规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Winbond Electronics
IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 54BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 128Mb (8M x 16) 并联 5.4ns 54-VFBGA(8x9)
型号:
W987D6HBGX6I
仓库库存编号:
W987D6HBGX6I-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 60BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 5ns 60-VFBGA(8x9)
型号:
W948D6FBHX5E TR
仓库库存编号:
W948D6FBHX5E TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
搜索
Winbond Electronics
IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 60BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 5ns 60-VFBGA(8x9)
型号:
W948D6FBHX6E TR
仓库库存编号:
W948D6FBHX6E TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 54BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 5.4ns 54-VFBGA(8x9)
型号:
W988D6FBGX6E TR
仓库库存编号:
W988D6FBGX6E TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 256MBIT 133MHZ 54BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 5.4ns 54-VFBGA(8x9)
型号:
W988D6FBGX7E TR
仓库库存编号:
W988D6FBGX7E TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 90TFBGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 128Mb (4M x 32) 并联 5ns 90-VFBGA(8x13)
型号:
W947D2HBJX5E
仓库库存编号:
W947D2HBJX5E-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 90TFBGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 128Mb (4M x 32) 并联 5ns 90-VFBGA(8x13)
型号:
W947D2HBJX6E
仓库库存编号:
W947D2HBJX6E-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 90BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 128Mb (4M x 32) 并联 5.4ns 90-VFBGA(8x13)
型号:
W987D2HBJX6E
仓库库存编号:
W987D2HBJX6E-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 90BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 128Mb (4M x 32) 并联 5.4ns 90-VFBGA(8x13)
型号:
W987D2HBJX7E
仓库库存编号:
W987D2HBJX7E-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 90BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 256Mb (8M x 32) 并联 5ns 90-VFBGA(8x13)
型号:
W948D2FBJX6E TR
仓库库存编号:
W948D2FBJX6E TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 90BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 256Mb (8M x 32) 并联 5.4ns 90-VFBGA(8x13)
型号:
W988D2FBJX6E TR
仓库库存编号:
W988D2FBJX6E TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 256MBIT 133MHZ 90BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 256Mb (8M x 32) 并联 5.4ns 90-VFBGA(8x13)
型号:
W988D2FBJX7E TR
仓库库存编号:
W988D2FBJX7E TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb (64M x 16) 并联 63-VFBGA(9x11)
型号:
MT29F1G16ABBEAH4:E TR
仓库库存编号:
MT29F1G16ABBEAH4:E TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb (64M x 16) 并联 63-VFBGA(9x11)
型号:
MT29F1G16ABBEAH4:E
仓库库存编号:
MT29F1G16ABBEAH4:E-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 60BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 5ns 60-VFBGA(8x9)
型号:
W948D6FBHX5I TR
仓库库存编号:
W948D6FBHX5I TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Winbond Electronics
IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 54BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 5.4ns 54-VFBGA(8x9)
型号:
W988D6FBGX6I TR
仓库库存编号:
W988D6FBGX6I TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 90TFBGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 128Mb (4M x 32) 并联 5ns 90-VFBGA(8x13)
型号:
W947D2HBJX5I
仓库库存编号:
W947D2HBJX5I-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Winbond Electronics
IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 90BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 128Mb (4M x 32) 并联 5.4ns 90-VFBGA(8x13)
型号:
W987D2HBJX6I
仓库库存编号:
W987D2HBJX6I-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Winbond Electronics
IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 90BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 256Mb (8M x 32) 并联 5ns 90-VFBGA(8x13)
型号:
W948D2FBJX5I TR
仓库库存编号:
W948D2FBJX5I TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Winbond Electronics
IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 90BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 256Mb (8M x 32) 并联 5.4ns 90-VFBGA(8x13)
型号:
W988D2FBJX6I TR
仓库库存编号:
W988D2FBJX6I TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Winbond Electronics
IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 60BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 5ns 60-VFBGA(8x9)
型号:
W948D6FBHX5E
仓库库存编号:
W948D6FBHX5E-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Winbond Electronics
IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 54BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 5.4ns 54-VFBGA(8x9)
型号:
W988D6FBGX6E
仓库库存编号:
W988D6FBGX6E-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Winbond Electronics
IC SDRAM 256MBIT 133MHZ 54BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 5.4ns 54-VFBGA(8x9)
型号:
W988D6FBGX7E
仓库库存编号:
W988D6FBGX7E-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Cypress Semiconductor Corp
IC DRAM 64MBIT 1.8V 166MHZ 24BGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 64Mb (8M x 8) 并联 40ns 24-BGA(6x8)
型号:
S27KS0641DPBHV023
仓库库存编号:
428-3861-1-ND
别名:428-3861-1
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Alliance Memory, Inc.
IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 60FBGA
详细描述:SDRAM - 移动 DDR 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 60-FPBGA(8x9)
型号:
AS4C16M16MD1-6BCNTR
仓库库存编号:
AS4C16M16MD1-6BCNTR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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