规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb (128M x 8) 并联 63-VFBGA(9x11)
型号:
MT29F1G08ABBDAH4:D TR
仓库库存编号:
MT29F1G08ABBDAH4:D TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 32MBIT 133MHZ 54BGA
详细描述:SDRAM - 移动 存储器 IC 32Mb (2M x 16) 并联 6ns 54-TFBGA(8x8)
型号:
IS42VM16200D-75BLI
仓库库存编号:
IS42VM16200D-75BLI-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC FLASH 2GBIT 45NS 67BGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 2Gb (256M x 8) 并联 45ns 67-BGA(8x6.5)
型号:
S34MS02G200GHI000
仓库库存编号:
S34MS02G200GHI000-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 512Mb (32M x 16) 并联 5ns 60-VFBGA(8x9)
型号:
W949D6DBHX5I
仓库库存编号:
W949D6DBHX5I-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 512MBIT 166MHZ 54BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 512Mb (32M x 16) 并联 5ns 54-VFBGA(8x9)
型号:
W989D6DBGX6I
仓库库存编号:
W989D6DBGX6I-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb (64M x 16) 并联 63-VFBGA(9x11)
型号:
MT29F1G16ABBEAH4-ITX:E
仓库库存编号:
MT29F1G16ABBEAH4-ITX:E-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb (64M x 16) 并联 63-VFBGA(9x11)
型号:
MT29F1G16ABBEAH4-ITX:E TR
仓库库存编号:
MT29F1G16ABBEAH4-ITX:E TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 512MBIT 166MHZ 90BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 512Mb (16M x 32) 并联 5ns 90-VFBGA(8x13)
型号:
W989D2DBJX6I
仓库库存编号:
W989D2DBJX6I-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Winbond Electronics
IC PSRAM 64MBIT 133MHZ 54VFBGA
详细描述:PSRAM(伪 SRAM) 存储器 IC 64Mb (4M x 16) 并联 70ns 54-VFBGA(6x8)
型号:
W956D6HBCX7I TR
仓库库存编号:
W956D6HBCX7I TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Winbond Electronics
IC PSRAM 64MBIT 133MHZ 54VFBGA
详细描述:PSRAM(伪 SRAM) 存储器 IC 64Mb (4M x 16) 并联 70ns 54-VFBGA(6x8)
型号:
W966D6HBGX7I TR
仓库库存编号:
W966D6HBGX7I TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 32MBIT 166MHZ 90BGA
详细描述:SDRAM - 移动 DDR 存储器 IC 32Mb (1M x 32) 并联 5.5ns 90-TFBGA(8x13)
型号:
IS43LR32100D-6BL-TR
仓库库存编号:
IS43LR32100D-6BL-TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 32MBIT 166MHZ 60BGA
详细描述:SDRAM - 移动 DDR 存储器 IC 32Mb (2M x 16) 并联 5.5ns 60-TFBGA(8x10)
型号:
IS43LR16200D-6BL
仓库库存编号:
IS43LR16200D-6BL-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb (128M x 8) 并联 63-VFBGA(9x11)
型号:
MT29F1G08ABBDAH4-IT:D
仓库库存编号:
MT29F1G08ABBDAH4-IT:D-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb (128M x 8) 并联 63-VFBGA(10.5x13)
型号:
MT29F1G08ABBDAHC-IT:D
仓库库存编号:
MT29F1G08ABBDAHC-IT:D-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb (64M x 16) 并联 63-VFBGA(9x11)
型号:
MT29F1G16ABBDAH4-IT:D
仓库库存编号:
MT29F1G16ABBDAH4-IT:D-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb (64M x 16) 并联 63-VFBGA(10.5x13)
型号:
MT29F1G16ABBDAHC-IT:D
仓库库存编号:
MT29F1G16ABBDAHC-IT:D-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb (128M x 8) 并联 63-VFBGA(9x11)
型号:
MT29F1G08ABBDAH4-IT:D TR
仓库库存编号:
MT29F1G08ABBDAH4-IT:D TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb (128M x 8) 并联 63-VFBGA(10.5x13)
型号:
MT29F1G08ABBDAHC-IT:D TR
仓库库存编号:
MT29F1G08ABBDAHC-IT:D TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb (64M x 16) 并联 63-VFBGA(9x11)
型号:
MT29F1G16ABBDAH4-IT:D TR
仓库库存编号:
MT29F1G16ABBDAH4-IT:D TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb (64M x 16) 并联 63-VFBGA(10.5x13)
型号:
MT29F1G16ABBDAHC-IT:D TR
仓库库存编号:
MT29F1G16ABBDAHC-IT:D TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 32MBIT 166MHZ 60BGA
详细描述:SDRAM - 移动 DDR 存储器 IC 32Mb (2M x 16) 并联 5.5ns 60-TFBGA(8x10)
型号:
IS43LR16200D-6BLI-TR
仓库库存编号:
IS43LR16200D-6BLI-TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Cypress Semiconductor Corp
IC FLASH 64MBIT 108MHZ 52BGA
详细描述:FLASH,PSRAM 存储器 IC 64Mb 闪存,32Mb RAM 并联 52-VFRBGA(6x5)
型号:
S71VS064RB0AHT4L0
仓库库存编号:
S71VS064RB0AHT4L0-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 64MBIT 133MHZ 54BGA
详细描述:SDRAM - 移动 存储器 IC 64Mb (4M x 16) 并联 6ns 54-TFBGA(8x8)
型号:
IS42VM16400M-75BLI-TR
仓库库存编号:
IS42VM16400M-75BLI-TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Cypress Semiconductor Corp
IC DRAM 64MBIT 1.8V 166MHZ 24BGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 64Mb (8M x 8) 并联 40ns 24-BGA(6x8)
型号:
S27KS0641DPBHA020
仓库库存编号:
S27KS0641DPBHA020-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 32MBIT 166MHZ 90BGA
详细描述:SDRAM - 移动 DDR 存储器 IC 32Mb (1M x 32) 并联 5.5ns 90-TFBGA(8x13)
型号:
IS43LR32100D-6BL
仓库库存编号:
IS43LR32100D-6BL-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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