规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k,
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 130MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR 133 B6327
仓库库存编号：
BCR 133 B6327-ND
别名：BCR133B6327XT
SP000056346
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 133F B6327
仓库库存编号：
BCR 133F B6327-ND
别名：BCR133FB6327XT
SP000014050
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 133F E6327
仓库库存编号：
BCR 133F E6327-ND
别名：BCR133FE6327XT
SP000014049
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 133L3 E6327
仓库库存编号：
BCR 133L3 E6327-ND
别名：BCR133L3E6327XT
SP000013564
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR133SB6327XT
仓库库存编号：
BCR133SB6327XTTR-NDTR-ND
别名：BCR 133S B6327
BCR 133S B6327-ND
SP000056343
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR133SE6327BTSA1
仓库库存编号：
BCR133SE6327BTSA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 133S E6327
BCR 133S E6327-ND
BCR133SE6327XT
SP000010761
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR133SE6433BTMA1
仓库库存编号：
BCR133SE6433BTMA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 133S E6433
BCR 133S E6433-ND
BCR133SE6433XT
SP000010763
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号：
BCR 133T E6327
仓库库存编号：
BCR 133T E6327-ND
别名：BCR133TE6327XT
SP000012801
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR133WE6327HTSA1
仓库库存编号：
BCR133WE6327HTSA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 133W E6327
BCR 133W E6327-ND
BCR133WE6327
BCR133WE6327XT
SP000010764
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 160MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 164F E6327
仓库库存编号：
BCR 164F E6327-ND
别名：BCR164FE6327XT
SP000014864
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 160MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 164L3 E6327
仓库库存编号：
BCR 164L3 E6327-ND
别名：BCR164L3E6327XT
SP000014869
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 160MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号：
BCR 164T E6327
仓库库存编号：
BCR 164T E6327-ND
别名：BCR164TE6327XT
SP000014817
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR 183 B6327
仓库库存编号：
BCR 183 B6327-ND
别名：BCR183B6327XT
SP000057461
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 183F E6327
仓库库存编号：
BCR 183F E6327-ND
别名：BCR183FE6327XT
SP000012994
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 183L3 E6327
仓库库存编号：
BCR 183L3 E6327-ND
别名：BCR183L3E6327XT
SP000013565
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR183SE6327BTSA1
仓库库存编号：
BCR183SE6327BTSA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 183S E6327
BCR 183S E6327-ND
BCR183SE6327XT
SP000010802
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR183SE6433BTMA1
仓库库存编号：
BCR183SE6433BTMA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 183S E6433
BCR 183S E6433-ND
BCR183SE6433XT
SP000010804
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号：
BCR 183T E6327
仓库库存编号：
BCR 183T E6327-ND
别名：BCR183TE6327XT
SP000012807
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR183WE6327HTSA1
仓库库存编号：
BCR183WE6327HTSA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 183W E6327
BCR 183W E6327-ND
BCR183WE6327
BCR183WE6327XT
SP000010805
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 600mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号：
PBRN113ZK,115
仓库库存编号：
PBRN113ZK,115-ND
别名：934058959115
PBRN113ZK T/R
PBRN113ZK T/R-ND
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 800mA 700mW Through Hole TO-92-3
型号：
PBRN113ZS,126
仓库库存编号：
PBRN113ZS,126-ND
别名：934059136126
PBRN113ZS AMO
PBRN113ZS AMO-ND
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 600mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号：
PBRN123YK,115
仓库库存编号：
PBRN123YK,115-ND
别名：934058962115
PBRN123YK T/R
PBRN123YK T/R-ND
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 800mA 700mW Through Hole TO-92-3
型号：
PBRN123YS,126
仓库库存编号：
PBRN123YS,126-ND
别名：934059138126
PBRN123YS AMO
PBRN123YS AMO-ND
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 800mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PBRP113ZS,126
仓库库存编号：
PBRP113ZS,126-ND
别名：934059137126
PBRP113ZS AMO
PBRP113ZS AMO-ND
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 800mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PBRP123YS,126
仓库库存编号：
PBRP123YS,126-ND
别名：934059139126
PBRP123YS AMO
PBRP123YS AMO-ND
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k,
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