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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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NXP USA Inc.
FET RF 2CH 110V 225MHZ NI-1230
详细描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 50V 2.6A 225MHz 25dB 125W NI-1230
型号:
MRF6VP2600HR5
仓库库存编号:
MRF6VP2600HR5CT-ND
别名:MRF6VP2600HR5CT
规格:电流 - 测试 2.6A,
无铅
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Infineon Technologies
IC AMP RF LDMOS
详细描述:RF Mosfet LDMOS 30V 2.6A 1.88GHz 17dB 80W H-37275-6/2
型号:
PTFB183404FV2R250XTMA1
仓库库存编号:
PTFB183404FV2R250XTMA1-ND
别名:SP000861276
规格:电流 - 测试 2.6A,
无铅
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Infineon Technologies
IC AMP RF LDMOS
详细描述:RF Mosfet LDMOS 30V 2.6A 1.99GHz 19dB 80W H-37275-6/2
型号:
PTFB193404FV1R250XTMA1
仓库库存编号:
PTFB193404FV1R250XTMA1-ND
别名:SP000865990
规格:电流 - 测试 2.6A,
无铅
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Infineon Technologies
IC AMP RF LDMOS
详细描述:RF Mosfet LDMOS 30V 2.6A 1.88GHz 17dB 80W H-36275-8
型号:
PTFB183404EV1R250XTMA1
仓库库存编号:
PTFB183404EV1R250XTMA1-ND
别名:SP000884172
规格:电流 - 测试 2.6A,
无铅
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Infineon Technologies
IC AMP RF LDMOS H-37275-6
详细描述:RF Mosfet LDMOS 30V 2.6A 1.88GHz 17dB 80W H-37275-6/2
型号:
PTFB183404FV2R0XTMA1
仓库库存编号:
PTFB183404FV2R0XTMA1-ND
别名:SP001413918
规格:电流 - 测试 2.6A,
无铅
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Infineon Technologies
IC AMP RF LDMOS H-37275-6
详细描述:RF Mosfet LDMOS 30V 2.6A 1.99GHz 19dB 80W H-37275-6/2
型号:
PTFB193404FV1R0XTMA1
仓库库存编号:
PTFB193404FV1R0XTMA1-ND
别名:SP001413928
规格:电流 - 测试 2.6A,
无铅
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Infineon Technologies
IC AMP RF LDMOS H-36275-8
详细描述:RF Mosfet LDMOS 30V 2.6A 1.88GHz 17dB 80W H-36275-8
型号:
PTFB183404EV1R0XTMA1
仓库库存编号:
PTFB183404EV1R0XTMA1-ND
别名:SP001413916
规格:电流 - 测试 2.6A,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 2CH 120V 225MHZ
详细描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 50V 2.6A 225MHz 25dB 125W NI-1230-4H
型号:
MMRF1016HR5
仓库库存编号:
MMRF1016HR5-ND
别名:935322153178
规格:电流 - 测试 2.6A,
无铅
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Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT539B
详细描述:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 2.6A 1.47GHz ~ 1.51GHz 18dB 85W CDFM4
型号:
BLF7G15LS-300P,118
仓库库存编号:
568-12774-1-ND
别名:568-12774-1
规格:电流 - 测试 2.6A,
无铅
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