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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 20V 50mA 50mW Surface Mount CST3
  
  型号：RN2102CT(TPL3)
  仓库库存编号：RN2102CT(TPL3)CT-ND
  别名：RN2102CT(TPL3)CT
  
  规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount SSM
  
  型号：RN2118(T5L,F,T)
  仓库库存编号：RN2118(T5LFT)CT-ND
  别名：RN2118(T5LFT)CT
  
  规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
  
  型号：RN4902FE(TE85L,F)
  仓库库存编号：RN4902FE(TE85LF)CT-ND
  别名：RN4902FE(TE85LF)CT
  
  规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k,
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• NXP USA Inc.
  TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 180MHz 150mW Surface Mount SC-75
  
  型号：PDTA114EE,115
  仓库库存编号：568-11226-1-ND
  别名：568-11226-1
  
  规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k,
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• NXP USA Inc.
  TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 180MHz 150mW Surface Mount SC-75
  
  型号：PDTA114EE,115
  仓库库存编号：568-11226-6-ND
  别名：568-11226-6
  
  规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k,
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• Rohm Semiconductor
  TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W UMT6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V 100mA, 150mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
  
  型号：UMF24NTR
  仓库库存编号：UMF24NTR-ND
  
  规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
  
  型号：RN2902,LF
  仓库库存编号：RN2902LFCT-ND
  别名：RN2902LFCT
  
  规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PREBIAS PNP 0.2W S-MINI
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount S-Mini
  
  型号：RN2402S,LF(D
  仓库库存编号：RN2402SLF(D-ND
  别名：RN2402SLF(D
  
  规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k,
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• NXP USA Inc.
  TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：PDTA114ES,126
  仓库库存编号：PDTA114ES,126-ND
  别名：934047380126
  PDTA114ES AMO
  PDTA114ES AMO-ND
  
  规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k,
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• NXP USA Inc.
  TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-75
  
  型号：PDTA143XE,135
  仓库库存编号：PDTA143XE,135-ND
  别名：934055281135
  PDTA143XE /T3
  PDTA143XE /T3-ND
  
  规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k,
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• NXP USA Inc.
  TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-75
  
  型号：PDTA143XE,115
  仓库库存编号：PDTA143XE,115-ND
  别名：934055281115
  PDTA143XE T/R
  PDTA143XE T/R-ND
  
  规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k,
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• NXP USA Inc.
  TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
  
  型号：PDTA143XK,115
  仓库库存编号：PDTA143XK,115-ND
  别名：934056975115
  PDTA143XK T/R
  PDTA143XK T/R-ND
  
  规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k,
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• NXP USA Inc.
  TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：PDTB113ZS,126
  仓库库存编号：PDTB113ZS,126-ND
  别名：934059146126
  PDTB113ZS AMO
  PDTB113ZS AMO-ND
  
  规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k,
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• NXP USA Inc.
  TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：PDTB123YS,126
  仓库库存编号：PDTB123YS,126-ND
  别名：934059148126
  PDTB123YS AMO
  PDTB123YS AMO-ND
  
  规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k,
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• NXP USA Inc.
  TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：PDTC114ES,126
  仓库库存编号：PDTC114ES,126-ND
  别名：934047440126
  PDTC114ES AMO
  PDTC114ES AMO-ND
  
  规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k,
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• NXP USA Inc.
  TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
  
  型号：PDTC143XK,115
  仓库库存编号：PDTC143XK,115-ND
  别名：934056976115
  PDTC143XK T/R
  PDTC143XK T/R-ND
  
  规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k,
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• NXP USA Inc.
  TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：PDTD113ZS,126
  仓库库存编号：PDTD113ZS,126-ND
  别名：934059145126
  PDTD113ZS AMO
  PDTD113ZS AMO-ND
  
  规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k,
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• NXP USA Inc.
  TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：PDTD123YS,126
  仓库库存编号：PDTD123YS,126-ND
  别名：934059147126
  PDTD123YS AMO
  PDTD123YS AMO-ND
  
  规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k,
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• NXP USA Inc.
  TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
  
  型号：PDTD113ZK,115
  仓库库存编号：PDTD113ZK,115-ND
  别名：934058969115
  PDTD113ZK T/R
  PDTD113ZK T/R-ND
  
  规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k,
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• NXP USA Inc.
  TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
  
  型号：PDTD123YK,115
  仓库库存编号：PDTD123YK,115-ND
  别名：934058972115
  PDTD123YK T/R
  PDTD123YK T/R-ND
  
  规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k,
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• Infineon Technologies
  TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
  
  型号：BCR10PNB6327XT
  仓库库存编号：BCR10PNB6327XTTR-ND
  别名：BCR 10PN B6327
  BCR 10PN B6327-ND
  SP000010731
  
  规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k,
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• Infineon Technologies
  TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
  
  型号：BCR10PNE6327BTSA1
  仓库库存编号：BCR10PNE6327BTSA1TR-ND
  别名：BCR 10PN E6327
  BCR 10PN E6327-ND
  BCR10PNE6327XT
  SP000010732
  
  规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k,
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• Infineon Technologies
  TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 160MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
  
  型号：BCR 114F E6327
  仓库库存编号：BCR 114F E6327-ND
  别名：BCR114FE6327XT
  SP000014848
  
  规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k,
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• Infineon Technologies
  TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 160MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
  
  型号：BCR 114L3 E6327
  仓库库存编号：BCR 114L3 E6327-ND
  别名：BCR114L3E6327XT
  SP000014851
  
  规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k,
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• Infineon Technologies
  TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 160MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
  
  型号：BCR 114T E6327
  仓库库存编号：BCR 114T E6327-ND
  别名：BCR114TE6327XT
  SP000014773
  
  规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k,
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