联 63-VFBGA(9x11)
型号:
MT29F2G16ABBEAH4-IT:E
仓库库存编号:
MT29F2G16ABBEAH4-IT:E-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 2GBIT 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 2Gb (256M x 8) 并联 63-VFBGA
型号:
MT29F2G08ABBEAH4-IT:E TR
仓库库存编号:
MT29F2G08ABBEAH4-IT:E TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 2GBIT 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 2Gb (256M x 8) 并联 63-VFBGA(10.5x13)
型号:
MT29F2G08ABBEAHC-IT:E TR
仓库库存编号:
MT29F2G08ABBEAHC-IT:E TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 2GBIT 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 2Gb (128M x 16) 并联 63-VFBGA(9x11)
型号:
MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR
仓库库存编号:
MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 2GBIT 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 2Gb (256M x 8) 并联 63-VFBGA(10.5x13)
型号:
MT29F2G08ABBEAHC-IT:E
仓库库存编号:
MT29F2G08ABBEAHC-IT:E-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 64MBIT 166MHZ 90BGA
详细描述:SDRAM - 移动 DDR 存储器 IC 64Mb (2M x 32) 并联 5.5ns 90-TFBGA(8x13)
型号:
IS43LR32200C-6BLI
仓库库存编号:
IS43LR32200C-6BLI-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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