规格：电压 - 电源 1.425 V ~ 1.575 V,
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA
详细描述：SDRAM - DDR3 存储器 IC 1Gb （64M x 16） 并联 20ns 96-TWBGA（9x13）
型号：
IS43TR16640A-125JBL
仓库库存编号：
IS43TR16640A-125JBL-ND
规格：电压 - 电源 1.425 V ~ 1.575 V,
无铅
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Microsemi Corporation
IC FPGA 49 I/O 68QFN
型号：
A3PN015-1QNG68I
仓库库存编号：
A3PN015-1QNG68I-ND
规格：电压 - 电源 1.425 V ~ 1.575 V,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA
详细描述：SDRAM - DDR3 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 20ns 78-WBGA（10.5x8）
型号：
W631GG8KB12I
仓库库存编号：
W631GG8KB12I-ND
规格：电压 - 电源 1.425 V ~ 1.575 V,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 2GBIT 933MHZ 96BGA
详细描述：SDRAM - DDR3 存储器 IC 2Gb （128M x 16） 并联 20ns 96-WBGA（9x13）
型号：
W632GG6KB-11 TR
仓库库存编号：
W632GG6KB-11 TR-ND
规格：电压 - 电源 1.425 V ~ 1.575 V,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 2GBIT 933MHZ 78BGA
详细描述：SDRAM - DDR3 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 20ns 78-WBGA（10.5x8）
型号：
W632GG8KB-11 TR
仓库库存编号：
W632GG8KB-11 TR-ND
规格：电压 - 电源 1.425 V ~ 1.575 V,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA
详细描述：SDRAM - DDR3 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 20ns 78-WBGA（10.5x8）
型号：
W631GG8KB15I
仓库库存编号：
W631GG8KB15I-ND
规格：电压 - 电源 1.425 V ~ 1.575 V,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 2GBIT 667MHZ 78BGA
详细描述：SDRAM - DDR3 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 20ns 78-TWBGA（8x10.5）
型号：
IS43TR82560B-15HBL-TR
仓库库存编号：
IS43TR82560B-15HBL-TR-ND
规格：电压 - 电源 1.425 V ~ 1.575 V,
无铅
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Microsemi Corporation
IC FPGA 49 I/O 68QFN
型号：
A3PN015-2QNG68I
仓库库存编号：
A3PN015-2QNG68I-ND
规格：电压 - 电源 1.425 V ~ 1.575 V,
无铅
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Microsemi Corporation
IC FPGA 49 I/O 68QFN
型号：
A3PN020-1QNG68I
仓库库存编号：
A3PN020-1QNG68I-ND
规格：电压 - 电源 1.425 V ~ 1.575 V,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 2GBIT 800MHZ 96BGA
详细描述：SDRAM - DDR3 存储器 IC 2Gb （128M x 16） 并联 20ns 96-TWBGA（9x13）
型号：
IS43TR16128B-125KBL-TR
仓库库存编号：
IS43TR16128B-125KBL-TR-ND
规格：电压 - 电源 1.425 V ~ 1.575 V,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 2GBIT 667MHZ 96BGA
详细描述：SDRAM - DDR3 存储器 IC 2Gb （128M x 16） 并联 20ns 96-TWBGA（9x13）
型号：
IS43TR16128B-15HBL-TR
仓库库存编号：
IS43TR16128B-15HBL-TR-ND
规格：电压 - 电源 1.425 V ~ 1.575 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 933MHZ 78FBGA
详细描述：SDRAM - DDR3 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 20ns 78-FBGA（8x10.5）
型号：
MT41J256M8DA-107:K TR
仓库库存编号：
MT41J256M8DA-107:K TR-ND
规格：电压 - 电源 1.425 V ~ 1.575 V,
无铅
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Microsemi Corporation
IC FPGA 34 I/O 48QFN
型号：
A3P030-1QNG48
仓库库存编号：
A3P030-1QNG48-ND
规格：电压 - 电源 1.425 V ~ 1.575 V,
无铅
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Microsemi Corporation
IC FPGA 49 I/O 68QFN
型号：
A3PN020-2QNG68I
仓库库存编号：
A3PN020-2QNG68I-ND
规格：电压 - 电源 1.425 V ~ 1.575 V,
无铅
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Microsemi Corporation
IC FPGA 23 I/O 36UCSP
型号：
AGLN010V5-UCG36I
仓库库存编号：
AGLN010V5-UCG36I-ND
规格：电压 - 电源 1.425 V ~ 1.575 V,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 2GBIT 667MHZ 78BGA
详细描述：SDRAM - DDR3 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 20ns 78-TWBGA（8x10.5）
型号：
IS43TR82560B-15HBL
仓库库存编号：
IS43TR82560B-15HBL-ND
规格：电压 - 电源 1.425 V ~ 1.575 V,
无铅
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Microsemi Corporation
IC FPGA 34 I/O 48QFN
型号：
A3P030-2QNG48
仓库库存编号：
A3P030-2QNG48-ND
规格：电压 - 电源 1.425 V ~ 1.575 V,
无铅
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Microsemi Corporation
IC FPGA 49 I/O 68QFN
型号：
A3P030-1QNG68
仓库库存编号：
A3P030-1QNG68-ND
规格：电压 - 电源 1.425 V ~ 1.575 V,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 2GBIT 800MHZ 78BGA
详细描述：SDRAM - DDR3 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 20ns 78-WBGA（10.5x8）
型号：
W632GG8KB12I TR
仓库库存编号：
W632GG8KB12I TR-ND
规格：电压 - 电源 1.425 V ~ 1.575 V,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 2GBIT 667MHZ 78BGA
详细描述：SDRAM - DDR3 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 20ns 78-WBGA（10.5x8）
型号：
W632GG8KB15I TR
仓库库存编号：
W632GG8KB15I TR-ND
规格：电压 - 电源 1.425 V ~ 1.575 V,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 2GBIT 800MHZ 96BGA
详细描述：SDRAM - DDR3 存储器 IC 2Gb （128M x 16） 并联 20ns 96-WBGA（9x13）
型号：
W632GG6KB12I TR
仓库库存编号：
W632GG6KB12I TR-ND
规格：电压 - 电源 1.425 V ~ 1.575 V,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 2GBIT 667MHZ 96BGA
详细描述：SDRAM - DDR3 存储器 IC 2Gb （128M x 16） 并联 20ns 96-WBGA（9x13）
型号：
W632GG6KB15I TR
仓库库存编号：
W632GG6KB15I TR-ND
规格：电压 - 电源 1.425 V ~ 1.575 V,
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Microsemi Corporation
IC FPGA 49 I/O 68QFN
型号：
A3P030-2QNG68
仓库库存编号：
A3P030-2QNG68-ND
规格：电压 - 电源 1.425 V ~ 1.575 V,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 933MHZ 96FBGA
详细描述：SDRAM - DDR3 存储器 IC 2Gb （128M x 16） 并联 20ns 96-FBGA（8x14）
型号：
MT41J128M16JT-107:K TR
仓库库存编号：
MT41J128M16JT-107:K TR-ND
规格：电压 - 电源 1.425 V ~ 1.575 V,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 800MHZ 78FBGA
详细描述：SDRAM - DDR3 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 13.75ns 78-FBGA（8x10.5）
型号：
MT41J256M8DA-125:K TR
仓库库存编号：
MT41J256M8DA-125:K TR-ND
规格：电压 - 电源 1.425 V ~ 1.575 V,
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